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公开(公告)号：CN102646793B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201210123886.X
申请日：2006-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0024 , H01L27/3281 , H01L51/0021 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于以高成品率地制作半导体器件，该半导体器件在挠性基板上设置有包括含有有机化合物的层的元件。本发明是一种半导体器件的制作方法，包括如下步骤：在基板上形成剥离层；在剥离层上形成无机化合物层、第一导电层、以及含有有机化合物的层，并且形成与含有有机化合物的层以及无机化合物层接触的第二导电层，以形成元件形成层；以及在第二导电层上贴合具有挠性的第一基板，然后剥离剥离层和元件形成层。
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公开(公告)号：CN1992351B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN200610167595.5
申请日：2006-12-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 浅见良信
IPC: H01L29/788 , H01L29/423 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L21/28273 , H01L21/84 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L27/1266 , H01L27/13 , H01L29/66825 , H01L2029/7863
Abstract: 提供了这样一种半导体器件及其制造方法，它在不导致形成控制栅电极过程中的未对准问题并且不产生控制栅电极与浮动栅电极之间的泄漏的情况下以自对准方式形成。该半导体器件包括半导体膜、该半导体膜上的第一栅绝缘膜、该第一栅绝缘膜上的浮动栅电极、覆盖该浮动栅电极的第二栅绝缘膜、以及该第二栅绝缘膜上的控制栅电极。该控制栅电极被形成为覆盖该浮动栅电极，并且它们之间插入第二栅绝缘膜，该控制栅电极设有侧壁，且该侧壁形成于控制栅电极中由于浮动栅电极而产生的阶梯部分上。
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公开(公告)号：CN103219398A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310017189.0
申请日：2013-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/0352 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/02245 , H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/074 , Y02E10/547
Abstract: 本发明的一个方式提供一种具有不需要用来与电极连接的开口部的钝化膜的光电转换装置。一种光电转换装置，该光电转换装置在一对电极之间包括：具有p型导电型的硅衬底；形成在硅衬底的一方的面一侧的与一对电极的一方接触的具有n型导电型的硅半导体层；以及形成在硅衬底的另一方的面一侧的与一对电极的另一方接触的具有p型导电型的氧化物半导体层。作为该氧化物半导体层，使用以属于第4族至第8族的金属的氧化物为主要成分且带隙为2eV以上的无机化合物。
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公开(公告)号：CN101043039B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200710087895.7
申请日：2007-03-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/49 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/1237 , G11C16/349 , H01L21/28273 , H01L21/84 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/1203 , H01L27/1214 , H01L29/42324 , H01L29/66825 , H01L29/78696 , H01L29/7881
Abstract: 非易失性半导体存储装置提供在彼此相离而形成的一对杂质区域之间具有沟道形成区域的半导体层，并且在所述半导体层上提供第一绝缘层、浮动栅、第二绝缘层、以及控制栅。形成浮动栅的半导体材料的带隙优选小于半导体层的带隙。形成浮动栅的半导体材料中的沟道形成区域的带隙和半导体层的带隙之间优选有0.1eV或更大的差距，并且前者小于后者。
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公开(公告)号：CN1925187B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200610129024.2
申请日：2006-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0024 , H01L27/3281 , H01L51/0021 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的在于以高成品率地制作半导体器件，该半导体器件在挠性基板上设置有包括含有有机化合物的层的元件。本发明是一种半导体器件的制作方法，包括如下步骤：在基板上形成剥离层；在剥离层上形成无机化合物层、第一导电层、以及含有有机化合物的层，并且形成与含有有机化合物的层以及无机化合物层接触的第二导电层，以形成元件形成层；以及在第二导电层上贴合具有挠性的第一基板，然后剥离剥离层和元件形成层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1925140B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610128855.8
申请日：2006-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/1244 , H01L27/1266 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/78603
Abstract: 本发明的目的是高产率地制造半导体器件，在所述半导体器件内，在柔性基底上提供具有含有机化合物的层的元件。制造半导体器件的方法包括：在基底上形成分离层；通过在分离层上形成无机化合物层、第一导电层，和含有机化合物的层，并形成与含有机化合物的层和无机化合物层接触的第二导电层，从而产生形成元件的层；和在将第一柔性基底固定在第二导电层上之后，在分离层处将分离层与形成元件的层分离。
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公开(公告)号：CN101047192A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710092146.3
申请日：2007-04-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/42324 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L29/7883
Abstract: 本发明目的在于提供一种在写性质和电荷保持特性方面优异的非易失性半导体存储器件。提供其中在一对杂质区之间形成沟道形成区的半导体衬底，并在半导体衬底上方提供第一绝缘层、浮栅电极、第二绝缘层和控栅电极。浮栅电极至少包括两层。优选与第一绝缘层接触的第一浮栅电极的能带隙比半导体衬底的小。还优选第二浮栅电极由金属材料、合金材料或金属化合物材料形成。这是因为，通过降低浮栅电极导带的底能级比半导体衬底中的沟道形成区的低，可以提高载流子注入特性和电荷保持特性。
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公开(公告)号：CN101043038A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710087894.2
申请日：2007-03-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/49 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/115 , G11C16/0416 , G11C16/0433 , G11C16/0483 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/1214 , H01L29/7881
Abstract: 本发明的目的在于提供一种写入特性及电荷保持特性优越的非易失性半导体存储装置。在本发明中，提供在彼此相离而形成的一对杂质区域之间具有沟道形成区域的半导体层，并且在其上层部分提供第一绝缘层、浮动栅、第二绝缘层、以及控制栅。浮动栅至少为二层结构，与第一绝缘层接触的第一层优选小于半导体层的带隙。这是为了通过使浮动栅的传导带的底部的能级低于半导体层的沟道形成区域的传导带的底部的能级，而提高载流子注入性且提高电荷保持特性。
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公开(公告)号：CN1925187A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610129024.2
申请日：2006-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0024 , H01L27/3281 , H01L51/0021 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的在于以高成品率地制作半导体器件，该半导体器件在挠性基板上设置有包括含有有机化合物的层的元件。本发明是一种半导体器件的制作方法，包括如下步骤：在基板上形成剥离层；在剥离层上形成无机化合物层、第一导电层、以及含有有机化合物的层，并且形成与含有有机化合物的层以及无机化合物层接触的第二导电层，以形成元件形成层；以及在第二导电层上贴合具有挠性的第一基板，然后剥离剥离层和元件形成层。
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公开(公告)号：CN110402497B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201880017617.0
申请日：2018-03-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 浅见良信
IPC: H01L29/786 , H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H10B41/70 , H10B12/00 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置及半导体装置的制造方法。该半导体装置包括第一绝缘体、第一绝缘体上的氧化物、氧化物上的第二绝缘体以及第一及第二导电体、第二绝缘体上的第三导电体、第一导电体上的第四导电体、第二导电体上的第五导电体、第一绝缘体以及第一及第二导电体上的第三绝缘体、第二及第三绝缘体及第三导电体上的第四绝缘体、以及第四绝缘体上的第五绝缘体，第一和第二导电体以夹着第二绝缘体彼此相对的方式设置，第二绝缘体沿着设置在第三绝缘体中的开口的内壁、第一和第二导电体彼此相对的侧面及氧化物的顶面设置，使第三导电体的顶面的高度高于第二及第三绝缘体的顶面的高度，第四绝缘体沿着第二及第三绝缘体的顶面以及第三导电体的顶面及侧面设置。
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