公开(公告)号：CN1881568A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610103003.3

申请日：1994-05-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦 ,  宫永昭治

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

Abstract: 在除图象元素部分之外的无定形硅薄膜上，在预定的外围电路部分的区域内引入镍，以从该区域结晶。在栅电极和其他电极形成之后，用掺杂法形成源、漏和沟道，用激光照射改善结晶。之后，形成电极/引线。因此，获得有源矩阵型液晶显示器，它的外围电路部分中的薄膜晶体管(TFT)，由结晶薄膜构成，其晶体在平行于载流子流的方向里生长，在图象元素部分里的TFTs由无定形硅薄膜构成。

公开(公告)号：CN1230919C

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN00103638.6

申请日：1995-06-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 竹村保彦 ,  滨谷敏次 ,  小沼利光 ,  小山润 ,  河崎祐司 ,  张宏勇 ,  山崎舜平

IPC: H01L31/12 ,  H01L27/15 ,  G09F9/30 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/13624 ,  G02F2001/13685 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2320/0214 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种减小有源矩阵显示器的截止电流的结构。在有源矩阵显示器中，多个TFT与每一个象素电极串联连接。在这些串联的TFT中，除了位于相对两端的TFT以外，至少要将一个TFT保持在导通状态。另外，至少要将一个电容器连接在串联连接的每个TFT的源极和漏极的结合部与交流接地点之间。于是，减小了在TFT截止期间从附加电容器释放的电荷量。

公开(公告)号：CN1560691A

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：CN200410058974.1

申请日：1993-08-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/28158 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种高产率制造高性能的可靠的半导体器件的低温方法，包括：以TEOS作为原材料，在氧、臭氧或氧化氮气氛中，在设于绝缘衬底上的半导体涂层上，通过化学汽相淀积形成氧化硅薄膜作为栅绝缘膜；并用脉冲激光束或强光辐照，以除去诸如碳或烃基团，从而消除氧化硅薄膜中的捕获中心。另一种方法包括将氮离子注入氧化硅薄膜中然后用红外光使薄膜退火，从而获得作为栅绝缘膜的氮氧化硅膜，此膜结构致密、介电常数高和耐压得到改善。

公开(公告)号：CN1178279C

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN99124885.6

申请日：1999-08-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/78675 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 薄膜半导体器件，例如TFT及其制造方法。TFT形成在绝缘衬底上。在该衬底上先形成基本上为非晶半导体涂层。再在该涂层上形成对激光辐射透明的保护涂层。用激光辐射照射该叠层，以改善半导体涂层的结晶度。然后，除去保护涂层使半导体涂层的表面露出。形成栅绝缘膜的涂层，随后形成栅电极。还涉及在绝缘衬底上制造半导体器件，例如TFT。形成主要由氮化铝组成第1涂层后，再形成主要由氧化硅组成的第2涂层，其上可制作半导器件。

公开(公告)号：CN1161638C

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN97111285.1

申请日：1997-04-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  福永健司

IPC: G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/13392 ,  G02F1/1341 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/133388

Abstract: 本发明提供了一种制造高像质液晶显示装置的技术，根据像素间距的宽度限定保持液晶层的单元间距的设定范围，尤其，设定单元间距的宽度为像素间距的十分之一，从而可获得高像质的液晶显示装置，它不会产生由于电场影响而引起的像显示失败，例如畸变。

公开(公告)号：CN1160759C

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN99121306.8

申请日：1994-07-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  大沼英人 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/004 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/06

Abstract: 将图形转移到经退火而结晶的硅膜上之后，经强射线短时间辐照使硅膜退火。具体地讲，在退火结晶工艺中，将促进结晶化的元素如镍掺入其内。用强射线辐照也使退火未结晶的区区结晶，形成致密的硅膜。在掺入促进结晶化的金属元素之后，在含卤化物的气氛中对退火而结晶的硅膜进行强射线辐照，完成光的短时间辐照。在卤化气氛中经强射线辐照或加热使硅膜表面氧化，在硅膜上形成氧化膜，然后腐蚀掉氧化膜。结果去掉硅膜中的镍。

公开(公告)号：CN1157759C

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN99126727.3

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L27/1277 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686

Abstract: 本发明的制造半导体器件的方法由形成非晶硅膜着手，然后，如此形成含至少一种催化元素的第二层，以便与非晶硅膜紧密连接，或催化元素掺入非晶硅膜中，用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射，再使该非晶硅膜晶化。

公开(公告)号：CN1156917C

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN00100944.3

申请日：1994-02-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  山崎舜平 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明提供的半导体器件包括，有绝缘表面的基片、以及半导体膜，它包括绝缘表面上形成的结晶硅，半导体膜中含有促进结晶的金属，其浓度不大于1原子%。该半导体器件的制法包括：在基片的一绝缘表面上形成含非晶态硅的半导体膜；选择地形成含一种金属的层，它与半导体膜的第一部分接触；对它们进行加热，使半导体膜由第一部分至第二部分结晶，金属则通过半导体膜扩散。将半导体膜的至少第一和第二部分隔离开。

公开(公告)号：CN1150595C

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN00100943.5

申请日：1994-02-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  山崎舜平 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件的制造方法，它包括以下的步骤：使一种催化物质与一种含非晶态硅的半导体膜进行选择性部分接触，所述催化能够促进该半导体膜结晶化。对所述已带有催化物质的半导体膜进行退火，以使半导体膜结晶。以及，由半导体膜的顶表面对所述催化剂物质进行腐蚀，其中，该半导体膜基本上不受腐蚀步骤的作用。

公开(公告)号：CN1132241C

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN98103801.8

申请日：1994-10-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  山本睦夫 ,  广木正明 ,  竹村保彦 ,  张宏勇

IPC: H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/28079 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  Y10S438/981

Abstract: 在一半导体集成电路中，在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘，所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压，至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模，通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。