一种键合晶圆的结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN107742606B

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN201711030930.1

    申请日:2017-10-30

    Abstract: 本发明公开了一种键合晶圆的结构及其制备方法,主要解决现有技术键合强度低以及键合的空隙率高的技术问题。该键合晶圆的结构及其制备方法通过将需要键合的两块晶圆进行清洗、蒸发沉积金属Al,在任一晶圆表面旋涂光刻胶、软烘烤、UV曝光、光刻胶显影,刻蚀形成等间距通道、在氧环境下低温键合以及低温退火键合得到晶圆键合结构,该晶圆键合结构包括上下两层晶圆层,以及在该两层晶圆层之间氧化与键合同时进行,使得键合后的表面具有三氧化二铝和气体混合的气体通道的技术方案,该键合晶圆的结构及其制备方法,实现了晶圆之间空隙小、键合强度高,以及基于SOI结构制造的器件散热性好;能够用于晶圆的低温键合。

    一种平滑自回归基数估计方法

    公开(公告)号:CN115328972B

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202211024149.4

    申请日:2022-08-24

    Abstract: 本发明涉及数据库系统查询优化的基数估计技术领域,具体地说,涉及一种平滑自回归基数估计方法,包括:S1、将数据库表格数据编码后得到编码数据x;S2、对x进行平滑,期间复制x来引入不同程度的噪声得到平滑数据xrs和微弱平滑数据xcls,拼接所有平滑数据后得到输入xin;S3、将xin喂给平滑自回归模型,并进行训练;S4、通过训练好的模型进行基数估计。本发明能够达到目前最先进的基数估计准确度,能较出色地完成基数估计任务。

    S波段GaN MMIC低噪声放大器
    45.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111327277A

    公开(公告)日:2020-06-23

    申请号:CN202010120589.4

    申请日:2020-02-26

    Abstract: 本发明公开了一种S波段GaN MMIC低噪声放大器,电路结构包括:第一级场效应晶体管放大器、输入匹配网络、第一级栅极偏置网络、第一级漏极电阻、第一级漏极偏置网络、级间匹配网络、第二级栅极电阻、第二级场效应晶体管放大器、输出级匹配网络、第二级漏极偏置网络、第二级漏极电阻和第二级栅极偏置网络。通过电阻形成的负反馈网络加强电路稳定性的同时调节了电路增益,提高了低噪声放大器的线性度。可实现低噪声放大器射频输入信号大、噪声系数低、工作频带内增益平坦度良好的性能。

    一种电子商务平台用户重复购买行为预测方法

    公开(公告)号:CN110956497A

    公开(公告)日:2020-04-03

    申请号:CN201911181002.4

    申请日:2019-11-27

    Abstract: 本发明公开了一种电子商务平台用户重复购买行为预测方法,包括:获取用户历史购买行为数据;采用分段下采样方法进行样本均衡处理;构建用户特征、商户特征、用户与商户交互特征和隐藏特征;将样本均衡的用户历史购买行为数据输入至双层注意力BiGRU个体模型中,将用户特征、商户特征、用户与商户交互特征和隐藏特征输入至深度Catboost个体模型和DeepGBM个体模型中;对各个体模型分别进行用户重复购买行为预测训练;通过Vote-Stacking模型,对训练后的各个体模型进行融合,并采用多数投票决策机制输出最终预测结果。本发明融合深度Catboost个体模型、双层注意力BiGRU个体模型和DeepGBM个体模型,对用户历史购买数据中离散的购买记录数值和行为序列特征进行建模,提高了预测结果的准确性。

    基于张量字典及全变分的高维图像去噪方法

    公开(公告)号:CN108399608A

    公开(公告)日:2018-08-14

    申请号:CN201810172326.0

    申请日:2018-03-01

    Abstract: 本发明公开一种基于张量字典及全变分的高维图像去噪方法,在高维图像处理研究的基础上,将张量字典学习结合全变分正则项,提出一种张量字典学习结合TV正则项的高维图像去噪模型,然后用交替迭代方法求解模型,得到迭代更新后重建的MSI图像。本发明的优点是将高维图像看成一个张量整体处理,不会损失图像的立体结构信息,同时也考虑了各波段之间的相关性,并且张量字典学习的方式提高了算法的精确度;在不失高维图像空间结构的前提下,利用高阶TV正则项,很好地保存了较完善的边缘信息,取得良好的重建效果。实验结果在主观视觉和客观评价指标两方面均取得较好的效果,能够保留较多的纹理信息和轮廓信息。

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