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公开(公告)号：CN116952720A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310873457.2
申请日：2023-07-17
IPC分类号： G01N3/08 , G01N3/12 , G01N1/28 , G01N3/06 , G01B11/00 , G01B11/24 , G01N21/88 , G06T7/00 , G06T7/13 , G06T7/60
摘要： 本发明涉及一种电弧增材短柱钢管结构件实验装置及性能评估方法，包括以下步骤：试件制备和几何测量、实验装置和测试方法、标准设计和性能评估。本发明的有益效果是：基于三维扫描、模型后处理、截面轮廓信息提取和缺陷偏差处理的过程，实现WAAM短柱钢管结构件的几何测量；通过液压加载短柱轴压实验装置的设计构造，结合非接触三维数字图像相关法、应变片和位移计联合法的测试方法，实现短柱钢管结构件荷载‑端缩量的测试以及极限承载力测试值的获取；通过多部国内外标准设计式的适用性探讨和专业系数评估，实现WAAM打印短柱钢管结构件测试值的有效性评估和标准设计式预测值的准确性评估。
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公开(公告)号：CN116519467A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310473953.9
申请日：2023-04-27
摘要： 本发明涉及一种电弧增材螺栓连接件实验装置及评估方法，包括步骤：试件制备和几何测量、试件性能实验、评估预测。本发明的有益效果是：采用三步设计评估的逐步推进模式，第一步解决了WAAM打印试件的制备和几何性能测量方法的问题；第二步解决了螺栓连接件实验装置和力学性能测试方法的问题；第三步解决了规范设计式的适用性评估和性能预测方法的问题；本发明提供的电弧增材螺栓连接件实验装置及评估方法，可有效实现WAAM电弧增材制造螺栓连接单剪节点和双剪节点的性能测试、承载评估及应用设计。
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公开(公告)号：CN112397862B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201910758271.6
申请日：2019-08-16
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种基于多模式谐振腔的全连通架构量子芯片，该芯片包括一个公共的微波谐振腔和20个以上的超导量子比特；所述公共的微波谐振腔具有n阶谐振模，公共的微波谐振腔同时与超过20个超导量子比特耦合；所述超导量子比特之间通过n阶谐振模相互作用，实现超导量子比特的信息传递和逻辑门操作；所有超导量子比特均具有控制和读取电路，包括独立的或与其相邻比特共用的微波控制线；独立的磁通量控制线和独立的读取谐振腔。本发明使用微波谐振腔的n阶模式实现比特间的耦合，突破了谐振腔的物理尺寸上限，解决了其限制量子比特扩展数目的问题。并且本发明能够减小比特间的信号串扰，提升比特的控制精度，对于推进量子计算具有重要意义。
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公开(公告)号：CN111025439B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201911296593.X
申请日：2019-12-16
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种可图形化的宽波段吸收器及其制备方法，包括：(1)根据所需的吸收器带宽和吸收率，对吸收器进行模拟仿真，并优化吸收器中各层薄膜的厚度，以设计获得所需波段的宽波段吸收器；(2)清洗基底，按照设计的各层薄膜的厚度，采用真空镀膜依次在所述基底上沉积金属吸收层、介质‑金属膜堆以及保护层；(3)在所述保护层上依次进行光刻胶旋涂、曝光、显影后，将掩模板图形转移到光刻胶上，以实现宽波段吸收器的图形化；(4)利用氢氟酸缓释液腐蚀去除掉暴露在遮挡胶膜外的保护层，利用铬腐蚀液腐蚀去除保护层下的介质‑金属膜堆和吸收层，以获得可图形化的宽波段吸收器。该方法制备方便，成本低，便于批量化生产。
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公开(公告)号：CN108710169B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201810882085.9
申请日：2018-08-03
申请人： 浙江大学
IPC分类号： G02B5/28
摘要： 本发明公开了一种辐射制冷滤光片，包括基板，所述的基板单面抛光，所述基板的毛面上设有金属反射层，所述基板的抛光面上依次设有中间层和顶层；所述中间层包括交替设置的A层和B层；每层A层、B层的厚度为50～400nm；所述A层的材料为二氧化硅或氧化铝，所述B层的材料为二氧化钛、氮化硅或碳化硅；或，所述A层的材料为二氧化钛或氧化铝，所述B层的材料为二氧化硅、氮化硅或碳化硅；所述顶层的材料为氟化镱、氟化钇或硫化锌；中间层与顶层共同构成在大气透明窗口(8～13um波段)波段的多谐振吸收增强器。相比于传统的滤光片，本发明的滤光片不但能长时间地在强光下工作，并且能够实现被动地辐射制冷。
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公开(公告)号：CN118029754A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410196101.4
申请日：2024-02-22
IPC分类号： E04H9/10 , E04B1/34 , G06F30/23 , G06F30/10 , G06F17/10 , G06F111/10 , G06F119/14
摘要： 本发明涉及一种基于负泊松比结构的UHTCC防爆墙结构，负泊松比结构采用凹六边形胞元；负泊松比结构的四周经填充形成矩形；防爆墙结构采用UHTCC材料。本发明的有益效果是：本发明提供的负泊松比结构在爆炸冲击波的作用下，实现结构压缩变形的同时，冲击波可在结构多层UHTCC壁之间反复反射耗能，结合每一层UHTCC壁高韧性、高耗能的特点，进一步提高了本发明防护墙的防爆性能。
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公开(公告)号：CN117030716A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310871713.4
申请日：2023-07-17
摘要： 本发明涉及一种电弧增材管状金属短柱几何测量及局部缺陷评估方法，包括以下步骤：几何扫描和结果验证、敏感分析和基本参数、局部缺陷和评估方法。本发明的有益效果是：采用三维扫描仪进行管状金属短柱的几何轮廓激光扫描，并通过质量密度法进行体积测量结果的验证；通过非接触式三维激光扫描仪对结构件进行几何测量，获得完整几何信息；通过质量密度法进行验证，避免激光扫描时结构件内、外壁拼接整合误差；通过敏感性分析确定合适截面轮廓取样间距，保证足够精度且较低计算成本；通过局部几何缺陷拟合和最大偏差处理，实现结构件局部几何缺陷的定量评估。
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公开(公告)号：CN116714243A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310532540.3
申请日：2023-05-10
IPC分类号： B29C64/20 , G09B19/00 , G09B19/24 , B29C64/118 , B29C64/209 , B33Y30/00
摘要： 本发明涉及一种分体式多轴机器人FDM送丝3D打印装置，包括内部打印装置和外部框架，内部打印装置底部设有福马轮，内部打印装置包括六轴工业机器人、两轴变位机、FDM打印头和控制系统；包括步骤：建立3D实体模型，生成打印路径，导入模型数据至控制器；在圆形工作台的上表面首先粘贴热床加热片，通过热床加热片对可拆卸打印平板进行加热；利用六轴工业机器人和圆形工作台形成共八个转动轴，开始打印；通过快拆孔将可拆卸打印平板卸下。本发明的有益效果是：解决了传统FDM塑料3D打印的结构件尺寸受限问题，制造具有复杂外观造型、内部镂空的大尺寸塑料结构件和结构体系；实现分体可移动式结构效果，增大3D打印的机器人开放运动空间。
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公开(公告)号：CN116029002A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211646678.8
申请日：2022-12-21
IPC分类号： G06F30/10 , G06F30/20 , G06F111/04 , G06F113/10
摘要： 本发明涉及一种多轴3D打印两步优化设计及制造方法，包括步骤：采用无悬垂约束拓扑优化获得最优结构，然后进行打印分区域划分，对划分出的不同打印分区域计算局部最优打印方向；将局部最优打印方向作为单元悬垂角度约束，并加入单元水平邻域单元密度约束项以避免优化过程的悬垂特征；采用一体化拓扑优化进行含角度约束的一体化拓扑优化，同时进行灵敏度分析，进行自支撑结构多轴3D打印制造。本发明的有益效果是：采用两步优化设计逐步推进模式；解决了设计域的打印分区域划分、局部最优打印方向和无效边界单元处理问题；考虑了悬垂约束，将局部最优打印方向作为分区域各单元打印方向，抑制不可打印单元从而获得自支撑结构。
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公开(公告)号：CN115697028A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202310000662.8
申请日：2023-01-03
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
摘要： 本发明涉及半导体芯片封装领域，尤其是涉及一种三维结构芯片、制作方法及其封装方法。本发明的芯片封装结构表面具有凹凸结构，凹凸结构包括凸起部分、凹陷部分以及凸起部分和凹陷部分之间的坡度部分，再在芯片封装结构表面形成导电层和导电凸起，最终获得具有导电凸起的三维结构芯片。由于芯片封装结构表面具有凸起部分，保证了三维封装中各芯片之间具有一定间距的同时，使得导电凸起的高度降低，增大了导电凸起材料的可选范围，也避免了芯片的导电层和导电凸起之间选用非同种金属时，在接触面位置形成非超导的金属间化合物所带来的界面问题。同时，在凸起部分和凹陷部分之间具有坡度部分，更有利于凸起部分的顶部和底部的导电层进行有效电连接。
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