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公开(公告)号：CN102473708A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201180002804.X
申请日：2011-07-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 提供一种减小初始化电压、能够实现低动作电压的非易失性存储装置。该非易失性存储装置(10)包括：第1电极层(105)，形成在半导体基板(100)上；缺氧型的第1钽氧化物层(106x)，形成在第1电极层(105)上，具有用TaOx(0.8≤x≤1.9)表示的组成；第2钽氧化物层(106y)，形成在第1钽氧化物层(106x)上，具有用TaOy(2.1≤y)表示的组成；和第2电极层(107)，形成在第2钽氧化物层(106y)上；第2钽氧化物层(106y)具有由多个柱状体构成的柱状构造。
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公开(公告)号：CN101542729B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200880000315.9
申请日：2008-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 提供一种电阻变化型元件，它具有：第一电极(2)；第二电极(4)；和配置在上述第一电极和上述第二电极之间，与上述第一和上述第二电极电气上连接的电阻变化层(3)。上述电阻变化层由包含TaOx(1.6≤X≤2.2)的材料构成；通过在第一电压的第一电压脉冲加在上述第一电极和第二电极之间施加具有第一电压的第一电压脉冲，使上述第一电极和上述第二电极之间的电阻降低；通过在上述第一电极和上述第二电极之间施加具有与上述第一电压的极性相同的第二电压的第二电压脉冲，使上述第一电极和上述第二电极之间的电阻上升。
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公开(公告)号：CN101569011A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200780048350.3
申请日：2007-12-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/1625 , G11C13/00 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147
Abstract: 提供电阻变化型元件(10)、电阻变化型存储装置以及电阻变化型装置，其包括第一电极(2)、第二电极(4)、和配置在第一电极(2)与第二电极(4)之间并与第一电极(2)和第二电极(4)电连接的电阻变化层(3)，其具有如下性质，即，电阻变化层(3)包含具有用(NiXFe1－X)Fe2O4的化学式表示的尖晶石结构的材料，X大于等于0.35小于等于0.9，通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加具有第一电压的第一电压脉冲，使第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻降低，通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加具有极性与第一电压不同的第二电压的第二电压脉冲，使第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻上升。
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公开(公告)号：CN101568971A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200880001228.5
申请日：2008-09-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C7/1006 , G11C13/0007 , G11C2013/0076 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件和非易失性半导体存储装置以及它们的读出方法和写入方法。非易失性存储元件(101)中，设置在第一电极(111)和第二电极(113)之间的可变电阻层(112)以包含4族、5族、或6族的金属元件的氧化物的方式构成，在特定的电压的电脉冲被施加在第一电极(111)与第二电极(113)之间的情况下，得到其电阻值为高电阻值RH的第一高电阻状态和第二高电阻状态，以及其电阻值为低电阻值RL的低电阻状态中的某一种状态。
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公开(公告)号：CN101548336A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200880000996.9
申请日：2008-06-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种电阻变化型非易失性存储装置。在沿X方向延伸的位线(BL)和沿Y方向延伸的字线(WL)之间的交点位置上形成有存储单元(MC)。分别为每个位线组构成的且共用字线(WL)的多个基本阵列面排列在Y方向上，该位线组由在Z方向上排列的位线(BL)组成。在各个基本阵列面中，偶数层位线以及奇数层位线各自共同连接起来，选择开关元件(101～104)控制共同连接起来的偶数层位线和全局位线(GBL)之间的连接/非连接间的切换，选择开关元件(111～114)控制共同连接起来的奇数层位线和全局位线(GBL)之间的连接/非连接间的切换。
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公开(公告)号：CN101542729A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000315.9
申请日：2008-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 提供一种电阻变化型元件，它具有：第一电极(2)；第二电极(4)；和配置在上述第一电极和上述第二电极之间，与上述第一和上述第二电极电气上连接的电阻变化层(3)。上述电阻变化层由包含TaOx(1.6≤X≤2.2)的材料构成；通过在第一电压的第一电压脉冲加在上述第一电极和第二电极之间施加具有第一电压的第一电压脉冲，使上述第一电极和上述第二电极之间的电阻降低；通过在上述第一电极和上述第二电极之间施加具有与上述第一电压的极性相同的第二电压的第二电压脉冲，使上述第一电极和上述第二电极之间的电阻上升。
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公开(公告)号：CN101501851A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780029617.4
申请日：2007-12-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供电阻变化型元件和使用它的电阻变化型存储装置，电阻变化型元件(10)包括：第一电极；第二电极；以及配置在第一电极(2)与第二电极(4)之间并与第一电极(2)和第二电极(4)电连接的电阻变化层(3)，其中，电阻变化层(3)包含具有以(ZnxFe1－x)Fe2O4的化学式表示的尖晶石结构的材料，并且该电阻变化型元件(10)具有下述特性：通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加第一电压脉冲，第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻上升；通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加极性与第一电压脉冲相同的第二电压脉冲，第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻下降。
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公开(公告)号：CN100475535C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200510059993.0
申请日：2005-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , G01C19/5607 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 本发明公开了一种压电元件、喷墨头、角速度传感器以及喷墨式记录装置。在压电元件中，在第1电极层(14)上设有立方晶系或者正方晶系的取向控制层(15)，该取向控制层(15)上形成有由添加了大于等于1mol%且小于等于50mol%的、以化学通式Pb(AaBb)O3表示的含铅复合钙钛矿型化合物的锆钛酸铅制成，且具有三角晶系或正方晶系晶体结构的压电体层(16)。在形成该压电体层(16)之际，使该压电体层(16)晶粒成为沿着该压电体层的厚度方向延伸且平均截面直径与长度之比大于等于1/50且小于等于1/14的柱状粒子。
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公开(公告)号：CN1105905C
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN99107154.9
申请日：1999-06-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01J5/10
Abstract: 一种小型高性能的红外线检测元件及其制造方法。该红外线检测元件具有配置于同一基板上的、从由热电型红外线检测部、电阻变化型红外线检部及介电常数变化型红外线检测部组成的一组检测部中选出的至少2种红外线检测部。
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公开(公告)号：CN1388998A
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：CN01802453.X
申请日：2001-08-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M8/0228 , H01M4/9083 , H01M8/0204 , H01M8/0206 , H01M8/0213 , H01M8/0247 , H01M8/0254 , H01M8/0256 , H01M8/0263 , H01M8/0267 , H01M8/0269 , H01M8/0273 , H01M8/04029 , H01M8/04552 , H01M8/242 , H01M8/2457 , H01M8/2483 , H01M2300/0082
Abstract: 一种高分子电解质型燃料电池,它具有:氢离子传导性高分子电解质膜、夹住上述氢离子传导性高分子电解质膜的阳极和阴极、具有向上述阳极提供燃料气体的气体流路的阳极侧导电性隔板、以及具有向上述阴极提供氧化剂气体的气体流路的阴极侧导电性隔板。上述阳极侧以及阴极侧导电性隔板,是长方形,分别在其一方的长边侧设置入口侧的氧化剂气体用集流孔、在另一方的长边侧设置出口侧的氧化剂气体用集流孔,燃料气体用集流孔以及冷却水用集流孔的入口侧以及出口侧分别设置在不同的短边侧,燃料气体用集流孔以及冷却水用集流孔相向设置,并且,氧化剂气体用集流孔、燃料气体用集流孔以及冷却水用集流孔,它们的开口形状相互不同。
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