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公开(公告)号：CN101005011A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200710003265.7
申请日：2002-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 在微波等离子体处理装置中，通过使正对被处理基片的喷盘或等离子体透过窗的、正对所述被处理基片的一侧成凹面状，从而，与所述被处理基片表面一致的平面和所述内表面之间的间隔沿着所述微波透过窗的径向向外呈多阶梯形地减小，由此来补偿被处理基片周围部分中的等离子体密度的降低。其结果，即使在进行蚀刻等低压下的等离子体处理时，也能在被处理基片表面附近维持稳定均匀的等离子体。此外，通过所述结构，还可以促进等离子体的点火。
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公开(公告)号：CN1748287A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200480003583.8
申请日：2004-01-29
CPC classification number: H01L21/28167 , H01L21/02008 , H01L21/02027 , H01L21/02381 , H01L21/02428 , H01L21/02433 , H01L21/02532 , H01L21/02658 , H01L29/045
Abstract: 本发明是用来制造{110}面的载流子移动度，特别是作为n型FET的载流子的电子的移动度显示出高的值的半导体集成电路元件用的半导体基板，不使用特别的洗净而是使用以往的RCA洗净、或不进行自由基氧化而以原子级使表面平坦化，而提供一减低表面粗糙度的硅半导体基板及其制造方法。本发明是以{110}面或以{110}面倾斜后的面作为主面的硅半导体基板，在其表面具有平均地沿着 方向的原子级的阶梯。
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公开(公告)号：CN1242656C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN02807326.6
申请日：2002-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32266 , H01J37/32192 , H01J37/32954 , H01J37/3299
Abstract: 通过等离子体处理装置中的导波管(26)向处理室中导入微波，产生等离子体。通过反射监测器(40)和功率监测器(42)监测被在处理室内产生的等离子体反射的反射波的功率。此外，通过入射监测器(36)和频率监测器(48)监测由磁控管(24)产生的微波的频率。根据监测的反射波功率和频率控制供给到磁控管的功率。通过这种方法来控制等离子体密度使其恒定。
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公开(公告)号：CN1679380A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03819972.6
申请日：2003-08-25
CPC classification number: H05K1/024 , H05K3/4676 , H05K3/4688
Abstract: 一种电路衬底、使用电路衬底的电子设备及电路衬底的制造方法，在具有绝缘体层和埋入该绝缘体层内部的导体(104)的电路衬底(100)中，在所述绝缘体层在介电常数为εr，相对磁导率为μr时，具有满足μr≥εr的关系的第一绝缘体(101)，并利用该第一绝缘体将所述导体实质地包围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1217390C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN02800921.5
申请日：2002-03-28
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32211 , H01J37/32192
Abstract: 一种使用了放射线槽天线的微波等离子体处理装置，由与滞波板(18)的热膨胀率接近的材料或通过在构成滞波板(18)的电介质板上附着金属来形成槽板(16)。提高天线中滞波板与构成微波辐射面的槽板之间的粘附性，防止异常放电。
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公开(公告)号：CN1630030A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410098703.9
申请日：2002-03-28
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/31 , H01L21/3065 , H05H1/46 , C23C16/50
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/511 , C30B25/105 , H01J37/32192
Abstract: 本发明涉及使用放射线槽天线的微波等离子体处理装置，使放射线槽天线辐射面与构成处理室外壁的一部分，贴紧在与浇淋板贴紧的盖板上，在放射线槽天线上还通过设置冷却器，以便吸收于厚度方向在处理室外壁中流过的热流，从而使浇淋板的冷却效率最佳化，同时使微波激励效率最佳化。
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公开(公告)号：CN1205504C
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN02142050.5
申请日：2002-08-23
IPC: G02F1/136 , G02B6/12 , C03C15/00 , H01L21/3205 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/136213 , H01L29/41733 , H01L29/78633
Abstract: 制造具有埋置式结构的基片的方法，包括以下步骤：制备具有主表面的玻璃基片；通过湿法蚀刻工艺在玻璃基片的主表面制成凹槽；和在玻璃基片的主表面沉积第1材料，并用其填充凹槽，制成具有与主表面基本齐平的表面的埋置式结构，制成凹槽的步骤包括：使用包含氢氟酸、氟化铵、和盐酸或草酸的蚀刻剂进行湿法蚀刻工艺。
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公开(公告)号：CN1478296A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN02803238.1
申请日：2002-07-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/3003 , H01L21/324 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L29/66757 , H01L29/78603
Abstract: 一种基片处理装置，它具有：处理空间，设有用于支承被处理基片的支承台；氢催化部件，与所述被处理基片正对着设置在所述处理空间中，用于将氢分子分解成氢基H*；气体供给口，设置在所述处理空间内、相对于所述氢催化部件与所述被处理基片正对的一侧，用于导入至少含有氢气的处理气体；其中，将所述氢催化部件和所述支承台上的被处理基片之间的间隔，设定在所述氢基H*能够到达的距离以内。
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公开(公告)号：CN1402066A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02142050.5
申请日：2002-08-23
IPC: G02F1/136 , H01L21/3205 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/136213 , H01L29/41733 , H01L29/78633
Abstract: 制造具有埋置式结构的基片的方法，包括以下步骤：制备具有主表面的玻璃基片；通过湿法蚀刻工艺在玻璃基片的主表面制成凹槽；和在玻璃基片的主表面沉积第1材料，并用其填充凹槽，制成具有与主表面基本齐平的表面的埋置式结构，制成凹槽的步骤包括：使用包含氢氟酸、氟化铵、和盐酸或草酸的蚀刻剂进行湿法蚀刻工艺。
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