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公开(公告)号:CN105074906B
公开(公告)日:2018-06-29
申请号:CN201480019057.4
申请日:2014-03-18
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L23/295 , H01L21/561 , H01L23/3107 , H01L24/16 , H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/97 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H03H9/10 , H01L2224/81 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供即使中空结构的空隙的宽度为100μm左右也能够维持中空结构、而且能够防止封装体翘曲而制作可靠性高的中空封装体的中空密封用树脂片及中空封装体的制造方法。本发明的中空密封用树脂片以70体积%以上且90体积%以下的含量含有无机填充剂,通过动态粘弹性测定得到的60~130℃下的最低熔融粘度为2000Pa·s以上且20000Pa·s以下,在150℃热固化1小时之后的20℃下的储能模量为1GPa以上且20GPa以下,在150℃热固化1小时之后的玻璃化转变温度以下的线膨胀系数为5ppm/K以上且15ppm/K以下。
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公开(公告)号:CN107852823A
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:CN201680040657.8
申请日:2016-06-01
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H05K3/20 , H05K1/0283 , H05K3/108 , H05K3/22 , H05K2201/0133 , H05K2201/0376
Abstract: 配线电路基板的制造方法具有:在剥离层的厚度方向的一侧面形成晶种层的工序(1)、在晶种层的厚度方向的一侧面形成导体图案的工序(2)、利用绝缘层覆盖晶种层以及导体图案的工序(3)、将剥离层自晶种层剥离的工序(4)、以及去除晶种层的工序(5)。绝缘层的以日本工业标准JIS P8115(2001年)为基准测定的耐折次数为10次以上。
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公开(公告)号:CN106065243A
公开(公告)日:2016-11-02
申请号:CN201610250872.2
申请日:2016-04-21
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09D133/04 , C09D163/00 , C09D161/06 , C09D7/12 , C08J7/04 , C08L67/02
CPC classification number: C09D133/04 , C08J7/047 , C08J2367/02 , C08J2433/04 , C08L2203/206 , C08L2205/03 , C09D7/61 , C09D7/62 , C09D7/69 , C08L63/00 , C08L61/06 , C08K3/04 , C08K9/06 , C08K2003/2227 , C08K2003/385
Abstract: 本发明提供能够适合密封电子器件、且具有充分的散热性的密封用树脂片。该密封用树脂片包含无机填充剂,无机填充剂包含氧化铝粒子,氧化铝粒子的含量相对于无机填充剂整体为50体积%以上,氧化铝粒子的最大粒径为10μm以上且50μm以下的范围内,热固化后的片厚度方向的导热率为3W/m·K以上。
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公开(公告)号:CN105453253A
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201480043549.7
申请日:2014-07-23
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/56 , H01L21/568 , H01L23/3135 , H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H03H9/1085 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供可以确保中空型电子器件封装件的中空部分、可以抑制中空型电子器件封装件的翘曲的中空型电子器件密封用树脂片及中空型电子器件封装件。本发明的中空型电子器件密封用树脂片具备第一树脂层及第二树脂层,所述第一树脂层及所述第二树脂层含有填料,满足下述式(1)及下述式(2)。所述第一树脂层中的所述填料的含量(体积%)<所述第二树脂层中的所述填料的含量(体积%) (1)所述第一树脂层的粘度>所述第二树脂层的粘度 (2)。
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公开(公告)号:CN105103285A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201480018211.6
申请日:2014-03-17
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供挠性优异并且即使密封对象具有中空结构也能够制作可靠性高的电子部件封装体的密封片、密封片的制造方法以及电子部件封装体的制造方法。本发明为弹性体的结构域分散、并且该结构域的最大直径为20μm以下的密封片。
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公开(公告)号:CN105009265A
公开(公告)日:2015-10-28
申请号:CN201480012499.6
申请日:2014-03-03
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L23/295 , C08K3/01 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供可以防止密封时的电子部件的错位、并且可以抑制密封体的局部翘曲的半导体装置的制造方法及热固化性树脂片。本发明涉及一种热固化性树脂片,其含有65~93重量%的无机填充剂,在使用粘弹性分光仪的升温测定中的最低粘度为30~3000Pa·s。本发明涉及一种半导体装置的制造方法,其包括使用热固化性树脂片将配置于支承板上的多个电子部件一起密封的工序(A)。
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公开(公告)号:CN103165478A
公开(公告)日:2013-06-19
申请号:CN201210543925.1
申请日:2012-12-14
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/56
CPC classification number: H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L24/96 , H01L2224/04105 , H01L2224/73267 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体芯片的污染少且生产效率高的半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法,其特征在于,其是具备半导体芯片的半导体装置的制造方法,该制造方法具备以下工序:工序A,准备半导体芯片;工序B,准备具有热固化型树脂层的树脂片;工序C,在热固化型树脂层上配置多个半导体芯片;和工序D,在多个半导体芯片上配置保护膜,并通过隔着配置的保护膜而施加的压力,将多个半导体芯片埋入热固化型树脂层;其中,保护膜对水的接触角为90°以下。
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公开(公告)号:CN103160076A
公开(公告)日:2013-06-19
申请号:CN201210546546.8
申请日:2012-12-14
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供具备良好的保存稳定性、并且减少固化时的出气产生量的片状电子部件封装用环氧树脂组合物及用其的电子部件装置。所述组合物是封装电子部件时使用的片状环氧树脂组合物,且片的厚度为150μm~1mm,上述环氧树脂组合物含有下述(A)~(D)成分以及下述(E)成分。(A)环氧树脂。(B)酚醛树脂。(C)弹性体。(D)无机质填充剂。(E)选自由5-硝基间苯二甲酸与下述式(1)表示的咪唑化合物形成的包合络合物、由5-硝基间苯二甲酸与下述式(2)表示的咪唑化合物形成的包合络合物和由5-硝基间苯二甲酸与下述式(3)表示的咪唑化合物形成的包合络合物组成的组中的至少一种包合络合物。
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