公开(公告)号：CN116088264A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211620724.7

申请日：2022-12-15

Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 苏晓菁 ,  韦亚一 ,  李静静 ,  粟雅娟

IPC: G03F1/72 ,  G03F1/84 ,  G03F7/20 ,  G03F1/38

Abstract: 本申请提供了一种工艺热点的确定方法、装置和光刻版图设计系统，该方法包括：第一绘制步骤，将基层图层以外的所有的图层的通孔图案绘制在基层图层上，得到通孔图案版图；第二绘制步骤，以各基层图层通孔图案的中心为圆心，以预定距离为半径，在通孔图案版图上绘制多个扫描圆；第一确定步骤，将通孔图案版图中与各扫描圆存在重叠区域的通孔图案确定为异常通孔图案；第二确定步骤，将扫描圆对应的异常通孔图案和扫描圆对应的基层图层通孔图案确定为异常通孔图案组，完成基层图层的扫描；重复步骤，依次重复第一绘制步骤、第二绘制步骤、第一确定步骤和第二确定步骤至少一次，直至完成所有的图层扫描，解决现有技术中工艺热点的检测效率低的问题。

公开(公告)号：CN114068379B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202210046398.7

申请日：2022-01-17

Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司 ,  广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 刘习军 ,  韦亚一 ,  曾辉 ,  李亮 ,  张利斌 ,  粟雅娟

IPC: H01L21/68 ,  H01L23/544 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种对准标记形成方法及半导体器件的制造方法，先根据金属层的厚度参数以及光刻胶层的厚度参数建立一仿真模型，金属层的厚度参数及光刻胶层的厚度参数作为所述仿真模型的变量参数；然后通过仿真模型得到在不同的所述变量参数时所述对准标记的对准质量参数；并判断所述对准标记是否符合预设标准；通过所述对准标记的判断结果对所述金属层的厚度参数以及所述光刻胶层的厚度参数进行筛选，以得到合格的金属层厚度参数以及相应的光刻胶层厚度参数，在衬底上形成具有所述合格的金属层厚度参数的金属层，并在所述具有所述合格的金属层厚度参数的金属层中形成新的对准标记,从而提高对准标记的质量，进而解决对准失效的问题。

公开(公告)号：CN113031390A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202110274061.7

申请日：2021-03-15

Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 杨尚 ,  叶甜春 ,  韦亚一 ,  张利斌 ,  王云 ,  薛静

IPC: G03F1/68 ,  G02B5/18

Abstract: 本发明涉及一种激光直写仿真的方法、激光直写的方法、激光直写仿真的装置及激光直写的装置，包括：获取待刻蚀材料的激光直写能量分布模型；利用二分法确定各个焦平面的位置；根据各个焦平面的位置和激光直写能量分布模型，得到多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写时在待刻蚀材料内产生的能量分布仿真结果；多束激光束对所述待刻蚀材料进行激光直写后在待刻蚀材料上产生预设的立体图案，立体图案的高宽比大于预设值。上述激光直写仿真的方法可以得到利用二分法确定各个焦平面的位置后，可以提高图案化后形成图像的保真度的结果，从而提高了在待刻蚀材料上书写高宽比图像的可行性，使得激光直写可以被用用到更多的交叉学科和领域。