-
公开(公告)号：CN108206136B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201710769561.1
申请日：2017-08-31
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/331 , H01L29/737
Abstract: 本发明涉及双极型晶体管及其制造方法。同时实现双极型晶体管的集电极电阻的降低和基极‑集电极间电容的降低。双极型晶体管(100)具备将集电极层(3)、基极层(4)以及发射极层(5)依次层叠于子集电极层(2)的构造。在子集电极层(2)形成有集电极电极(9)。在基极层(4)形成有基极电极(10)。集电极层(3)具备配置为从子集电极层侧朝向基极层侧杂质浓度减少的多个杂质层(31、32、33、34)。杂质层(31)是多个杂质层(31、32、33、34)中杂质浓度最大的杂质层，并且与子集电极层(2)接触。杂质层(31)的薄膜电阻是子集电极层(2)的薄膜电阻的9倍以下。
-
公开(公告)号：CN109616516A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811024684.3
申请日：2018-09-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L29/735 , H01L29/10 , H01L27/102
Abstract: 本发明提供具有能够使基极层变薄来实现高速化的结构的双极晶体管。在由化合物半导体构成的基板之上形成集电极层、基极层以及发射极层。发射极层在俯视时与基极层的边缘相比配置在内侧。在发射极层以及基极层的一部分的区域之上配置基极电极以形成在俯视时从发射极层的内侧到达基极层的外侧。在基极层中的不与发射极层重叠的部分和基极电极之间配置绝缘膜。合金层从基极电极在厚度方向上贯通发射极层并到达基极层。合金层包含基极电极的一部分的构成元素、和发射极层以及上述基极层的构成元素。
-
公开(公告)号：CN112531022B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202010985508.7
申请日：2020-09-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L29/08 , H01L23/34
Abstract: 本发明提供一种能够实现SOA的扩大、以及击穿电压的提高的半导体装置。在基板的表层部，设置有具有导电性的子集电极层。在俯视时，在子集电极层的内部，配置有集电极层、基极层、以及发射极层。集电极层与子集电极层连接。在俯视时具有在第一方向上较长的形状的发射极电极配置于与发射极层重叠的位置。在俯视时具有在第一方向上较长的形状的基极电极在与第一方向正交的第二方向上与发射极电极隔着间隔来配置。在俯视时，从发射极电极观察集电极电极配置于第二方向的一侧，而未配置于另一侧。在基极电极的长度方向的两端以外的部位，基极布线与基极电极连接。
-
公开(公告)号：CN113764519B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110929927.3
申请日：2017-02-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L29/15 , H01L29/08 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种抑制电流放大率的降低以及基极‑发射极间反向耐压的降低，并且实现高效率化的HBT。在异质结双极晶体管中，集电极层、基极层、发射极层以及半导体层依次层叠，发射极层包括在上表面层叠有半导体层的第一区域和与第一区域邻接设置且上表面露出的第二区域，对于发射极层的第一区域以及第二区域中的掺杂浓度而言，上表面附近比与基极层的界面附近高。
-
公开(公告)号：CN114520224A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202111273521.0
申请日：2021-10-29
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/02 , H01L27/06 , H01L29/737 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种包含多个半导体元件，且适合小型化的半导体装置。在基板的一个面上在一个方向上排列配置多个晶体管，各晶体管相互并联连接。多个晶体管分别包含从基板侧开始依次层叠的集电极层、基极层以及发射极层。在多个晶体管中相互相邻的两个晶体管之间的区域中的至少一个区域分别配置有无源元件。在多个晶体管中的每个晶体管的集电极层与基板之间配置有与集电极层电连接的集电极电极。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109616516B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201811024684.3
申请日：2018-09-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L29/735 , H01L29/10 , H01L27/102
Abstract: 本发明提供具有能够使基极层变薄来实现高速化的结构的双极晶体管。在由化合物半导体构成的基板之上形成集电极层、基极层以及发射极层。发射极层在俯视时与基极层的边缘相比配置在内侧。在发射极层以及基极层的一部分的区域之上配置基极电极以形成在俯视时从发射极层的内侧到达基极层的外侧。在基极层中的不与发射极层重叠的部分和基极电极之间配置绝缘膜。合金层从基极电极在厚度方向上贯通发射极层并到达基极层。合金层包含基极电极的一部分的构成元素、和发射极层以及上述基极层的构成元素。
-
公开(公告)号：CN114093865A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202110901169.4
申请日：2021-08-06
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/06 , H01L27/082 , H01L29/08 , H01L29/737
Abstract: 本发明提供能够提高负载变动损坏耐性的半导体装置。在基板的表面沿第一方向排列配置的多个单元分别包含至少一个单位晶体管。在相互相邻的两个单元之间分别配置有集电极电极。作为多个单元中的至少一个单元的第一单元包含沿第一方向排列的多个单位晶体管。多个单位晶体管相互并联连接。在第一单元中，多个单位晶体管各自的基极电极和发射极电极沿第一方向排列配置，并且基极电极和发射极电极的排列顺序在多个单位晶体管之间相同。在注目于一个第一单元时，在所注目的第一单元内相互相邻的两个单位晶体管的发射极电极的第一方向上的距离的最大值比所注目的第一单元与和其相邻的单元之间的第一方向上的距离中较短距离的1/2短。
-
公开(公告)号：CN113764519A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110929927.3
申请日：2017-02-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L29/15 , H01L29/08 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种抑制电流放大率的降低以及基极‑发射极间反向耐压的降低，并且实现高效率化的HBT。在异质结双极晶体管中，集电极层、基极层、发射极层以及半导体层依次层叠，发射极层包括在上表面层叠有半导体层的第一区域和与第一区域邻接设置且上表面露出的第二区域，对于发射极层的第一区域以及第二区域中的掺杂浓度而言，上表面附近比与基极层的界面附近高。
-
公开(公告)号：CN113543458A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110399315.8
申请日：2021-04-14
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H05K1/02 , H05K1/18 , H01L23/367 , H03F3/213
Abstract: 本发明提供能够将放大IC稳定地安装于模块基板，并且能够提高从放大IC向模块基板的散热性的放大模块。安装于层叠基板的放大IC具备输入端子、输出端子及共用端子。层叠基板具备基板侧的共用端子、输入端子及输出端子。这些端子经由凸块与元件侧的对应的端子连接。在层叠基板的下表面，在俯视时与共用端子重叠的位置配置有下表面共用端子。从共用端子朝向下表面共用端子依次配置有第一、第二、第三共用导通孔导体。在基板侧的输入端子连接有输入导通孔导体。第一共用导通孔导体的俯视时的面积比第二、第三共用导通孔导体以及输入导通孔导体中的任何一个的俯视时的面积大。共用端子的凸块的俯视时的面积比输入端子的凸块的俯视时的面积大。
-
公开(公告)号：CN113421918A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110539770.3
申请日：2018-02-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L29/417 , H01L29/08
Abstract: 本发明提供一种能够维持较高的线性效率以及较高的线性输出的异质结双极晶体管。HBT的集电极层包含高浓度集电极层和配置于其上的低浓度集电极层。低浓度集电极层包含随着远离基极层而能带隙变窄地变化的渐变集电极层。基极层的半导体材料的电子亲和力比渐变集电极层的能带隙最大的位置处的半导体材料的电子亲和力大，它们的差为0.15eV以下。渐变集电极层具有在使电场强度变化时，在某个电场强度下电子的移动速度示出峰值的特性。由渐变集电极层的能带隙的变化引起而作用于电子的伪电场的强度是电子的移动速度示出峰值的电场强度亦即峰值电场强度的0.3倍以上1.8倍以下。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
56
records
(took 0.028 seconds)
