公开(公告)号：CN101527282A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200810183698.X

申请日：2008-12-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤川最史 ,  千叶阳子

IPC: H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于：在以边缘场切换模式驱动的液晶显示装置的制造方法中，通过缩减光掩模数来实现制造步骤的简化和制造成本的缩减。其包括如下步骤：在具有透光性的绝缘衬底上按顺序层叠形成第一透明导电膜及第一金属膜；使用第一光掩模的多级灰度掩模加工第一透明导电膜及第一金属膜的形状；按顺序层叠形成绝缘膜、第一半导体膜、第二半导体膜、第二金属膜；使用第二光掩模的多级灰度掩模加工第二金属膜、第二半导体膜的形状；形成保护膜；使用第三光掩模加工保护膜的形状；形成第二透明导电膜；以及使用第四光掩模加工第二透明导电膜的形状。

公开(公告)号：CN100481465C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200510089480.4

申请日：2001-12-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  桑原秀明 ,  藤川最史

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

Abstract: 在诸如液晶显示设备的显示设备中，在低功耗下实现大尺寸显示屏幕。在有源矩阵型液晶显示设备中使用的一个像素部分的源布线的表面通过电镀处理操作的方式处理，以便降低这一源布线的电阻值。像素部分的源布线在和制造驱动电路部分的源布线的步骤不同的步骤中制造。另外，端子部分的电极用电镀处理操作处理，以便减小其电阻值。

公开(公告)号：CN101236973A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810004494.5

申请日：2008-01-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄 ,  藤川最史

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1237 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/127

Abstract: 本发明的课题为如下：在制造具有n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管的半导体装置的情况下，减少TFT的不均匀。此外，掩模数量的缩减、制造工序数量的减少、以及制造工序期间的缩短。本发明是一种半导体装置的制造方法，其中在形成第一薄膜晶体管的岛状半导体层之后，形成第二薄膜晶体管的岛状半导体层，并且当形成所述第二薄膜晶体管的岛状半导体层之际，将与所述第二薄膜晶体管的岛状半导体层接触的栅绝缘膜兼用作所述第一薄膜晶体管的岛状半导体层的保护膜(蚀刻停止膜)。

公开(公告)号：CN101000907A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200710003898.8

申请日：2007-01-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄 ,  藤川最史 ,  冈本知广

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/13 ,  H01L23/488 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  G06K19/077

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L25/18 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2224/95122 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15155 ,  H01L2924/15156 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种低成本且高通用性的半导体器件及其制造方法，以及提高了成品率的半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件具有如下结构，即包括具有多个不同形状或不同大小的凹部的基体、以及配置在凹部中且适合于凹部的多个IC芯片。可以通过使用具有多个凹部的基体和适合于凹部的IC芯片，以低成本制造选择性地装上适合用途的功能的半导体器件。