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公开(公告)号：CN104821338B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201510060315.X
申请日：2015-02-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本发明题为半导体装置、显示装置、显示模块以及电子设备。本发明的一个方式提供一种半导体装置，其中包括使用氧化物半导体的交错型晶体管及电容元件。本发明的一个方式是一种包括晶体管及电容元件的半导体装置，其中晶体管包括：氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的栅电极；栅电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的源电极及漏电极，源电极及漏电极与氧化物半导体膜电连接，电容元件包括：第一导电膜；第二导电膜；以及该第二绝缘膜，第一导电膜与栅电极设置在同一表面上，该第二导电膜与源电极及漏电极设置在同一表面上，该第二绝缘膜设置在第一导电膜与第二导电膜之间。
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公开(公告)号：CN111052396A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880056532.3
申请日：2018-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1333 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336
Abstract: 本发明的一个方式提供一种能够实现高集成化的半导体装置。半导体装置包括第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层、第一导电层以及第二导电层。第二半导体层位于第一半导体层上，第二导电层位于第二半导体层上，第二绝缘层以覆盖第二导电层的顶面和侧面的方式设置。第二导电层和第二绝缘层具有第一开口，第三半导体层被设置为接触于第二绝缘层的顶面、第一开口的侧面及第二半导体层的位置。第一绝缘层位于第一导电层与第三半导体层之间，第三绝缘层位于第一绝缘层与第一导电层之间，第四绝缘层以围绕第一导电层的方式设置。
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公开(公告)号：CN110518017A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910418591.7
申请日：2015-02-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明题为半导体装置、显示装置、显示模块以及电子设备。本发明的一个方式提供一种半导体装置，其中包括使用氧化物半导体的交错型晶体管及电容元件。本发明的一个方式是一种包括晶体管及电容元件的半导体装置，其中晶体管包括：氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的栅电极；栅电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的源电极及漏电极，源电极及漏电极与氧化物半导体膜电连接，电容元件包括：第一导电膜；第二导电膜；以及该第二绝缘膜，第一导电膜与栅电极设置在同一表面上，该第二导电膜与源电极及漏电极设置在同一表面上，该第二绝缘膜设置在第一导电膜与第二导电膜之间。
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公开(公告)号：CN105051596A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480018108.1
申请日：2014-03-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1335 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/133345 , G02F1/133553 , G02F1/13439 , G02F1/1368 , G02F2001/136218 , H01L29/41733 , H01L29/78618
Abstract: 提供了一种能够实现良好的反射显示的新颖显示装置。该显示装置包括：晶体管，其包括栅电极层、该栅电极层上的栅极绝缘层、该栅极绝缘层上的半导体层、和在该栅极绝缘层及半导体层上的源电极层及漏电极层；与该源电极层及该漏电极层同一平面上的反射电极层；与该反射电极层重叠的着色层；与该着色层重叠的像素电极层；以及连接到该源电极层和该漏电极层中的一个的抗氧化导电层。该像素电极层通过该抗氧化导电层连接到该晶体管。
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公开(公告)号：CN104570522A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410551082.9
申请日：2014-10-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/133553 , G02F1/136204 , G02F2001/136222 , G02F2201/123 , G02F2203/02 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L29/24 , H01L29/7869 , G02F1/136
Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种实现色纯度的调整的新颖的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种滤色片的紧密性提高的新颖的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种生产率提高的新颖的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种实现良好的反射显示的新颖的显示装置。本发明的一个方式的显示装置包括：像素区域；形成在像素区域的晶体管；与晶体管的源电极层或漏电极层形成在同一平面上的反射电极层；反射电极层上的第一绝缘层；与反射电极层重叠并在第一绝缘层上的着色层；着色层上的第二绝缘层；以及第二绝缘层上的像素电极层，其中，着色层至少具有第一开口部及第二开口部，像素电极层通过第一开口部与晶体管电连接，第二绝缘层通过第二开口部与第一绝缘层接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101625472B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200910152136.3
申请日：2009-07-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1333 , G02F1/133 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/133305 , G02F2201/503 , G02F2202/22
Abstract: 本发明提供具有柔性并且即使受到来自外部的压力也不容易损坏的可靠性高的液晶显示装置。另外，还提供以高成品率制造具有柔性并且即使受到来自外部的压力也不容易损坏的可靠性高的液晶显示装置的方法。一种液晶显示装置，包括：包括第一纤维体和第一有机树脂的第一结构体；包括第二纤维体和第二有机树脂的第二结构体；夹持在所述第一及所述第二结构体之间的液晶；使所述第一及所述第二结构体固定，并且密封所述液晶的密封剂。所述第一及所述第二纤维体分别浸渗有所述第一及所述第二有机树脂，并且所述第一及所述第二结构体彼此接触。
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公开(公告)号：CN118743327A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202380016772.1
申请日：2023-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/122 , G09F9/30 , H10K50/81 , H10K50/82
Abstract: 提供一种高清晰显示装置。显示装置包括晶体管、发光器件及第一绝缘层。晶体管包括半导体层、第一至第三导电层、第二及第三绝缘层。第二绝缘层设置在第一导电层上并包括到达第一导电层的第一开口。第二导电层设置在第二绝缘层上并在与第一开口重叠的区域中包括第二开口。半导体层与第一导电层的顶面、第二绝缘层的侧面、第二导电层的顶面及侧面接触。第三绝缘层设置在半导体层上。第三导电层设置在第三绝缘层上。第一绝缘层设置在晶体管上。第一及第三绝缘层包括到达第二导电层的第三开口。发光器件设置在第一绝缘层上并包括像素电极、公共电极及EL层。像素电极通过第三开口电连接于第二导电层。EL层具有与像素电极的顶面及侧面接触的区域。
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公开(公告)号：CN118284923A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202280077713.0
申请日：2022-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G09F9/00 , H01L31/10 , H01L31/12 , H05B33/02 , H05B33/10 , H05B33/12 , H05B33/14 , H05B33/22 , H10K30/60 , H10K50/00 , H10K59/00
Abstract: 提供一种高清晰的显示装置。提供一种具有高显示品质的显示装置。该显示装置包括：第一绝缘层上的第一发光元件及第二发光元件；第二绝缘层；以及第三绝缘层。第一发光元件包括第一像素电极及第一有机层。第二发光元件包括第二像素电极及第二有机层。第一绝缘层包括从平面看时沿第一像素电极的边设置的槽状区域。槽状区域包括与第一像素电极重叠的第一区域及与第二像素电极重叠的第二区域。第一区域及第二区域的宽度为20nm以上且500nm以下。第二绝缘层包括与第一有机层的顶面接触的区域、与第一有机层的侧面接触的区域及位于第一像素电极的下方的区域。第三绝缘层包括与第二有机层的顶面接触的区域、与第二有机层的侧面接触的区域以及位于第二像素电极的下方的区域。
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公开(公告)号：CN117917187A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202280060528.0
申请日：2022-09-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种电压降低充分得到抑制的显示装置。该显示装置包括：包括第一发光层、位于第一发光层上的第一电荷产生层以及位于第一电荷产生层上的第二发光层的第一发光器件；位于与第一发光器件重叠的位置的第一滤色片；包括第三发光层、位于第三发光层上的第二电荷产生层以及位于第二电荷产生层上的第四发光层的第二发光器件；位于与第二发光器件重叠的位置的第二滤色片；第一发光器件及第二发光器件所包括的公共电极；以及与公共电极电连接的辅助布线，辅助布线包括第一布线层及第二布线层，第二布线层通过绝缘层的接触孔与第一布线层电连接，第二布线层在俯视时呈格子状。
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公开(公告)号：CN110911419B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201910986729.3
申请日：2015-02-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/423
Abstract: 提供一种包括氧化物半导体的通态电流大的半导体装置。该半导体装置包括设置在驱动电路部的第一晶体管和设置在像素部的第二晶体管；第一晶体管和第二晶体管的结构不同。并且，第一晶体管和第二晶体管具有顶栅结构。在各晶体管的氧化物半导体膜中，在不与栅电极重叠的区域中包含杂质元素。氧化物半导体膜中的包含杂质元素的区域具有低电阻区域的功能。另外，氧化物半导体膜中的包含杂质元素的区域与包含氢的膜接触。另外，也可以包括在包含氢的膜的开口部中与包含杂质元素的区域接触且具有源电极以及漏电极的功能的导电膜。设置在驱动电路部的第一晶体管包括在其间隔着氧化物半导体膜的两个栅电极。
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