公开(公告)号：CN110622280A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201880030287.9

申请日：2018-05-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： E·文卡塔苏布磊曼聂 ,  S·E·戈特海姆 ,  杨扬 ,  P·曼纳 ,  K·拉马斯瓦米 ,  T·越泽 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  G03F7/20 ,  H01L21/033 ,  H01L21/683

Abstract: 本公开的实施方式大体涉及集成电路的制造。更具体地，本文中描述的实施方式提供用于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个实施方式中，提供一种处理基板的方法。该方法包括使含烃气体混合物流动至处理腔室的处理容积中，该处理腔室具有定位于静电吸盘上的基板。该基板维持在介于约0.5毫托与约10托之间的压力下。该方法还包括通过将第一RF偏压施加于该静电吸盘，在基板层级产生等离子体，以在该基板上沉积类金刚石碳膜。该类金刚石碳膜具有大于1.8g/cc的密度及小于-500MPa的应力。

公开(公告)号：CN109314079A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780036827.X

申请日：2017-06-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·S·罗伊 ,  陈一宏 ,  K·陈 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/768

Abstract: 描述了包括在基板表面的至少一个特征上形成膜的方法。所述膜被膨胀以填充所述至少一个特征并造成所述膜从至少一个特征的生长。也描述了形成自我对准通孔的方法。

公开(公告)号：CN105513952A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201610123696.6

申请日：2010-03-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Z·刘 ,  R·王 ,  X·唐 ,  S·冈迪科塔 ,  T-J·龚 ,  M·M·拉希德

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3407 ,  H01J37/342 ,  H01J37/3423 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35

Abstract: 本申请公开了用于PVD腔室的溅射靶材。本文公开靶材组件及包括靶材组件的PVD腔室。靶材组件包括具有凹面外形的靶材。当用于PVD腔室中时，凹面靶材在配置于溅射腔室中的基板上提供径向更均匀的沉积。