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公开(公告)号：CN110120459A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910085196.1
申请日：2019-01-29
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 提供一种有机EL显示器用的反射阳极电极及其应用。为包含包括Al-Ge系合金膜、以及与Al-Ge系合金膜接触的氧化物导电膜的层叠结构、且在这些的接触界面中介隔存在以氧化铝为主成分的层的有机EL显示器用的反射阳极电极，并且Al-Ge系合金膜含有0.1原子％～2.5原子％的Ge，且在Al-Ge系合金膜与氧化物导电膜的接触界面中形成有Ge浓化层及含有Ge的析出物，Al-Ge系合金膜中的、自氧化物导电膜侧的表面起50nm以内的平均Ge浓度为Al-Ge系合金膜中的平均Ge浓度的2倍以上，且含有Ge的析出物的平均直径为0.1μm以上。
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公开(公告)号：CN105931654B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201610230364.8
申请日：2010-09-16
IPC: G11B7/2433 , G11B7/2437 , C23C14/08 , C23C14/34
CPC classification number: G11B7/2437 , C23C14/08 , C23C14/3414 , G11B7/24038 , G11B7/2433 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/2432 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供记录特性优异的光信息记录介质用记录层、具备该记录层的光信息记录介质及对上述记录层的形成有用的溅射靶。该光信息记录介质用记录层是通过激光的照射进行记录的记录层，其特征在于，含有氧化物相对于1mol氧的标准生成自由能的绝对值比Pd大的金属(以下，称为X金属)的氧化物和氧化Pd，该氧化Pd含有一氧化Pd和二氧化Pd，且Pd原子相对于记录层中所含的X金属原子和Pd原子的合计的比率为4～85原子％。
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公开(公告)号：CN109644536A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780052201.8
申请日：2017-08-22
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种在有机EL显示器和有机EL照明等的元件中，充分降低其驱动电压，并具有高反射率的反射电极。本发明涉及由Al合金所构成的反射膜和透明导电膜构成的反射电极，其特征在于，所述反射膜的主面与所述透明导电膜的主面接触，并且所述Al合金中，按比例含有3～12原子％的Zn和0.01～0.5原子％的稀土元素。
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公开(公告)号：CN102568503B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201110413857.2
申请日：2011-12-13
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G11B7/24035 , G11B7/242
Abstract: 提供一种记录特性优异的光信息记录媒体用记录层和具有该记录层的光信息记录媒体。是通过激光的照射而进行记录的记录层，具有如下要旨，含有Mn氧化物，构成包含在所述记录层中的氧化物的全部金属元素中所占的Mn的原子比为80原子％以下，并且不含金属Mn。
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公开(公告)号：CN102859596A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180018935.7
申请日：2011-04-06
IPC: G11B7/2433 , B41M5/26 , G11B7/24 , G11B7/254 , G11B7/257
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24038 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715
Abstract: 本发明的目的是提供可以应用于具有约每一层25GB的高容量的一次写入光学记录介质、且在提供多层化的记录层构造时具有良好记录特性的光学记录介质。该光线记录介质包括基板21和两个到四个记录层221和222。这些记录层221和222中的至少一者或多者是特定记录层，特定记录层具有包含完全氧化的In、Zn、Al和Sn(也就是说，In2O3、ZnO、Al2O3和SnO2)中的至少一者、PdO、以及PdO2的组分。与特定记录层相邻，设置至少包含In或Al作为主要成分的In/Al氧化物层的电介质层232a和232b。
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公开(公告)号：CN1901055B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200610107508.7
申请日：2006-07-20
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/165 , C22C5/06 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/258 , G11B7/259 , Y10T428/21
Abstract: Ag合金反射膜含有作为组分的X1，并且具有位于距反射膜表面深2nm之内的区域中的富集层，其中组分X1以比X1在整个反射膜中的平均浓度更高的浓度富集在富集层内，其中X1是选自由下列元素组成的组中的至少一种合金元素：Bi、Si、Ge、Pb、Zn、Cd、Hg、A1、Ga、In、Tl、Sn、As和Sb。所述反射膜具有作为反射膜的稳定且优异的基本性质，比如初始反射率和耐久性，并且进一步满足诸如激光标记适应性之类的要求。光学信息记录介质包括所述反射膜，而且性能优异。
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公开(公告)号：CN100552784C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200610074378.1
申请日：2006-04-14
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G11B7/258 , C22C5/06 , C22C5/08 , C23C14/205 , C23C14/3414 , G11B7/259 , Y10T428/12 , Y10T428/21
Abstract: 银合金反射膜用于光学信息记录介质并含有作为主要组分的银，总共0.01-3原子%的选自Bi和Sb中的至少一种，和总共3-42原子%的选自Cu，Ge，Mg和Zn中的至少一种。银合金反射膜优选进一步含有0.1-3原子%的钇。光学信息记录介质包括银合金反射膜。用于沉积银合金反射膜的溅射靶含有作为主要组分的银，总共0.01-3原子%的Sb(或0.03-10原子%的Bi)和总共3-42原子%的选自Cu，Ge，Mg和Zn中的至少一种。
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公开(公告)号：CN100452205C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610006826.4
申请日：2006-02-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明提供了一种用于光学信息记录介质的记录膜以及一种光学信息记录介质，所述记录膜具有优异生产率并且也具有优异耐久性(记录保持性)，本发明包括如下：(1)在光学信息记录介质中使用的记录膜，其热导率为0.8W/Kcm或更小，对波长为0.3μm～1.0μm的光的光吸收率为15%或更高，熔融温度为300～800℃，(2)光学信息记录介质，其中记录膜包括如上所述的记录膜，以及(3)用于形成所述记录膜的溅射靶。
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公开(公告)号：CN100373485C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510083393.8
申请日：2005-07-14
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 一种用于光学信息记录介质的Ag合金反射膜，其含有Ag作为主要组分，还含有总量大于3.0atom%且小于或等于10atom%的选自Nd、Sn、Gd和In的至少一种元素。该反射膜还可以含有0.01-3atom%的Bi和Sb中的至少一种，和/或还可以含有20atom%或更少的选自Mn、Cu、La和Zn的至少一种元素。一种光学信息记录介质，其包括该Ag合金反射膜，可以进行激光标示。一种Ag合金溅射目标，具有与Ag合金反射膜类似的组成。
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