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公开(公告)号：CN104830235B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510213354.9
申请日：2015-04-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液及其应用，包括：0.01～20wt％的研磨颗粒；0.01～10wt％的氧化剂；0.01～10wt％的金属络合剂；0.005～5wt％的金属缓蚀剂；0.001～1wt％的表面活性剂；以及余量的水。该抛光液可以在钴和铜表面形成一层具有保护作用的钝化膜，从而防止在抛光过程中出现过腐蚀，降低钴和铜材料去除速率，并且获得可调节的材料去除速率选择性。
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公开(公告)号：CN104608046B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201510041312.1
申请日：2015-01-27
Abstract: 本发明公开了一种轴承圆柱滚子圆柱面的超精加工方法，包括：采用双平面方式圆柱外圆超精加工设备对待加工圆柱滚子工件进行研磨；采用加工设备对经过研磨后的圆柱滚子工件进行化学机械抛光粗抛；采用加工设备对经过化学机械抛光粗抛后的圆柱滚子工件进行化学机械抛光精抛，研磨液含有：20～25wt％的α‑氧化铝颗粒、3～4wt％金属切削液和余量的水，粗抛过程的抛光液含有：5～12wt％的胶体二氧化硅、0.5～1wt％的氨基乙酸、0.005～0.02wt％的过氧化氢和余量的水，精抛过程的抛光液含有：2～6wt％的胶体二氧化硅、0.5～1wt％氨基乙酸、0.5～2wt％的过氧化氢、0.1～0.15wt％的苯并三氮唑和余量的水。该方法可以有效改善轴承滚子圆柱面的形状精度和表面质量，所得圆柱滚子圆柱面圆度平均值可以达到0.40μm，表面粗糙度平均值可以达到16.63nm。
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公开(公告)号：CN104608046A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510041312.1
申请日：2015-01-27
Abstract: 本发明公开了一种轴承圆柱滚子圆柱面的超精加工方法，包括：采用双平面方式圆柱外圆超精加工设备对待加工圆柱滚子工件进行研磨；采用加工设备对经过研磨后的圆柱滚子工件进行化学机械抛光粗抛；采用加工设备对经过化学机械抛光粗抛后的圆柱滚子工件进行化学机械抛光精抛，研磨液含有：20～25wt％的α-氧化铝颗粒、3～4wt％金属切削液和余量的水，粗抛过程的抛光液含有：5～12wt％的胶体二氧化硅、0.5～1wt％的氨基乙酸、0.005～0.02wt％的过氧化氢和余量的水，精抛过程的抛光液含有：2～6wt％的胶体二氧化硅、0.5～1wt％氨基乙酸、0.5～2wt％的过氧化氢、0.1～0.15wt％的苯并三氮唑和余量的水。该方法可以有效改善轴承滚子圆柱面的形状精度和表面质量，所得圆柱滚子圆柱面圆度平均值可以达到0.40μm，表面粗糙度平均值可以达到16.63nm。
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公开(公告)号：CN102581745B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201210050639.1
申请日：2012-02-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出一种化学机械抛光传输机器人系统，包括：执行机构包括机器人本体和支撑装置，机器人本体包括爪、手爪翻转机构、小臂体、大臂体和套筒，支撑装置包括：直线导轨滑台和导轨丝杠；检测器用于检测执行机构的工作状态参数以生成检测信息；控制装置用于控制手爪的运动位移和运动角度，包括：上位控制器、主控制器、运动控制器、伺服驱动器、电机和编码器，上位机控制器用于接收用户输入的操作指令；编码器用于检测相应的电机的状态信息；主控制器用于生成执行机构的运动指令，运动控制器用于按照预设控制算法计算电机控制量；伺服驱动器用于计算相应电机的控制转矩；电机用于在相应的控制转矩的控制下驱动执行机构运动。
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公开(公告)号：CN102564287B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201110421573.8
申请日：2011-12-15
Applicant: 清华大学
IPC: G01B7/06
Abstract: 本发明公开了一种利用晶圆台测量晶圆的膜厚度的方法。所述方法包括：A)所述晶圆台的升降装置向上移动至高位，利用机械手将晶圆传输到所述升降装置上，然后所述机械手移出；B)利用真空产生器对所述晶圆台的通气孔和凹槽抽真空，然后所述升降装置向下移动至低位以便所述晶圆吸附在所述晶圆台的非金属盘上；C)利用电涡流传感器对所述晶圆进行全局膜厚测量；D)向所述通气孔和所述凹槽内通入气体，随后所述升降装置向上移动至所述高位以便将所述非金属盘上的所述晶圆抬起；和E)利用所述机械手将所述晶圆取走。根据本发明实施例的利用晶圆台测量晶圆的膜厚度的方法具有自动化程度高的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102496595B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201110382559.1
申请日：2011-11-25
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/66 , G01V9/00 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种晶圆托架、晶圆交换装置以及晶圆在位检测方法。所述晶圆托架包括：本体，本体内设有通气管道和多个检测气孔，其中多个检测气孔的外端间隔开地位于本体的上表面上且邻近本体的上表面的外沿，多个检测气孔的内端与通气管道连通；真空产生器，真空产生器通过管路和通气管道与多个检测气孔连通；第一过滤器，第一过滤器设在管路上且位于真空产生器和多个检测气孔之间；真空压力检测器，真空压力检测器设在管路上且位于真空产生器和多个检测气孔之间以便检测管路中的压力；和控制器，控制器与真空压力检测器相连以便根据真空压力检测器的压力检测值判断晶圆是否在位。根据本发明实施例的晶圆托架可以精确地判断出晶圆是否在位。
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公开(公告)号：CN103252705A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310180057.X
申请日：2013-05-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种化学机械抛光设备。所述化学机械抛光设备包括：用于存放晶圆的晶盒装载装置；用于放置晶圆的晶圆过渡装置；第一机械手；化学机械抛光机；晶圆清洗装置，晶圆清洗装置包括具有第一容纳腔的第一本体、设在第一容纳腔内第一晶圆支撑组件和设在第一本体上的晶圆清洗组件；晶圆刷洗装置，晶圆刷洗装置包括具有第二容纳腔的第二本体以及设在第二容纳腔内的晶圆刷洗组件和第二晶圆支撑组件；晶圆干燥装置，晶圆干燥装置包括具有第三容纳腔的第三本体以及设在第三容纳腔内的晶圆干燥组件和第三晶圆支撑组件；和第二机械手。根据本发明实施例的化学机械抛光设备具有清洗效果好等优点。
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公开(公告)号：CN103230884A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310146913.X
申请日：2013-04-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种用于晶圆的刷洗装置。所述用于晶圆的刷洗装置包括：用于支撑晶圆的支撑件；第一毛刷和第二毛刷，所述第一毛刷和所述第二毛刷相对地且间隔开地设置以分别用于刷洗所述晶圆的两个表面；和丝杠组件，所述丝杠组件与所述第一毛刷和所述第二毛刷均相连，所述丝杠组件带动所述第一毛刷和所述第二毛刷在与所述晶圆的两个表面正交的方向上移动。根据本发明实施例的用于晶圆的刷洗装置具有刷洗效果好等优点。
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公开(公告)号：CN102540896B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201210050606.7
申请日：2012-02-29
Applicant: 清华大学
IPC: G05B13/04
Abstract: 本发明提出一种化学机械抛光传输机器人的非线性模糊结合递归控制系统，包括：上位机控制器、主控制器、运动控制器、检测器、多个伺服驱动器、多个电机和编码器，检测器用于检测传输机器人的工作状态参数以生成检测信息；上位机控制器用于接收操作指令；编码器用于检测传输机器人的当前运动位移和当前运动角度；主控制器用于生成传输机器人的运动指令；运动控制器用于在传输机器人启动时以模糊控制模式计算初始电机控制量并在传输机器人平稳运行后以递归LQ优化控制模式计算电机控制量；每个伺服驱动器用于根据初始电机控制量或电机控制量计算相应电机的控制转矩；多个电机，每个电机用于在相应的控制转矩的控制下驱动传输机器人运动。
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公开(公告)号：CN103192317A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310113435.2
申请日：2013-04-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种抛光头。所述抛光头包括气缸、旋转基盘组件、固定盘组件、吸附盘组件和保持环组件。气缸包括：缸体，缸体内具有腔室，缸体上设有分别与腔室连通的第一和第二进气通道，第一和第二进气通道适于与气源相连；活塞，活塞设在腔室内以将腔室分隔为上子腔室和下子腔室，其中第一进气通道与上子腔室连通且第二进气通道与下子腔室连通；和活塞杆，活塞杆设在腔室内且活塞杆的下端伸出缸体，活塞杆与活塞相连以便在活塞的带动下上下移动。根据本发明实施例的抛光头不仅可以带动晶圆上下移动，而且可以传递较大的扭矩。
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