公开(公告)号：CN115605549B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202180035450.2

申请日：2021-05-25

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 内田健 ,  鹤见浩一

IPC: C08L101/00 ,  C08L63/00 ,  C08K3/36 ,  C08K3/22 ,  C08K3/04 ,  C08K3/34 ,  H05K9/00

Abstract: 一种树脂组合物，该树脂组合物的成型体是电磁波吸收体，所述成型体在25℃、10GHz条件下的复介电常数的虚部ε”和25℃条件下的体积电阻率ρv满足下述式(1)，所述虚部ε”大于1.25，20＜(logρv)×ε”＜600(1)。

公开(公告)号：CN115605549A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202180035450.2

申请日：2021-05-25

Applicant: 京瓷株式会社(JP)

Inventor： 内田健 ,  鹤见浩一

IPC: C08L101/00 ,  C08L63/00 ,  C08K3/36 ,  C08K3/22 ,  C08K3/04 ,  C08K3/34 ,  H05K9/00

Abstract: 一种树脂组合物，该树脂组合物的成型体是电磁波吸收体，所述成型体在25℃、10GHz条件下的复介电常数的虚部ε”和25℃条件下的体积电阻率ρv满足下述式(1)，所述虚部ε”大于1.25，20＜(logρv)×ε”＜600(1)。