-
公开(公告)号：CN100346464C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200410007843.0
申请日：2004-03-04
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/70 , H01G4/12 , C04B35/622 , H01L21/31 , H01L21/82
CPC classification number: H01L21/02356 , C04B35/491 , C04B2235/3418 , C04B2235/6584 , C04B2235/768 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 一种陶瓷膜的制造方法，包括在加压到2个大气压或2个大气压以上的状态下，对含有复合氧化物的原材料体进行热处理使结晶化的工序，作为构成元素，复合氧化物含有Pb或Bi，原材料体由溶胶凝胶原料及MOD原料的混合物构成，该溶胶凝胶原料及MOD原料的混合物，相对于上述复合氧化物的化学计算法的组成，至多5%过剩含有复合氧化物的构成元素中的至少Pb或Bi。
-
公开(公告)号：CN1329927C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200380101906.2
申请日：2003-10-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 一种由AB1-XNbXO3的通式表示的氧化物形成的强电介质膜。A元素至少由Pb构成，B元素由Zr、Ti、V、W、Hf和Ta中至少一种以上构成。并且，其中x在0.05≤x＜1的范围内。该强电介质膜也可应用于1T1C、2T2C和单纯矩阵型强电介质存储器中的任一个当中。
-
公开(公告)号：CN1983464A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610172526.3
申请日：2003-10-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 一种强电介质膜，由AB1－XNbXO3的通式表示，作为A元素至少含有Pb，作为B元素至少含有Zr、Ti，其中0.1≤x≤0.4。
-
-
公开(公告)号：CN1276481C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200410039800.0
申请日：2004-03-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/82 , H01L21/8239 , H01L27/10
CPC classification number: C04B35/491 , C04B2235/65 , C04B2235/658 , C23C18/12 , C23C18/1208 , C23C18/1279
Abstract: 一种陶瓷膜的制造方法，包括：准备在基体上涂布了含有复合氧化物的原材料体的被处理体的工序；以及将被处理体保持在容器内，通过在加压到2个大气压或1个大气压以上并且至少含有氧化性气体的处理气体中，在规定的压力下进行热处理，使原材料体结晶化的工序，处理气体在被加热到预定温度后，供给上述容器。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1812128A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510129542.X
申请日：2005-12-06
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/6684 , H01L21/28291 , H01L29/516 , H01L29/78391
Abstract: 本发明目的在于提供一种具有新颖结构的晶体管型铁电体存储器及其制造方法。本发明涉及的晶体管型铁电体存储器，包括IV族半导体层(10)、在所述IV族半导体层(10)的上方形成的氧化物半导体层、在所述氧化物半导体层(20)的上方形成的铁电体层(30)、在所述铁电体层(30)的上方形成的栅电极(40)，和在所述IV族半导体层(10)上形成的源区(12)和漏区(14)。
-
公开(公告)号：CN1266079C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200410033074.1
申请日：2004-03-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: C04B35/628 , C04B35/462 , H01L27/10
CPC classification number: C23C18/1208 , C04B35/01 , C04B35/16 , C04B35/491 , C04B35/624 , C04B35/63 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3258 , C04B2235/3287 , C04B2235/3298 , C04B2235/408 , C23C18/1254
Abstract: 一种涂覆用陶瓷材料的制备方法，其中，包括在铂族元素催化剂的存在下，搅拌含有复合氧化物的原材料的工序。原材料是含有选自复合氧化物的水解物和缩聚物中至少一种的溶胶·凝胶原料。
-
公开(公告)号：CN1265893C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200410033075.6
申请日：2004-03-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B05D1/40 , C04B35/628 , C04B35/462 , H01L27/00
CPC classification number: H01L21/02282 , H01L21/02197 , H01L21/31691 , H01L28/55 , H01L28/65 , Y10T428/24926
Abstract: 一种陶瓷材料的涂覆方法，通过旋转涂覆在基体上涂覆含有复合氧化物的陶瓷材料而形成涂覆膜，其中包含在规定转数下，使前述的基体旋转的第1旋转工序、在小于前述第1旋转工序的转数下，使前述基体旋转的第2旋转工序以及在大于前述第2旋转工序的转数下，使前述基体旋转的第3旋转工序。
-
公开(公告)号：CN1805164A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510134075.X
申请日：2005-12-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H03H9/0542 , B41J2/14233 , H01L27/20 , H01L41/0478 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , H03H9/02574 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H9/176
Abstract: 一种压电元件(10)，包含：基板(1)；在基板(1)上方形成的第1导电层(4)；在第1导电层(4)上方形成的由具有钙钛矿型化合物结构的压电体构成的压电体层(5)；以及电连接在压电体层(5)上的第2导电层(6)，第1导电层(4)包含1层以上的由在(001)优先取向的镧系层状钙钛矿型化合物构成的缓冲层(41)。由此，本发明能够提供可得到良好压电特性的压电元件。
-
公开(公告)号：CN1805163A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510134074.5
申请日：2005-12-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , F04B43/046 , H01L41/0478 , H01L41/0973
Abstract: 一种压电元件(10)包含：基板(1)；基板(1)上方形成的第1导电层(4)；在第1导电层(4)上方形成的、由具有钙钛矿结构的压电体构成的压电体层(5)；以及电连接在压电体层(5)上的第2导电层(6)，第1导电层(4)包含由在(001)优先取向的镍酸镧构成的导电性氧化层(42)，镍酸镧缺欠氧。由此，本发明提供一种能够得到良好的压电特性的压电元件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
98
records
(took 0.03 seconds)
