公开(公告)号：CN107180941B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201710273113.2

申请日：2012-12-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 挂端哲弥 ,  田岛亮太 ,  小国哲平 ,  长多刚 ,  山崎舜平 ,  足立骏介 ,  广桥拓也

IPC: H01M4/04 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/36 ,  H01M4/62 ,  H01M4/66 ,  H01M4/70 ,  B82Y30/00 ,  H01M4/02 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明的一个方式提供一种锂二次电池，在该锂二次电池中，充放电容量大，能够进行急速充放电，且充放电所导致的电池特性的劣化少。一种负极，该负极包括集电体及负极活性物质层，其中，集电体具有在实质上垂直的方向延伸的多个突起部及与多个突起部连接的基础部，突起部及基础部包括含有钛的共同材料，并且，基础部的顶面及突起部的至少侧面被负极活性物质层覆盖。另外，负极活性物质也可以被石墨烯覆盖。

公开(公告)号：CN103151492B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201210556275.4

申请日：2012-12-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 挂端哲弥 ,  田岛亮太 ,  小国哲平 ,  长多刚 ,  山崎舜平 ,  足立骏介 ,  广桥拓也

IPC: H01M4/13 ,  H01M4/66 ,  H01M4/70 ,  H01M4/139 ,  H01M10/052

CPC classification number: H01M4/70 ,  B82Y30/00 ,  H01M4/045 ,  H01M4/0457 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/62 ,  H01M4/625 ,  H01M4/661 ,  H01M4/662 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/027

Abstract: 本发明的一个方式提供一种锂二次电池，在该锂二次电池中，充放电容量大，能够进行急速充放电，且充放电所导致的电池特性的劣化少。一种负极，该负极包括集电体及负极活性物质层，其中，集电体具有在实质上垂直的方向延伸的多个突起部及与多个突起部连接的基础部，突起部及基础部包括含有钛的共同材料，并且，基础部的顶面及突起部的至少侧面被负极活性物质层覆盖。另外，负极活性物质也可以被石墨烯覆盖。

公开(公告)号：CN101409216B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200810166535.0

申请日：2008-10-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  挂端哲弥 ,  下村明久 ,  笹川慎也 ,  仓田求

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种半导体衬底的制造方法，该半导体衬底具备即使是在使用玻璃衬底等耐热温度低的衬底的情况下、也可以实际使用的单晶半导体层。通过激发源气体产生等离子体，从单晶半导体衬底的一个表面添加等离子体中所包含的离子种，从而形成损伤区域；在单晶半导体衬底的一个表面上形成绝缘层；以中间夹着绝缘层的方式而将支撑衬底与单晶半导体衬底紧贴，以使其面对单晶半导体衬底；通过加热单晶半导体衬底，在损伤区域中进行分离，将它分离成贴合有单晶半导体层的支撑衬底和单晶半导体衬底；对贴合在支撑衬底上的单晶半导体层的表面进行干法刻蚀；通过对单晶半导体层照射激光束，使单晶半导体层的至少一部分熔化，从而使单晶半导体层再单晶化。

公开(公告)号：CN1873933B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200610092457.5

申请日：2006-06-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  挂端哲弥 ,  大沼英人 ,  永井雅晴 ,  纳光明 ,  坂仓真之 ,  小森茂树

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1288

Abstract: 提供一种具有高工作性能和高可靠性的电路的半导体器件，并提高了半导体器件的可靠性，从而提高具有该半导体器件的电子设备的可靠性。上述目标通过结合下面的步骤来实现，即在沿一个方向扫描的同时，通过用连续波激光束或重复频率为10MHz或更大的脉冲激光束的辐射来使半导体层结晶的步骤；使用包括辅助图形的光掩膜或掩膜原版的光刻步骤，所述辅助图形由具有降低光强度功能的衍射光栅图形或半透射膜构成；以及通过使用具有低电子温度的高密度等离子体，对半导体膜、绝缘膜或导电膜的表面进行氧化、氮化或表面改性的步骤。

公开(公告)号：CN101409216A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810166535.0

申请日：2008-10-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  挂端哲弥 ,  下村明久 ,  笹川慎也 ,  仓田求

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种半导体衬底的制造方法，该半导体衬底具备即使是在使用玻璃衬底等耐热温度低的衬底的情况下、也可以实际使用的单晶半导体层。通过激发源气体产生等离子体，从单晶半导体衬底的一个表面添加等离子体中所包含的离子种，从而形成损伤区域；在单晶半导体衬底的另一个表面上形成绝缘层；以中间夹着绝缘层的方式而将支撑衬底与单晶半导体衬底紧贴，以使其面对单晶半导体衬底；通过加热单晶半导体衬底，在损伤区域中进行分离，将它分离成贴合有单晶半导体层的支撑衬底和单晶半导体衬底；对贴合在支撑衬底上的单晶半导体层的表面进行干法刻蚀；通过对单晶半导体层照射激光束，使单晶半导体层的至少一部分熔化，从而使单晶半导体层再单晶化。

公开(公告)号：CN1577767A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410061738.5

申请日：2004-06-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  挂端哲弥 ,  竹原裕一

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/311 ,  G02F1/136 ,  H05B33/00 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/5228 ,  H01L51/5253

Abstract: 本发明提供通过等离子体CVD形成氮化硅膜的方法，该氮化硅膜可以形成在热敏元件上以及电致发光元件上，并具有优良的阻挡特性。此外，本发明也提供了使用该氮化硅膜形成的半导体器件、显示器件和发光显示器件。在通过等离子体CVD形成氮化硅膜的方法中，在沉积过程中将硅烷(SiH4)、氮气(N2)和稀有气体引入沉积室中，并且反应压强在0.01Torr～0.1Torr的范围内。