公开(公告)号：CN103022144B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201210359296.7

申请日：2012-09-24

Applicant: 三星显示有限公司 ,  朴镇成 ,  株式会社神户制钢所

Inventor： 安秉斗 ,  李制勋 ,  朴世容 ,  朴埈贤 ,  金建熙 ,  林志勋 ,  朴在佑 ,  朴镇成 ,  钉宫敏洋 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  岸智也 ,  田尾博昭

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明提供了一种氧化物半导体。该氧化物半导体包括第一材料和第二材料，该第一材料包括选自由锌（Zn）和锡（Sn）组成的组中的至少一种，其中第一材料与氧（O）之间的电负性差值减去第二材料与氧（O）之间的电负性差值而得到的值小于约1.3。

公开(公告)号：CN104603919B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201380045020.4

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  后藤裕史 ,  田尾博昭 ,  钉宫敏洋 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  朴辰玄 ,  金连洪

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，其在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的单层的氧化物半导体层、用于保护氧化物半导体层的表面的蚀刻阻挡层、源‑漏电极和配置于栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素由In、Zn及Sn构成，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度被控制在4原子％以下。

公开(公告)号：CN103238217B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201180057732.9

申请日：2011-12-01

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  三木绫 ,  安野聪 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明的配线结构在基板上至少具有栅极绝缘膜和氧化物半导体层，所述氧化物半导体层为第1氧化物半导体层以及第2氧化物半导体层的层叠体，该第1氧化物半导体层包括选自In、Ga、Zn和Sn中的至少一种元素(Z组元素)，该第2氧化物半导体层含有选自In、Ga、Zn和Sn中的至少一种元素(X组元素)和选自Al、Si、Ti、Hf、Ta、Ge、W和Ni中的至少一种元素(Y组元素)，并且所述第2氧化物半导体层形成在所述第1氧化物半导体层与所述栅极绝缘膜之间。根据本发明，得到了开关特性和耐应力性良好、尤其是施加应力前后的阈值电压变化量小、稳定性优异的配线结构。

公开(公告)号：CN103548420B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280024692.2

申请日：2012-05-18

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 奥野博行 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋

IPC: H05B33/26 ,  C22C21/00 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/3276 ,  C22C21/00 ,  H01L27/3248 ,  H01L51/5218

Abstract: 提供一种配线结构，其具有具备Al合金膜的有机EL显示器用的反射阳极电极，该Al合金膜耐久性优异，即便使Al反射膜直接与有机层连接，也能够确保稳定的发光性能，而且可以实现高成品率。本发明涉及在基板上具有构成有机EL显示器用的反射阳极电极的Al合金膜，和含发光层的有机层的配线结构，其中，所述Al合金膜含有特定的稀土类元素为0.05～5原子％，在所述Al合金膜上直接连接有所述有机层。

公开(公告)号：CN103415926B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201280012067.6

申请日：2012-03-08

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 田尾博昭 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  安野聪 ,  钉宫敏洋 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗 ,  金建熙

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L21/02554 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/477 ,  H01L29/12 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的薄膜晶体管用氧化物，是至少含有In、Zn和Sn的In-Zn-Sn系氧化物，其中，设In-Zn-Sn系氧化物所含的金属元素的含量(原子％)分别设为[Zn]、[Sn]和[In]时，[In]/([In]+[Sn])≤0.5时满足下式(2)、(4)；[In]/([In]+[Sn])＞0.5时满足下式(1)、(3)、(4)。[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤0.3…(1)[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤1.4×{[Zn]/([Zn]+[Sn])}-0.5…(2)[Zn]/([In]+[Zn]+[Sn])≤0.83…(3)0.1≤[In]/([In]+[Zn]+[Sn])…(4)根据本发明，能够得到TFT的开关特性优异，溅射时的溅射速率高，并且，湿式蚀刻时的蚀刻速率得到恰当控制的薄膜晶体管用氧化物薄膜。

公开(公告)号：CN102486694B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201010625208.4

申请日：2010-12-24

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 奥野博行 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/045

Abstract: 本发明提供光泽度高且色彩的表现力优异的触摸面板传感器。本发明的触摸面板传感器具有透明导电膜及与透明导电膜连接的布线，其中，布线由含有稀土元素0.05～5原子％，且光泽度为800％以上的Al合金膜构成。

公开(公告)号：CN103229303B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180057012.2

申请日：2011-11-28

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  钉宫敏洋 ,  安野聪 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  G01G19/00 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/548 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明涉及的薄膜晶体管的半导体层用氧化物含有Zn、Sn及In；和从由Si、Hf、Ga、Al、Ni、Ge、Ta、W及Nb构成的X组中选出的至少一种元素(X组元素)。本根据发明，可提供一种能够实现高迁移率，并且抗应力性(应力施加前后的阈值电压漂移量少)也优异的薄膜晶体管用氧化物。

公开(公告)号：CN103003860B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201180035545.0

申请日：2011-07-21

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 三木绫 ,  钉宫敏洋 ,  寺尾泰昭

IPC: G09F9/30 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  C23C30/00 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786 ,  C22F1/00

CPC classification number: G09F9/30 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  C23C14/185 ,  C23C28/321 ,  C23C28/322 ,  C23C28/345 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3279 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12535 ,  Y10T428/12611 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明具备具有与含氧绝缘体层的高密接性和低电阻率的Cu合金膜的显示装置。本发明的显示装置用Cu合金膜，具有包括第一层(Y)和第二层(X)的层叠构造，其中，所述第一层(Y)由合计含有1.2～20原子％的从由Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb和Mn构成的群中选出的至少一种的元素的Cu合金构成，所述第二层(X)由纯Cu或以Cu为主成分的Cu合金即电阻率比所述第一层(Y)低的Cu合金构成，所述第一层(Y)的一部或全部与含氧绝缘体层直接接触，并且，所述第一层(Y)含有Zn或Ni时，所述第一层(Y)的膜厚为10nm以上100nm以下，所述第一层(Y)不含有Zn和Ni时，所述第一层(Y)的膜厚为5nm以上100nm以下。

公开(公告)号：CN101828212B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN200880112242.2

申请日：2008-10-23

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 大西隆 ,  三木绫 ,  后藤裕史 ,  水野雅夫 ,  伊藤弘高 ,  富久胜文

IPC: G02F1/1343 ,  G09F9/00 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  H01L23/53233 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种显示装置用Cu合金膜，其电阻率比现有Cu合金膜低，且，不形成阻挡金属层时，在其和透明导电膜之间也可以实现低接点电阻的直接连接，应用于液晶显示器时，可以给予高的显示品质。本发明涉及在基板上与透明导电膜直接连接的显示装置用Cu合金膜，其特征在于，含有0.1～0.5原子％的Ge，且合计含有0.1～0.5原子％的选自Ni、Zn、Fe及Co的一种以上。

公开(公告)号：CN103460351A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280015108.7

申请日：2012-03-13

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 富久胜文 ,  三木绫 ,  后藤裕史 ,  中井淳一

IPC: H01L21/3205 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/02 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C23C14/14 ,  G02F1/1343 ,  G09F9/30 ,  H01B5/02 ,  H01L21/28 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  C22C9/00 ,  C22C9/05 ,  C23C14/165 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/32051

Abstract: 本发明提供一种与基板和/或绝缘膜具有高密接性，并且，热处理后仍具有低电阻率的新的Cu合金膜。本发明涉及在基板上，与基板和/或绝缘膜直接接触，从基板侧按顺序由第一层和第二层构成的Cu合金膜，第一层含有元素X（Ag、Au、C、W、Ca、Mg、Al、Sn、B和/或Ni）的Cu－Mn－X合金层（第一层），第二层是由纯Cu或以Cu为主成分且电阻率比所述第一层低的Cu合金构成的层（第二层）。