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公开(公告)号：CN105425083A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201511009592.4
申请日：2015-12-29
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: G01R31/00
CPC classification number: G01R31/007
Abstract: 本发明公开一种MOS器件PK仪，主要由壳体，固定在壳体上的电源开关、2个液晶显示屏、2组测试档位选择键和2组调节旋钮，以及设置在壳体内的2套测试平台组成；其中电源开关同时与2套测试平台的电源端相连；每套测试平台的输入端各连接1组测试档位选择键和1组调节旋钮的输出端；每套测试平台的输出端各连接1个液晶显示屏。本发明操作简单，对比情况直观，不需要购买昂贵的检测/试验设备，便可轻松了解样品性能对比情况；体积小重量轻，便于携带，有利于业务人员为客户直观演示产品性能，有利于研发人员现场快速了解样品性能对比情况。
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公开(公告)号：CN105404923A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510988448.3
申请日：2015-12-25
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种IC封装自动排片机的计数装置，包括水平安装的推杆、驱动装置和于推杆的一侧、且能在竖直方向上自由移动的料盒，所述推杆与驱动装置连接，用于将料盒内的料片推出；所述料盒的两侧敞开且在竖直方向上等间距设有N格装料格，料片依次置于装料格内；所述推杆作用于料片的一端为推料端，还包括一计数装置，所述计数装置包括光电传感器、PLC控制器和显示屏，所述光电传感器经一信号放大器后与PLC控制器内设有的计数模块连接，显示屏与PLC控制器的输出端连接，PLC控制器上还连接有用于供电的电源，其中N为≥5的正整数。本发明实现了对料片的自动计数功能，具有计数准确、计数快速、结构简单的特点，有效地提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN103515245B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310460632.1
申请日：2013-09-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开一种基于高能离子注入方式的通道分压场效应管及生产方法，利用高能离子注入设备进行渐深注入，再通过扩散制作一N型通道连接沟道与漏极，N型通道所形成的类T形结构也是3D结构，PN之间形成空乏区从单一的垂直方向改变为垂直与水平两个方向，这样可以大幅提高这个区域的耐压，从而可以增加N通道的掺杂浓度，进而又起到降低导通电阻的作用；同时，上述结构中栅极底部与漏极之间由P外延阻隔，从而使栅极底部与漏极之间的电容基本为零；并且通道与沟道的接触部分较小，可以大幅消除栅极和漏极之间的电容，综合前述两方面的改进，可以大幅减少栅极开关时的充、放电时间（Qgd可以大幅降低），从而提高了MOS管的开关速度。
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公开(公告)号：CN103531481A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310460327.2
申请日：2013-09-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/0634 , H01L29/0642 , H01L29/66666 , H01L29/7827
Abstract: 本发明公开一种基于沟槽方式的通道分压场效应管及生产方法，其利用沟槽方式，再通过扩散制作一n型通道连接沟道与漏极，n型通道所形成的十字型结构或T字形也是3D结构，PN之间形成空乏区（耗尽层）从单一的垂直方向改变为垂直与水平两个方向，这样可以大幅提高这个区域的耐压，从而可以增加N通道的掺杂浓度，进而又起到降低导通电阻的作用；同时，上述结构中栅极底部与漏极之间由P外延阻隔，从而使栅极底部与漏极之间的电容基本为零；并且通道与沟道的接触部分较小，可以大幅消除栅极和Drain之间的电容，可以大幅减少Gate开关时的充、放电时间（Qgd可以大幅降低），从而提高了MOS管的开关速度。
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公开(公告)号：CN212322989U
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202021115075.1
申请日：2020-06-16
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体集成晶体管封装结构，包括由上模型腔槽和下模型腔槽相对扣压所形成的塑封体，所述塑封体上开设有供半导体集成晶体管的引脚引出的引脚孔，所述塑封体的前、后长度为2.9毫米，左、右宽度为1.65毫米，上、下高度为0.9毫米；一个居中引脚孔和两个前、后引脚孔分别于塑封体上左、右开设，六个引脚孔分别于塑封体上左、右对称开设，引脚孔的开设位置距离塑封体底部的高度为塑封体高度的1/3。本实用新型从外部尺寸上对封装结构进行了改进，既能够提高产品的宽度及表面积以确保产品在功耗方面的优势，又能够减少产品特别是接触PCB面板的厚度来提高产品的散热效率和耗散功率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205452246U
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201521130427.X
申请日：2015-12-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开一种贴片机停电摆臂防撞系统，由不间断电源、输入输出接口控制板、马达驱动板、X轴马达、Y轴马达和θ轴马达组成。其中不间断电源的输入端与市电相连，不间断电源的输出端经输入输出控制接口板与马达驱动板的输入端相连，马达驱动板的输出端分别与X轴马达、Y轴马达和θ轴马达相连。本实用新型能够避免了贴片机在遭遇突然停电，摆臂因惯性撞击轨道，而导致设备的损坏，降低了维修费用，保证了生产效率。
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公开(公告)号：CN204968345U
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201520770197.7
申请日：2015-09-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H05K13/04
Abstract: 本实用新型公开了一种消除贴片机热应力装置，包括轨道、运行于轨道上的铜框架以及架设于轨道上的加温区域，还包括安装设置在轨道尾部上的延长轨道，该延长轨道与轨道处于同一水平面上形成冷却区域。本实用新型能有效减少芯片内部应力，不会出现芯片上层与粘在框架的下层开裂分离现象，同时芯片测试参数得到明显改善，产品不良品明显减少，有效的提高生产效率。
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公开(公告)号：CN204102906U
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201420496425.1
申请日：2014-08-29
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本实用新型公开一种双多晶硅功率MOS管，主要由N+衬底、N型外延层、厚氧化层、源极多晶硅、栅极氧化层、栅极多晶硅、体区P、源区N+、硼磷硅玻璃、P+区、钨塞、源极和漏极组成。本实用新型利用双多晶硅结构(源极多晶硅和栅极多晶硅)利用不同厚度的氧化层，在满足MOS器件功能的前提下，达到减小极与极间的电容的目的，大幅减小栅极和漏极之间以及栅极和源极的电容，从而大幅减少栅极开关时的充电时间(栅极电荷密度可以大幅降低)，提高了MOS管的开关速度，并利用深槽类3D结构，降低外延厚度对内阻的影响，实现低内阻。
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公开(公告)号：CN203521427U
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201320612532.1
申请日：2013-09-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开一种基于高能离子注入方式的通道分压场效应管，主要由漏极、栅极、源极、N+衬底、P型外延层、n+型纵向通道、n型横向通道、良导体、二氧化硅氧化层、体区P、P+层、金属塞、源区N+、硼磷硅玻璃、以及铝层组成。利用高能离子注入设备进行渐深注入，再通过扩散制作一N型通道连接沟道与漏极，N型通道所形成的类T形结构也是3D结构，PN之间形成空乏区从单一的垂直方向改变为垂直与水平两个方向，这样可以大幅提高这个区域的耐压，从而可以增加N通道的掺杂浓度，进而又起到降低导通电阻的作用。
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公开(公告)号：CN206046495U
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201621019730.7
申请日：2016-08-31
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开一种测试分选机用的吸嘴，包括吸嘴本体，所述吸嘴本体包括其中心均设有真空流道的吸嘴杆和吸嘴头，所述吸嘴本体上设有可拆卸的定位保护装置，该定位保护装置包括设于吸嘴本体两侧、且方向平行于吸嘴本体的定位保护杆。本实用新型结构简单、易于制造，有效避免半导体器件的管脚变形，吸嘴杆与吸嘴头通过连接件连接，具有维修时间短、吸嘴头使用寿命长、产品质量高等优点，值得广泛推广。
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