公开(公告)号：CN106449977A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610968813.9

申请日：2016-10-27

Applicant: 深圳大学

Inventor： 周晔 ,  韩素婷

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  G11C13/04

CPC classification number: H01L51/0545 ,  G11C13/04 ,  H01L51/0529

Abstract: 本发明提供了一种近红外光控存储器及其制造方法，所述近红外光控存储器包括：半导体层、浮栅层、介电层、栅极和基底；所述半导体层之上还设置有金电极；所述浮栅层由二氧化硅包覆荧光纳米颗粒组成。本发明所述的存储器在近红外光调控下，存储窗口得到增强，以此来实现多比特存储。相比常规的改进半导体层材料特性或增强浮栅层捕获载流子能力等方法，利用近红外光实时调控、增强存储窗口在信息加密领域有着良好的应用前景。近红外光调控方便高效，更可与常规方法相结合，从而获得高性能的存储器。

公开(公告)号：CN102959750B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201180033400.7

申请日：2011-06-03

Applicant: 于利奇研究中心有限公司

Inventor： U.波佩 ,  D.韦伯 ,  Y.迪文 ,  M.法利

IPC: H01L39/14 ,  H01L39/22 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L39/223 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/17 ,  G11C2213/53 ,  H01L39/145 ,  H01L39/228 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/147

Abstract: 本发明涉及一种可通过离子运动来开关的三栅极器件。该三栅极器件具有源电极（3）、漏电极（3）以及连接在所述源电极与所述漏电极之间的沟道（2），所述沟道由其电导率能够通过输入和/或输出离子来改变的材料制成。根据本发明，所述三栅极器件包括与栅电极（6）接触的离子池（5），所述离子池与所述沟道连接得使得在给所述栅电极施加电势时所述离子池能够与所述沟道交换离子。已经认识到，在将一起存在于离子池和沟道中的离子在离子池和沟道上分布时，在三栅极器件中可以存储信息。离子在沟道上和在离子池上的分布当且仅当给栅电极施加相应驱动电势时才改变。因此与RRAM不同，不存在“时间－电压困境”。

公开(公告)号：CN104272395A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380022685.3

申请日：2013-04-23

Applicant: 罗德施瓦兹两合股份有限公司

Inventor： 奥利弗·兰多尔特

IPC: G11C27/02 ,  H03M1/12 ,  H03K3/42 ,  G02F7/00 ,  G02B6/125 ,  G11C13/04

CPC classification number: G11C27/02 ,  G02B6/125 ,  G02B6/2861 ,  G02B2006/12147 ,  G02B2006/1215 ,  G02B2006/12154 ,  G02F7/00 ,  G11C13/04 ,  G11C27/024 ,  H03K3/42 ,  H03M1/1215 ,  H03M1/1245

Abstract: 一种包括第一输入端口(4)和第二输入端口(5)的采样装置(2)，其中，输入信号被输入至所述第一输入端口(4)，并且其中，光学时钟信号被输入至所述第二输入端口(5)。所述采样装置(2)包括多个跟踪与保持单元(71，72，7N)，其中，所述多个跟踪与保持单元(71，72，7N)中的每一个与所述第一输入端口(4)连接。所述多个跟踪与保持单元(71，72，7N)通过光波导(11)还与所述第二输入端口(5)连接，以此方式使得所述多个跟踪与保持单元(71，72，7N)以时间交错的模式运行。

公开(公告)号：CN101836257B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN200880112836.3

申请日：2008-10-23

Applicant: 惠普开发有限公司

Inventor： M·麦克莱伦 ,  J·H·安 ,  A·L·戴维斯 ,  N·L·宾克特 ,  N·P·茹皮

IPC: G11C5/02

CPC classification number: G11C5/04 ,  G11C5/02 ,  G11C5/025 ,  G11C13/04 ,  G11C2211/4016 ,  G11C2213/71 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2225/06534 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的各个实施例涉及堆叠的存储器模块。在本发明的一个实施例中，存储器模块(100，600，1200，1400)包括至少一个存储器-控制器层(102，602，1204，1402)，该存储器-控制器层与至少一个存储器层相堆叠。细小间距的贯通孔(例如硅贯通孔)(114，116)穿过该叠层与该至少一个存储器控制器的表面近似垂直地延伸，从而在该至少一个存储器控制器(401-404)和该至少一个存储器层之间提供电子通信。此外，存储器-控制器层包括至少一个外部接口，该接口被配置为向存储器模块传输数据并从存储器模块传输数据。另外，存储器模块可包括光学层(602，1202)。光学层可包括在该叠层中，并具有总线波导，该总线波导用来向该至少一个存储器控制器传输数据并从该至少一个存储器控制器传输数据。该外部接口可以是与光学层对接的光学外部接口。

公开(公告)号：CN101465156B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200810184164.9

申请日：2008-12-16

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 渡部隆夫 ,  新谷俊通 ,  前田武志 ,  广常朱美 ,  尾藤良孝

IPC: G11C11/16 ,  G01N24/08

CPC classification number: G01R33/44 ,  G11B5/00 ,  G11C11/16 ,  G11C13/04

Abstract: 本发明提供一种信息存储装置，在固体状的介质的不接近表面的内部，呈三维状配置存储器单元，并使存储器单元具有依存于其空间坐标的电磁波的共振特性。上述介质选择存储器单元的透射共振频率的电磁波的材料。通过观测从介质外部所照射的电磁波的吸收波谱或吸收后的发射波谱，计算存储器单元的三维空间坐标。在利用了电磁波的共振现象的信息存储装置中，兼顾存储数据的高密度化和长期保存性。

公开(公告)号：CN101026225B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200710005915.1

申请日：2007-02-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  大石洋正

IPC: H01L51/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/82

CPC classification number: B23K26/067 ,  B23K2101/40 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/04 ,  H01L51/0017

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，其中采用在转换激光照射的图案的同时对所希望的位置高速地进行激光照射。在具有由一对导电层夹着有机化合物层的结构的有机存储元件中，通过使用激光照射装置的激光照射，对该有机存储器元件进行数据写入。此外，由衍射光学元件将从激光振荡器射出的激光束分支成多个激光束，并且以一次照射对该有机化合物层上的多个地方照射激光束。

公开(公告)号：CN101322190B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200680045254.9

申请日：2006-11-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西原孝史 ,  坂上嘉孝 ,  儿岛理惠

IPC: G11B7/254 ,  G11B7/243 ,  G11B7/257 ,  G11B7/258 ,  G11B7/26

CPC classification number: G11B11/002 ,  G11B7/243 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25715 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/04 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/77 ,  Y10T428/21

Abstract: 一种信息记录介质，其是能够利用光的照射或电能的施加记录信息的信息记录介质15，在第一及第二电介质层102及106、及第一及反入射侧界面层103及105中，至少一层是含有Si、In、M1(M1是选自Zr及Hf的至少一种元素)、和氧(O)，且含有1原子％以上的Si的Si-In-Zr/Hf-O系材料层。该介质的记录信息时的记录灵敏度高，反复擦写性能优越，且显示高的信号强度。

公开(公告)号：CN101044624A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200580036112.1

申请日：2005-10-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 安部宽子 ,  岩城裕司 ,  汤川干央 ,  山崎舜平 ,  荒井康行 ,  渡边康子 ,  守屋芳隆

IPC: H01L27/28 ,  H01L51/05 ,  H01L27/10 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L51/0579 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/04 ,  H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0059

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体器件，其中能够在制造半导体器件以外的时候写入数据，并且能够防止出现仿冒品。此外，本发明的另一个目的在于提供一种包括具有简单的结构的存储器的廉价半导体器件。所述半导体器件包括：形成于单晶半导体衬底之上的场效应晶体管，形成于所述场效应晶体管之上的第一导电层，形成于所述第一导电层之上的有机化合物层，以及形成于所述有机化合物层之上的第二导电层，一种存储元件包括：第一导电层、有机化合物和第二导电层。根据上述结构，可以通过设置天线提供一种能够执行非接触数据发射/接收的半导体器件。

公开(公告)号：CN1953232A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200610111049.X

申请日：2006-08-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 汤川干央

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/00 ,  H01L27/28 ,  H01L27/30 ,  H01L27/32

CPC classification number: G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/13 ,  H01L51/52

Abstract: 本发明揭示一种写入的可靠性高且价格低的存储装置及半导体装置。此外，本发明揭示一种具有非易失性存储元件的存储装置及半导体装置，其中，除了制造时能够进行追记之外，并可以防止由改写引起的伪造等。本发明的存储元件，包括第一导电层；第二导电层；以及包含有机化合物的层，该包含有机化合物的层形成在第一导电层和第二导电层之间，并且具有能够因电子和空穴的再结合能而成为激发状态的光敏氧化还原剂、以及能够因光敏氧化还原剂而引起反应的基质。

公开(公告)号：CN1853224A

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200480026817.0

申请日：2004-09-02

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： R·F·M·亨德里克斯 ,  C·T·H·F·利登鲍姆

IPC: G11B7/12

CPC classification number: G11B7/0033 ,  G11B7/12 ,  G11B7/124 ,  G11B7/1245 ,  G11C13/04

Abstract: 本发明涉及用于读取存储在信息载体上的数据的系统。该系统包括波导(1203)，该波导能够利用所述波导(1203)的第一表面(1207)和第二表面(1208)之间光束的反射实现不同组件的横向位移。应用：光学存储。