公开(公告)号：CN105051872B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201480017656.2

申请日：2014-03-11

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 茅场靖刚 ,  小野升子 ,  田中博文 ,  铃木常司 ,  三尾茂 ,  高村一夫

IPC: H01L21/312 ,  C08G73/02 ,  C08K5/09 ,  C08L79/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/293 ,  C08G73/0206 ,  C08K5/0091 ,  C08L79/02 ,  C09J179/04 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/56 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种复合体的制造方法，所述方法具有：组合物准备工序，准备含有具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物的、pH为2.0～11.0的组合物；复合构件准备工序，准备具有构件A和构件B且满足上述构件B的表面的等电点＜上述组合物的pH＜上述构件A的表面的等电点的关系的复合构件，上述构件B的表面的等电点比上述构件A的表面的等电点低2.0以上且上述构件B的表面的等电点为1.0～7.5；以及赋予工序，对上述复合构件的上述构件A的上述表面和上述构件B的上述表面赋予上述组合物。

公开(公告)号：CN105229776A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201480028625.7

申请日：2014-05-20

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 小野阳介 ,  高村一夫

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/24 ,  G03F1/62

CPC classification number: G03F1/62 ,  G03F1/24 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/7015

Abstract: 本发明的课题在于提供一种EUV透过性高且不易受到由热引起的损伤，进一步强度高的防护膜组件。为了达成所述课题而提供如下防护膜组件，其包括：波长550nm的光的折射率n为1.9～5.0的防护膜，以及贴附了所述防护膜的防护膜组件框。所述防护膜在组成中包含30摩尔％～100摩尔％的碳及0摩尔％～30摩尔％的氢。所述防护膜的拉曼光谱中的2D带与G带的强度比(2D带的强度/G带的强度)为1以下，或者2D带与G带的强度分别为0。

公开(公告)号：CN102224577B

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201080003315.1

申请日：2010-05-28

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 小野升子 ,  高村一夫

IPC: H01L21/312 ,  C09K3/10 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76829 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76831 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/1073 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体用密封组合物，其可形成薄的树脂层，且可抑制金属成分向多孔的层间绝缘层中扩散，并且配线材料的密接性优异。本发明的半导体用密封组合物是以如下方式而构成：使钠及钾的含量以元素基准计分别为10重量ppb以下的半导体用密封组合物中，含有具有2个以上的阳离子性官能团的重均分子量为2000～100000的树脂，并且通过动态光散射法而测定的体积平均粒径达到10nm以下。

公开(公告)号：CN101983223B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200980112061.4

申请日：2009-03-30

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 高村一夫 ,  田中博文

IPC: C08L83/04 ,  C08J9/28 ,  C09D5/25 ,  C09D7/12 ,  C09D183/04 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C08K3/08 ,  C09D7/61 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  H01L2924/0002 ,  C08L83/00 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种组合物，含有烷氧基硅烷化合物的水解产物、下述通式(1)表示的硅氧烷化合物的水解产物、表面活性剂和电负性为2.5以下的元素。通式(1)中，RA及RB分别独立地表示氢原子、苯基、-CaH2a+1基、-(CH2)b(CF2)cCF3基或-CdH2d-1基。其中，RA及RB不同时为氢原子。RC及RD表示将硅原子和氧原子相互连接形成环状硅氧烷结构的单键，或者分别独立地表示氢原子、苯基、-CaH2a+1基、-(CH2)b(CF2)cCF3基或者-CdH2d-1基。a表示1～6的整数，b表示0～4的整数，c表示0～10的整数，d表示2～4的整数，n表示3以上的整数。

公开(公告)号：CN102224577A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201080003315.1

申请日：2010-05-28

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 小野升子 ,  高村一夫

IPC: H01L21/312 ,  C09K3/10 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76829 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76831 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/1073 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体用密封组合物，其可形成薄的树脂层，且可抑制金属成分向多孔的层间绝缘层中扩散，并且配线材料的密接性优异。本发明的半导体用密封组合物是以如下方式而构成：使钠及钾的含量以元素基准计分别为10重量ppb以下的半导体用密封组合物中，含有具有2个以上的阳离子性官能团的重均分子量为2000～100000的树脂，并且通过动态光散射法而测定的体积平均粒径达到10nm以下。

公开(公告)号：CN1681737A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN03821314.1

申请日：2003-09-08

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 高村一夫 ,  大池俊辅 ,  洼田武司 ,  村上雅美 ,  藏野义人

IPC: C01B33/12 ,  H01L21/316 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明为一种主要由Si－O结合构成的多孔质薄膜的改质方法，其将具有1个或1个以上的Si－X－Si结合单元(X表示O、NR、CnH2n或C6H4、R表示CmH2m+1或C6H5、m为1～6的整数、n为1或2)、和2个或2个以上的Si－A结合单元(A表示H、OH、OCeH2e+1或卤原子、e为1～6的整数)(同一分子内的A相同或相异均可)的有机硅化合物与该多孔质薄膜接触，并进行不使用金属催化剂的热处理。由该方法取得的多孔质薄膜，其疏水性和机械强度均相当优异，故可以使用于光机能材料、电子机能材料。尤其是非常适用于半导体用材料，可以适用作为半导体装置的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN1212266C

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN01801051.2

申请日：2001-04-26

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 高村一夫 ,  冈部晃博 ,  窪田武司 ,  蔵野義人 ,  村上雅美

IPC: C01B33/12 ,  C09D183/02 ,  C09D183/08 ,  H01L21/316 ,  H01L21/312

CPC classification number: C01B33/124 ,  B01J20/103 ,  B01J20/2809 ,  B82Y30/00 ,  C01P2002/70 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/16 ,  C01P2006/17 ,  C01P2006/60 ,  C01P2006/80 ,  C01P2006/90 ,  C08J9/0004 ,  C08J2300/14 ,  C09C1/3045 ,  C09D183/02 ,  C09D183/08 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/264 ,  Y10T428/265

Abstract: 合成的孔隙均匀的防水性多孔二氧化硅，该二氧化硅包括硅石骨架，其中氟原子通过共价键固定，并且碱金属含量不超过10ppb。用该防水性多孔二氧化硅，防水性多孔二氧化硅膜具有均匀的孔隙，适用于光功能性材料或电子功能性材料，还提供了该物质的制备方法，和它的用途。

公开(公告)号：CN119654696A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202380056974.9

申请日：2023-07-24

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 茅场靖刚 ,  冈太航 ,  中村雄三 ,  高村一夫 ,  四釜拓生 ,  田村佳保里 ,  古正力亚

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 一种基板层叠体的制造方法及半导体装置，该制造方法具有：工序A，准备具备基板及电极和有机材料层的基板层叠体；工序B，对基板层叠体的具有有机材料层一侧的面进行研磨；及工序C，对研磨后的基板层叠体进行加热。在工序A中准备的基板层叠体中的有机材料层设置于基板的具有电极一侧的面，该有机材料层含有树脂等且固化率小于100％；在将实施工序C前的基板层叠体中的电极与有机材料层的高低差设为a、将实施工序C后的电极与有机材料层的高低差设为b、将实施工序C前的有机材料层的膜厚设为c时，a、b及c满足下述式(1)。〔(b‑a)/c〕＝0.001～0.500(1)。

公开(公告)号：CN117916662A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202280061304.1

申请日：2022-09-12

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 田中博文 ,  小野阳介 ,  石川彰 ,  佐藤靖 ,  石川比佐子 ,  藤村真史 ,  大久保敦 ,  高村一夫

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/20

Abstract: 一种防护膜组件，其具备防护膜组件框、防护膜以及粘着层。粘着层的内壁面和外壁面的至少一者满足下述式(1)。式(1)：([A2s]/[A50s])≤0.97。式(1)中，A2s表示通过飞行时间型二次离子质谱法对粘着层的距表面的深度为第一深度的第一深部进行分析而得的粘着层的主剂成分所含的部分结构的归一化强度。第一深度是通过用氩气团簇离子束即溅射离子枪对表面的600μm见方的区域进行累计2秒照射而形成的。A50s表示通过飞行时间型二次离子质谱法对深度为第二深度的第二深部进行分析而得的粘着层的主剂成分所含的部分结构的归一化强度。第二深度是通过用上述溅射离子枪对上述区域进行累计50秒照射而形成的。

公开(公告)号：CN113917783B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202111214914.4

申请日：2015-09-17

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 高村一夫 ,  种市大树 ,  小野阳介 ,  石川比佐子 ,  美谷岛恒明 ,  大久保敦 ,  佐藤泰之 ,  广田俊明

IPC: G03F1/64 ,  G03F1/48 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供远紫外光光刻用的防护膜组件、其制造方法以及曝光方法。本发明涉及的防护膜组件具备：第1框体，该第1框体配置有防护膜；第2框体，该第2框体具有厚部和第2面，并将上述防护膜和上述第1框体从外侧包围，所述厚部包含第1面，所述第1面承接与上述第1框体的配置有上述防护膜的面相反侧的面，所述第2面与上述第1面连接并承接上述第1框体的侧面；贯通孔，该贯通孔配置在上述第2框体的上述厚部；以及过滤器，该过滤器配置在与配置有上述防护膜的上述第1框体的面交叉的上述第2框体的外侧的侧面，并覆盖上述贯通孔。