公开(公告)号：CN107507835B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201710446477.6

申请日：2017-06-14

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 羽生有一郎 ,  渡边裕一

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/1345

Abstract: 半导体装置包括：第1绝缘膜(11)；由多晶硅形成的第1半导体层(SC1)；由氧化物半导体形成的第2半导体层(SC2)；第2绝缘膜(12)；第1栅极电极(GE1)；第2栅极电极(GE2)；由硅氮化物形成的第3绝缘膜(13)；及保护层(20)。所述保护层，位于所述第2绝缘膜与所述第3绝缘膜之间，与所述第2半导体层对置，由铝氧化物或氟化硅氮化物形成。

公开(公告)号：CN107507835A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710446477.6

申请日：2017-06-14

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 羽生有一郎 ,  渡边裕一

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/1345

Abstract: 半导体装置包括：第1绝缘膜(11)；由多晶硅形成的第1半导体层(SC1)；由氧化物半导体形成的第2半导体层(SC2)；第2绝缘膜(12)；第1栅极电极(GE1)；第2栅极电极(GE2)；由硅氮化物形成的第3绝缘膜(13)；及保护层(20)。所述保护层，位于所述第2绝缘膜与所述第3绝缘膜之间，与所述第2半导体层对置，由铝氧化物或氟化硅氮化物形成。

公开(公告)号：CN207381400U

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201721172053.7

申请日：2017-09-13

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 铃村功 ,  渡壁创 ,  花田明纮 ,  渡边裕一

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1251 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2202/104 ,  G03F7/00 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78693 ,  H01L2227/323

Abstract: 本实用新型涉及显示装置。本实用新型要解决的课题为能够在同一基板内形成LTPSTFT和氧化物半导体TFT。解决手段为一种显示装置，其为在基板(100)上形成有具有氧化物半导体层(102)的第一TFT、和具有Poly‑Si层(106)的第二TFT的显示装置，显示装置的特征在于，在基板(100)上形成基膜(101)，在基膜(101)上方形成氧化物半导体层(102)，在氧化物半导体层(102)上方形成第一层间绝缘膜(105)，在所述第一层间绝缘膜(105)上方形成所述Poly‑Si层(106)。