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公开(公告)号：CN116339001A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211650063.2
申请日：2022-12-21
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1333 , G02F1/136 , G02F1/1362 , G02F1/1335
Abstract: 一个实施方式的显示装置具备：被供给影像信号的信号线；与所述信号线交叉并且被供给扫描信号的扫描线；与所述信号线连接并且至少一部分与所述扫描线相对置的半导体层；覆盖所述半导体层的第1绝缘层；配置在所述第1绝缘层的上方的彩色滤光片；配置在所述彩色滤光片的上方并且与所述彩色滤光片相对置的像素电极；以及公共电极，其形成与该公共电极和所述像素电极之间的电位差相应的电场。所述第1绝缘层具有用于将所述半导体层与所述像素电极连接的第1接触孔。所述第1接触孔设于在俯视下从所述彩色滤光片错开的位置。
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公开(公告)号：CN110045535B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201910037539.7
申请日：2019-01-15
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1333 , G02F1/133
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置及其制造方法。本发明的课题为实现柔性的液晶显示装置。本发明的解决手段为液晶显示装置，其为将液晶(300)夹持于显示区域与由树脂形成的对置基板(200)之间而成的液晶显示装置，所述显示区域在包含无机绝缘膜的TFT布线层(60)上形成有多个具有TFT的像素，所述液晶显示装置的特征在于，在所述TFT布线层(60)上粘接有下偏振片(401)，夹持所述液晶(300)而在所述对置基板(200)上粘接有上偏振片(402)。
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公开(公告)号：CN107346083B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201710267224.2
申请日：2017-04-21
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/32
Abstract: 本发明涉及显示装置。本发明的技术课题为可以在同一基板内形成LTPS TFT和TAOS TFT。其为包含具有形成有像素的显示区域的基板的显示装置，其特征在于，所述像素包含使用了TAOS的第一TFT，在所述第一TFT的漏极上形成有第一LTPS(112)，在所述第一TFT的源极上形成有第二LTPS(113)，所述第一LTPS(112)经由在覆盖所述第一TFT的绝缘膜(105)中形成的第一通孔(108)而与第一电极(106)连接，所述第二LTPS(113)经由在覆盖所述第二TFT的绝缘膜中形成的第二通孔(108)而与第二电极(107)连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107403869A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710353681.3
申请日：2017-05-18
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L51/50 , H01L51/52 , G02F1/1333
Abstract: 本发明涉及显示装置。本发明要解决的课题为改善针对水分的阻隔特性，从而实现可靠性高的有机EL显示装置。本发明的解决手段为一种有机EL显示装置，其特征在于，是在基板(100)上形成TFT、在所述TFT之上形成有机EL层(112)的有机EL显示装置，在所述有机EL层(112)之上形成保护层(114)，在所述基板(100)与所述TFT之间形成有包含AlOx的第一阻隔层(10)。
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公开(公告)号：CN107346083A
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201710267224.2
申请日：2017-04-21
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/32
Abstract: 本发明涉及显示装置。本发明的技术课题为可以在同一基板内形成LTPS TFT和TAOS TFT。其为包含具有形成有像素的显示区域的基板的显示装置，其特征在于，所述像素包含使用了TAOS的第一TFT，在所述第一TFT的漏极上形成有第一LTPS(112)，在所述第一TFT的源极上形成有第二LTPS(113)，所述第一LTPS(112)经由在覆盖所述第一TFT的绝缘膜(105)中形成的第一通孔(108)而与第一电极(106)连接，所述第二LTPS(113)经由在覆盖所述第二TFT的绝缘膜中形成的第二通孔(108)而与第二电极(107)连接。
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公开(公告)号：CN105448934A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510991864.9
申请日：2013-07-18
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77 , H01L29/06
CPC classification number: H01L33/0041 , H01L21/77 , H01L27/1225 , H01L29/7869 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1259 , H01L29/06 , H01L29/0603 , H01L29/786
Abstract: 本发明的显示装置及其制造方法的目的在于防止因入射光导致的可靠性降低以及绝缘耐压降低。栅极绝缘膜(30)随着栅电极(26)的表面形状而具有凸部(32)，具有高度从栅电极的周缘沿着栅电极的表面而变化的层差部(34)。氧化物半导体层(40)以具有晶体管构成用区域(42)和覆盖区域(50)的方式设置在栅极绝缘膜上，晶体管构成用区域是连续一体地具有沟道区域、源极区域以及漏极区域的区域，覆盖区域是与晶体管构成用区域分离并覆盖栅极绝缘膜的层差部的区域。在氧化物半导体层的沟道区域上设置有沟道保护层。与氧化物半导体层的源极区域以及漏极区域接触地设置有源电极以及漏电极。在源电极以及漏电极上设置有钝化层。
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公开(公告)号：CN103515395A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310237104.X
申请日：2013-06-08
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/1244 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L27/3244
Abstract: 本发明提供一种显示装置，具有：在透明基板上形成的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘膜、在栅极绝缘膜上形成的氧化物半导体、夹着氧化物半导体的沟道区域并分离地形成的漏电极以及源电极、覆盖漏电极以及源电极的层间电容膜、在层间电容膜上形成的公共电极、以及与公共电极相对地形成的像素电极，该显示装置的特征在于，在氧化物半导体与漏电极以及源电极之间，形成覆盖所述沟道区域的蚀刻阻止层，漏电极是透明导电膜和金属膜层叠而成的层叠膜，漏电极以及源电极与氧化物半导体直接接触。
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公开(公告)号：CN207381400U
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201721172053.7
申请日：2017-09-13
Applicant: 株式会社日本显示器
CPC classification number: H01L27/1251 , G02F1/134363 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2001/13685 , G02F2202/104 , G03F7/00 , H01L21/02532 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02675 , H01L27/1218 , H01L27/1225 , H01L27/1229 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/127 , H01L27/1274 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/66969 , H01L29/78675 , H01L29/78693 , H01L2227/323
Abstract: 本实用新型涉及显示装置。本实用新型要解决的课题为能够在同一基板内形成LTPSTFT和氧化物半导体TFT。解决手段为一种显示装置，其为在基板(100)上形成有具有氧化物半导体层(102)的第一TFT、和具有Poly‑Si层(106)的第二TFT的显示装置，显示装置的特征在于，在基板(100)上形成基膜(101)，在基膜(101)上方形成氧化物半导体层(102)，在氧化物半导体层(102)上方形成第一层间绝缘膜(105)，在所述第一层间绝缘膜(105)上方形成所述Poly‑Si层(106)。
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