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公开(公告)号：CN103477558A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201280018362.2
申请日：2012-07-26
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H04W52/52 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F3/68 , H03F3/72 , H03F2200/111 , H03F2203/7209 , H03G3/3042
Abstract: 本发明提供一种能以较小的面积实现多个检波方式的半导体集成电路装置及高频功率放大器模块。例如，设有：包含多级放大电路(AMP4～AMP1)、多个电平检测电路(DET4～DET1)、加法电路(ADD1、ADD2)等的对数检波部分；以及包含电平检测电路(DET6)等的线性检波部分。而且，将来自对数检波部分的输出电流和来自线性检波部分的输出电流分别乘以不同的系数之后进行相加来实现多个检波方式。具体而言，将来自对数检波部分的输出电流乘以6/5倍所得到的电流与来自线性检波部分的输出电流进行相加等来实现对数检波方式，将来自对数检波部分的输出电流乘以1/5倍所得到的电流与来自线性检波部分的输出电流乘以3倍所得到的电流进行相加等来实现对数-线性检波方式。
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公开(公告)号：CN113472304B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202110329911.9
申请日：2021-03-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明提供一种能够不受反射波的影响并在负载变动时抑制功率增益的功率放大电路。具备：第1放大器，将被供给的第1RF信号放大并输出第2RF信号；第2放大器，将被供给的所述第2RF信号放大并输出第3RF信号；偏置电路，向所述第1放大器或所述第2放大器供给偏置电流或电压；和偏置调整电路，基于所述第1RF信号、所述第2RF信号或所述第3RF信号对所述偏置电流或电压进行调整，所述偏置调整电路包含在阳极被输入表示基于所述第1RF信号、所述第2RF信号或所述第3RF信号的任一者的信号的控制信号且阴极与接地连接的第1二极管，所述偏置电路包含基于所述第1二极管的所述阳极的电压来输出所述偏置电流或电压的偏置晶体管。
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公开(公告)号：CN116581102A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310097476.0
申请日：2023-02-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/538 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，在接合不同的部件的构造中，确保散热性，并且难以产生高频波放大电路的特性劣化、振荡。第二部件的第二面与第一部件的第一面对置。在第二部件中包含高频放大电路。通过配置在第一面与第二面之间的导电性的接合部件将第一部件和第二部件接合。高频放大电路包括：至少一个功率级晶体管；与功率级晶体管连接并向功率级晶体管供给输入信号的输入布线；和与输入布线连接，并包含无源元件、有源元件以及外部连接端子中的至少一个的输入侧电路单元。接合部件包括俯视时包含功率级晶体管的第一导体图案，在俯视时，输入侧电路单元配置在第一导体图案的外侧。
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公开(公告)号：CN110034737B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201811553133.6
申请日：2018-12-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种功率放大电路，提高增益的线性度。功率放大电路具备：将第1信号放大的第1晶体管；将与第1晶体管的输出信号相应的第2信号放大的第2晶体管；向第2晶体管的基极或栅极供给偏置电流或电压的偏置电路；以及根据从偏置电路供给的控制电压而使第1信号或第2信号衰减的衰减器，衰减器包括：阳极被供给控制电压的第1二极管；集电极与第1信号或第2信号的供给路径连接、发射极与接地侧连接、且基极被从第1二极管的阴极供给控制电压的第3晶体管；以及与第1二极管并联连接的电容器，第2信号的功率电平越大，则控制电压越为低电压，第3晶体管根据向基极供给的控制电压，使第1或第2信号的一部分从第3晶体管的集电极流向发射极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110011626B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN201811608279.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种功率放大电路，能够在宽频带适当地放大高频信号。功率放大电路是将发送频带内的高频信号作为放大对象的功率放大电路，具备：放大器，将高频信号的功率放大并输出；偏置电路；和阻抗电路，被连接在放大器的信号输入端与偏置电路的偏置电流输出端之间，具有在发送频带内衰减的频率特性。阻抗电路包含：第一阻抗电路，与信号输入端连接；和第二阻抗电路，被连接在第一阻抗电路与偏置电流输出端之间。
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公开(公告)号：CN114823883A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210311146.2
申请日：2018-09-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L27/102 , H01L29/10 , H01L29/735
Abstract: 本发明提供具有能够使基极层变薄来实现高速化的结构的双极晶体管。在由化合物半导体构成的基板上形成集电极层、基极层以及发射极层。发射极层在俯视时与基极层的边缘相比配置在内侧。在发射极层以及基极层的一部分的区域上配置基极电极以形成在俯视时从发射极层的内侧到达基极层的外侧。在基极层中的不与发射极层重叠的部分和基极电极之间配置绝缘膜。合金层从基极电极在厚度方向上贯通发射极层并到达基极层。合金层包含基极电极的一部分的构成元素、和发射极层以及上述基极层的构成元素。
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公开(公告)号：CN114094957A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202110821912.5
申请日：2021-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种与输出信号的信号电平无关地抑制输出信号的输出相位的变动的射频放大电路。RF放大电路具备：第1放大晶体管，对供给至基极的射频信号进行放大并输出；第1偏置用晶体管，与所述第1放大晶体管进行电流镜连接，对所述第1放大晶体管的基极供给偏置；第2偏置用晶体管，与所述第1放大晶体管的基极进行发射极跟随连接，对所述第1放大晶体管的基极供给偏置；以及第1电容器，具有与所述第1放大晶体管的基极连接的第1端和与所述第2偏置用晶体管的发射极连接的第2端。
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公开(公告)号：CN108511411B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201810131080.2
申请日：2018-02-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/488 , H01L25/00
Abstract: 提供一种即便将保护电路组装到放大电路中也能够抑制芯片面积的增大的半导体装置。在基板形成包括半导体元件的放大电路。形成于基板的保护电路包括相互串联连接的多个保护二极管，并与放大电路的输出端子连接。焊盘导体层在至少一部分包括用于与基板的外部的电路连接的焊盘。俯视情况下，焊盘导体层与保护电路至少局部地重叠。
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公开(公告)号：CN106921352B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201611205001.5
申请日：2016-12-23
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供了抑制效率变差，并且抑制互调失真造成的接收灵敏度降低的功率放大模块。功率放大模块包括：输入第一频带中的第一发送信号的第一输入端子；输入比第一频带高的第二频带中的第二发送信号的第二输入端子；输出将第一发送信号放大后的第一放大信号的第一放大电路；输出将第二发送信号放大后的第二放大信号的第二放大电路；设置在第一输入端子和第一放大电路之间的第一滤波器电路；以及设置在第二输入端子和第二放大电路之间的第二滤波器电路，第一滤波器电路是使第一频带通过，使第一发送信号的高次谐波以及第二发送信号衰减的低通滤波器，第二滤波器电路是使第二频带通过，使第一发送信号衰减的高通滤波器。
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