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公开(公告)号：CN115632069A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211263060.3
申请日：2022-10-14
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种横向变掺杂体二极管的SiC VDMOSFET器件，包括：由下至上依次设置的漏极、N+衬底和N‑漂移区；N‑漂移区的两侧部上分别具有P阱区；P阱区的内部具有N+有源区；P阱区朝外的侧面表面上形成第一P+接触区；第一P+接触区背向N+有源区的侧面上形成有P‑接触区；P‑接触区背向第一P+接触区的侧面上形成第二P+接触区；还包括：栅氧层、栅极、SiO2钝化层和源极。本发明通过在不增加SiC VDMOSFET体二极管的元胞尺寸前提下，形成P+/P‑/P+的横向变掺杂结构的接触区，改善了PN结的少子存储效应，改善了器件的反向恢复特性，从而解决SiC VDMOSFET寄生体二极管反向恢复特性较差带来的开关功耗增加、器件可靠性下降的问题。
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公开(公告)号：CN115621298A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211213338.6
申请日：2022-09-30
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明涉及一种浮动结掺杂浓度呈阶梯渐变的碳化硅功率器件，包括背面电极、N+衬底区、N‑外延区、浮动结层、表面P+区以及正面电极，其中，N+衬底区设置在背面电极的上方；N‑外延区设置在N+衬底区与正面电极之间；N‑外延区上表面内部设置有至少一个表面P+区；N‑外延区内部设置有至少一层浮动结层，浮动结层设置在表面P+区的下方，浮动结层包括至少一个P型浮动结，P型浮动结设置在表面P+区的正下方；每个P型浮动结的掺杂浓度呈阶梯渐变，沿横向方向由中间向两侧递增。本发明能够使得碳化硅功率器件总体的电场分布更加均匀，提高了碳化硅功率器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN115588694A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211029121.X
申请日：2022-08-24
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/78 , G01N27/407
Abstract: 本发明涉及一种带有埋层沟道的碳化硅MOSFET气体传感器，包括：碳化硅衬底、碳化硅外延层、n型沟道层、p型掺杂层、源极N+层、源极、漏极N+层、漏极、栅极氧化层和栅极，碳化硅外延层位于碳化硅衬底上；n型沟道层位于碳化硅外延层的内部；p型掺杂层位于碳化硅外延层的表层中且位于n型沟道层上；源极N+层嵌入碳化硅外延层的内部；源极位于源极N+层上；漏极N+层嵌入碳化硅外延层的内部；漏极位于漏极N+层上；栅极氧化层覆盖p型掺杂层、源极N+层的一部分和漏极N+层的一部分；栅极位于栅极氧化层上。该传感器通过在n型沟道上增加一层薄的p型掺杂层，将n型沟道变成一种埋层沟道，可以提高碳化硅MOSFET气体传感器的响应速度和灵敏度。
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公开(公告)号：CN115519975A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211304159.3
申请日：2020-07-02
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 发明公开了一种汽车空调进风箱的补风方法，涉及汽车空调技术领域，空调进风箱包括进风箱壳体和风门，所述风门借助于电磁吸附装置实现内循环风进风口和外循环风进风口的密封，所述风门上远离转轴的一端还分别安装有内循环进风管和外循环进风管，内循环进风管朝向内循环风进风口一侧，外循环进风管朝向外循环风进风口一侧，内循环进风管和外循环进风管再连接至进气补偿装置，本发明相比于传统的汽车空调进风箱，去掉了旋转风门用的伺服电机，增加电磁吸附装置，能够让风门更紧密的贴合壳体，密封作用更好。同时增加进气补偿装置，在风门内部布有进风气管连接外接气泵，可以通过外接气泵给进风箱补风，确保空调性能。
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公开(公告)号：CN115425963A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210938782.8
申请日：2022-08-05
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H03K19/0175 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了隔离传输电路，包括：电平移位电路，用于将输入信号转换为第一预设电压的传输信号；输入信号的电压为第一电压和第二电压之间的任一电压值，第一预设电压大于第一电压小于第二电压；振荡器，用以产生载波信号；调制电路，与电平移位电路以及振荡器的输出端相连接，用以将传输信号和载波信号进行混频，并将其传输至隔离电路；隔离电路用以将传输信号传输至高压侧；线性稳压器，其输出端与电平移位电路、振荡器以及调制电路相连接，用以将驱动电源的电压降压至第二预设电压，并给电平移位电路、振荡器以及调制电路供电。本发明中的电路，能够工作于宽范围的输入信号电压和驱动电源电压下，适用范围广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115348129A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210862115.6
申请日：2022-07-20
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种CAN收发器接收电路，分为三级结构，为第一级保护电路、第二级主体结构为运算放大器、第三级为迟滞比较器；所述保护电路可以将总线异常电压衰减到可被后级电路接收的范围内；所述运算放大器中预处理保护电路的输出差分信号，将其变为更易被检测的单端信号，且该单端信号可以有效区分总线信号的显性与隐性状态；所述迟滞比较器检测运放输出的单端信号并转化成数字信号输出，迟滞量可以防止比较器因输入波动而导致的输出翻转。本发明使差分信号可以正常输入到转换电路，并在该结构的基础上调整收发器结构，将差分信号转化成单端信号，单端信号经过迟滞比较器，输出一个抗干扰能力强的数字信号。
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公开(公告)号：CN112713189B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202011600632.3
申请日：2020-12-29
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种具有氮化镓高阻层的HEMT器件的外延结构及其制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层以及GaN帽层，本发明提供一种具有氮化嫁系高阻层的HEMT，提供了一种新的结构及长法，实现在不牺牲晶格质量的同时获得自动掺杂C的氮化镓高阻层。
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公开(公告)号：CN111564490B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202010465882.4
申请日：2020-05-28
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 一种P‑GaN增强型HEMT器件及其制备方法，属于半导体技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、ALN成核层、ALGaN缓冲层、GaN沟道层、ALN插入层、ALGaN势垒层、低温饱和P型GaN、P‑GaN、钝化层、源极（110）、漏极、栅极。在P‑GaN层和势垒层之间生长一层低温饱和P型GaN（LTPGaN层），该层的生长阻止了P‑GaN层的mg扩散至沟道层，从而降低器件的导通电阻，提升HEMT器件的工作效率。
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公开(公告)号：CN113433998B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202110763311.3
申请日：2021-07-06
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种功率驱动器，包括驱动电路和自举电路，自举电路包括MOS管M5，MOS管M5的源极和栅极均由外部电源VM供电，MOS管M5的漏极接驱动电路中自举电容Cb的高压端。本发明中功率驱动器的自举电路使用外部电源VM对驱动电路中的自举电容充电，在使用较高的外部电源VM时，避免了二极管的堆叠，同时也降低了线性稳压器LDO的设计难度，减小了LDO的功耗和产热。
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公开(公告)号：CN114551239A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210151050.4
申请日：2022-02-14
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L21/335 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/373 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种带有刻蚀保护层的金刚石基氮化镓器件的制备方法，涉及半导体技术领域，通过上述方法获得了器件，该器件包括金刚石衬底、第一衬底、低温氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层、漏电极、源电极、栅电极、介质层和保护层，本发明可以有效解决刻蚀氮化镓带来的损伤，还可以改善金刚石与氮化镓之间的应力问题。以提升氮化镓功率器件散热能力。
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