公开(公告)号：CN100565309C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200610099773.5

申请日：2006-06-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤川最史 ,  细谷邦雄

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/133345 ,  G02F2001/136222

Abstract: 在本发明中，目的是提供一种液晶显示器件及其制造方法，其中，在固定有源矩阵衬底和反衬底时无须精确的位置对准，且不影响电场从电极施加到液晶。根据本发明的一个特点，用有源矩阵衬底来形成液晶显示器件，其中，包括多个TFT、布线等的驱动电路以及包括多个TFT、布线、象素电极等的象素部分，被形成在配备有遮光膜和成色膜的衬底上，且液晶显示器件具有液晶被注入在有源矩阵衬底与反衬底之间的结构。

公开(公告)号：CN101577280A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200910006746.2

申请日：2009-02-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄 ,  藤川最史 ,  铃木幸惠

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/60 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/0296 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248

Abstract: 本发明提供一种显示装置。本发明的目的在于减少保护电路的占有面积。本发明的目的还在于提高含保护电路的显示装置的可靠性。本发明的保护电路包括衬底上的第一布线、第一布线上的绝缘膜以及绝缘膜上的第二布线。

公开(公告)号：CN101236973A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810004494.5

申请日：2008-01-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄 ,  藤川最史

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1237 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/127

Abstract: 本发明的课题为如下：在制造具有n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管的半导体装置的情况下，减少TFT的不均匀。此外，掩模数量的缩减、制造工序数量的减少、以及制造工序期间的缩短。本发明是一种半导体装置的制造方法，其中在形成第一薄膜晶体管的岛状半导体层之后，形成第二薄膜晶体管的岛状半导体层，并且当形成所述第二薄膜晶体管的岛状半导体层之际，将与所述第二薄膜晶体管的岛状半导体层接触的栅绝缘膜兼用作所述第一薄膜晶体管的岛状半导体层的保护膜(蚀刻停止膜)。

公开(公告)号：CN101000907A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200710003898.8

申请日：2007-01-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄 ,  藤川最史 ,  冈本知广

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/13 ,  H01L23/488 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  G06K19/077

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L25/18 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2224/95122 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15155 ,  H01L2924/15156 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种低成本且高通用性的半导体器件及其制造方法，以及提高了成品率的半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件具有如下结构，即包括具有多个不同形状或不同大小的凹部的基体、以及配置在凹部中且适合于凹部的多个IC芯片。可以通过使用具有多个凹部的基体和适合于凹部的IC芯片，以低成本制造选择性地装上适合用途的功能的半导体器件。

公开(公告)号：CN103035876B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201210367335.8

申请日：2012-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田岛亮太 ,  细谷邦雄 ,  长多刚 ,  小国哲平 ,  山崎舜平

IPC: H01M4/02

CPC classification number: H01M4/134 ,  H01M2/1673 ,  H01M2/18 ,  H01M4/366 ,  H01M4/587 ,  H01M4/625 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/025 ,  H01M2004/027

Abstract: 本发明的课题是提供一种充放电容量大、能够进行急速的充放电且充放电所导致的电池特性的劣化少的蓄电装置。本发明是一种蓄电装置，其中负极包括具有多个柱状突起物的活性物质，并且垂直于柱状突起物的轴的截面形状为如十字形、H字形、L字形、I字形、T字形、U字形、Z字形那样的多角形状或包括曲线的多角形状。具有多个柱状突起物的活性物质也可以被石墨烯覆盖。

公开(公告)号：CN102707529B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201210216767.9

申请日：2009-03-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄

IPC: G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136227

Abstract: 本发明涉及显示装置及电子设备。在像素部中使用第二导电膜形成扫描信号线以及辅助电容线并使用第一导电膜形成数据信号线。在TFT部中，使用第一导电膜形成栅电极并使其通过栅极绝缘膜中的开口部与使用第二导电膜形成的扫描信号线电连接。使用第二导电膜形成源电极以及漏电极。在辅助电容部中，将使用第二导电膜形成的辅助电容线用作下部电极，并将像素电极作为上部电极，将钝化膜用作介电薄膜夹在电容电极之间。

公开(公告)号：CN103259049A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310051888.7

申请日：2013-02-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄 ,  田岛亮太

IPC: H01M10/0587

CPC classification number: Y02E60/122 ,  Y02T10/7011

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种能够弯曲的薄片状的蓄电装置。该蓄电装置包括夹着隔离体卷绕有正极和负极的多个卷绕部以及由正极和负极分别延伸到多个卷绕部的外部的部分构成的联结部，其中，多个卷绕部通过联结部串联连接，并且，通过使联结部弯曲而使蓄电装置具有柔性。

公开(公告)号：CN103257491A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310159591.2

申请日：2007-09-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤川最史 ,  细谷邦雄

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1335 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/13394 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/1362

Abstract: 当在与TFT重叠的区域中提供柱状间隔物时，存在如下考虑，在使一对基板相互附连时，将施加压力，该压力可能导致TFT受到不利影响并且形成裂纹。在与TFT重叠的位置形成的柱状间隔物下面由无机材料形成伪层。该伪层位于与TFT重叠的位置，由此分散和减轻了在附连基板对的步骤中施加到TFT的压力。该伪层优选地由与像素电极相同的材料形成使得在不增加处理步骤数目的情况下形成它。

公开(公告)号：CN103151553A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210518764.0

申请日：2012-12-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄 ,  木村邦夫

IPC: H01M10/052 ,  H01M10/0587 ,  H01M10/0525 ,  H01M4/13

CPC classification number: H01M10/0431 ,  H01M4/38 ,  H01M4/386 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0587 ,  H01M2002/0205 ,  H01M2220/20 ,  H01M2220/30 ,  Y02E60/122 ,  Y02T10/7011

Abstract: 本发明的一个方式提供一种不降低充放电容量且可靠性高的方形锂二次电池。本发明的一个方式是一种方形锂二次电池，包括：卷绕体，在该卷绕体中集合片夹着第二隔离体而卷绕，该集合片包含夹着第一隔离体而重叠的正极片及负极片，正极片及负极片在各自的集电体的双面具有活性物质混合剂层，正极片和负极片中的至少一个的一面或双面的活性物质混合剂层包括具有多个开口部的区域及没有开口部的区域，具有多个开口部的区域覆盖集合片的至少弯曲部。

公开(公告)号：CN101013707B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200710007396.2

申请日：2007-01-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1345 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L23/522 ,  G09F9/30

CPC classification number: G02F1/133305 ,  G02F1/133308 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/13452 ,  G02F2001/13456

Abstract: 本发明的目的在于提供一种显示器件，该显示器件将在有源矩阵衬底上形成引导布线而导致的衬底上的边框部分的扩大抑制为最低限度，来实现窄边框化。在本发明之一的显示器件中，在相对配置的一对衬底中至少具有像素部分的有源矩阵衬底的端部处形成倒角部分，并且通过形成在倒角部分中的公共布线电连接有源矩阵衬底上的布线(源极线、栅极线、存储电容线、引出线等)。