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公开(公告)号：CN108121123B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201711231700.1
申请日：2017-11-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 本发明提供一种开口率高的液晶显示装置。此外，本发明提供一种功耗低的液晶显示装置。本发明的一个方式是一种包括液晶元件、晶体管、扫描线及信号线的显示装置。液晶元件包括像素电极、液晶层及公共电极。扫描线及信号线都与晶体管电连接。扫描线及信号线都包括金属层。晶体管与像素电极电连接。晶体管的半导体层包括第一金属氧化物层和第二金属氧化物层的叠层。第一金属氧化物层包括其结晶性比第二金属氧化物层低的区域。晶体管包括与像素电极连接的第一区域。像素电极、公共电极及第一区域都具有使可见光透过的功能。可见光经过第一区域及液晶元件而从显示装置射出。
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公开(公告)号：CN112805838A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201980065656.2
申请日：2019-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L51/50
Abstract: 提供一种电特性的良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。本发明是一种半导体装置，包括半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、金属氧化物层以及导电层，其中第一绝缘层、金属氧化物层及导电层依次层叠在半导体层上，第一绝缘层的端部位于半导体层的端部的内侧，金属氧化物层的端部位于第一绝缘层的端部的内侧，导电层的端部位于金属氧化物层的端部的内侧。第二绝缘层优选以覆盖半导体层、第一绝缘层、金属氧化物层及导电层的方式设置。半导体层优选具有第一区域、一对第二区域以及一对第三区域，第一区域优选与第一绝缘层及金属氧化物层重叠，第二区域优选夹持第一区域与第一绝缘层重叠且不与金属氧化物层重叠，第三区域优选夹持第一区域及一对第二区域且不与第一绝缘层重叠，第三区域优选与第二绝缘层接触。
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公开(公告)号：CN112514079A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050350.X
申请日：2019-07-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L51/50 , H05B33/14
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层及第一导电层。在第一绝缘层上依次层叠半导体层、第二绝缘层及第一导电层。第二绝缘层具有依次层叠第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜的叠层结构。第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜各自包含氧化物。第一绝缘膜包括与半导体层接触的部分。半导体层包含铟、镓及氧，并包括铟的含有率比镓的含有率高的区域。
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公开(公告)号：CN111446259A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201911299399.7
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。
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公开(公告)号：CN109075206A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780022620.7
申请日：2017-03-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L51/50 , H05B33/14
Abstract: 提高具有氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。一种半导体装置，包括：氧化物半导体膜；栅电极；栅电极上的绝缘膜；绝缘膜上的上述氧化物半导体膜；以及氧化物半导体膜上的一对电极，其中，氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜包含相同的元素，并且，第一氧化物半导体膜具有其结晶性低于第二氧化物半导体膜的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112514079B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN201980050350.X
申请日：2019-07-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L27/12 , H05B33/14
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层及第一导电层。在第一绝缘层上依次层叠半导体层、第二绝缘层及第一导电层。第二绝缘层具有依次层叠第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜的叠层结构。第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜各自包含氧化物。第一绝缘膜包括与半导体层接触的部分。半导体层包含铟、镓及氧，并包括铟的含有率比镓的含有率高的区域。
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公开(公告)号：CN118284923A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202280077713.0
申请日：2022-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G09F9/00 , H01L31/10 , H01L31/12 , H05B33/02 , H05B33/10 , H05B33/12 , H05B33/14 , H05B33/22 , H10K30/60 , H10K50/00 , H10K59/00
Abstract: 提供一种高清晰的显示装置。提供一种具有高显示品质的显示装置。该显示装置包括：第一绝缘层上的第一发光元件及第二发光元件；第二绝缘层；以及第三绝缘层。第一发光元件包括第一像素电极及第一有机层。第二发光元件包括第二像素电极及第二有机层。第一绝缘层包括从平面看时沿第一像素电极的边设置的槽状区域。槽状区域包括与第一像素电极重叠的第一区域及与第二像素电极重叠的第二区域。第一区域及第二区域的宽度为20nm以上且500nm以下。第二绝缘层包括与第一有机层的顶面接触的区域、与第一有机层的侧面接触的区域及位于第一像素电极的下方的区域。第三绝缘层包括与第二有机层的顶面接触的区域、与第二有机层的侧面接触的区域以及位于第二像素电极的下方的区域。
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公开(公告)号：CN118265398A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311775614.2
申请日：2023-12-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K71/00 , H10K59/121 , H10K59/126 , H10K59/131
Abstract: 提供一种方便性、实用性或可靠性良好的新颖显示装置的制造方法。另外，提供一种显示装置、显示模块、电子设备。在第2步骤中在第一电极及第二电极上形成第一膜，在第3步骤中在第一膜上形成第二膜，在第4步骤中通过CVD法在第二膜上形成第三膜，在第5步骤中通过蚀刻法从第二电极上去除第三膜的一部分，来形成与第一电极重叠的第一层。并且，在第6步骤中利用第一层通过蚀刻法从第二电极上去除第二膜的一部分及第一膜的一部分，来形成与第一电极重叠的第二层及第一单元。
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公开(公告)号：CN117716408A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202280052015.5
申请日：2022-07-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30
Abstract: 提供一种具有摄像功能的显示装置。提供一种能够进行高灵敏度摄像的摄像装置或显示装置。显示装置包括第一像素电极、第二像素电极、第一有机层、第二有机层、公共电极、第一树脂层、第二树脂层及遮光层。第一有机层及第二有机层分别设置在第一像素电极或第二像素电极上。第一树脂层及第二树脂层分别覆盖第一有机层或第二有机层的端部。第一有机层与第二有机层夹着第一树脂层及第二树脂层且其侧面彼此对置。公共电极具有与第一像素电极、第二像素电极、第一树脂层、第二树脂层分别重叠的部分及从平面看时位于第一树脂层与第二树脂层之间的凹状部分。遮光层以嵌入公共电极的凹状部分的方式设置在公共电极上。
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公开(公告)号：CN117397045A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202280034866.7
申请日：2022-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 提供一种微型化的半导体装置。该半导体装置包括衬底上的半导体层、在半导体层上分开配置的第一导电层及第二导电层、以与第一导电层的顶面接触的方式配置的掩模层、以覆盖半导体层、第一导电层、第二导电层及掩模层的方式配置的第一绝缘层以及配置在第一绝缘层上且与半导体层重叠的第三导电层，第一绝缘层与掩模层的顶面及侧面、第一导电层的侧面、第二导电层的顶面及侧面以及半导体层的顶面接触，该半导体装置具有第一导电层和第二导电层相对的端部之间的距离为1μm以下的区域。
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