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公开(公告)号：CN115291071A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210917492.5
申请日：2022-08-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 基于锁相放大器的LED阵列光热一体检测装置及方法，涉及LED光谱和结温检测技术。测量方法包括：将LED阵列固定在控温台上，测试系统环境暗光谱；在不同温度点给待测芯片注入小占空比脉冲信号，得峰值波长或半高宽与温度的关系曲线；设定某一工作温度，给待测芯片注入大占空比脉冲信号，其他芯片注入同电流直流信号，得混合光中待测芯片发光光谱并根据关系曲线计算其实际工作结温；对光谱校准，得待测芯片在工作条件下的光功率和光通量。本发明排除其他芯片光和外界环境光的干扰，实现阵列在不同工作条件下对单一芯片工作结温、光功率和光通量的检测；待测芯片同时具有光源和热敏传感双重功能；实现对阵列正常工作时光热一体化的分析。
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公开(公告)号：CN113793845A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111021116.X
申请日：2021-09-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种交流LED灯丝及灯丝灯，交流LED灯丝包括基板、端子、LED芯片、第一电阻、二极管和封装胶，基板能够透过可见光，基板的上下表面分别设置有第一线路层和第二线路层，第二线路层至少与第一线路层之间存在金属连接，存在多种连接的方式，因此将分压电阻发出的热量从单纯地聚集于基板上表面，变成分散至基板的上下表面两侧，从而避免了热聚集，有效降低电阻本体的温度，避免灯丝内部局部高温造成封装胶劣化，实现高可靠性的交流LED灯丝，还公开了一种灯丝灯，该灯丝灯包括本发明的交流LED灯丝，通过结合本发明的交流LED灯丝可以提高灯丝灯的寿命以及设计的多样性。
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公开(公告)号：CN112858864A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110060509.5
申请日：2021-01-18
Applicant: 厦门大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种对LED芯片进行非接触式光电检测的装置及方法。装置包括参考LED芯片、短接装置、示波器、感应线圈、光学测量装置、电阻、第一电流源和第二电流源。其中，示波器并联在电阻两端，电阻、第一电流源和感应线圈串联成第一闭合回路，短接装置用于放置待测LED芯片且使得待测LED芯片的两个电极短接成第二闭合回路，参考LED芯片与第二电流源串联形成第三闭合回路，第二闭合回路和第三闭合回路与感应线圈的磁场方向同轴。光学测量装置位于短接装置的一侧且采光方向对准待测LED芯片。装置分别记录两个互感效应过程中电路的参数变化，计算得待测LED芯片的电压数据和电流数据，再获取待测LED芯片的光学参数，实现对LED芯片进行非接触式光电检测。
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公开(公告)号：CN110057466B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910367131.6
申请日：2019-05-05
Applicant: 厦门大学
IPC: G01K11/32
Abstract: 一种基于LED荧光发射光谱的表面温度测量方法，涉及发光二极管表面温度的测量方法领域，包括以下步骤：(1)将荧光材料归一化后的发射光谱先进行区域划分再对各区域积分，所得到的荧光材料发射功率记为Pe；(2)测试各积分区域发射功率Pe受电流影响的程度，选取受电流影响程度最小的积分区域为检测区域；(3)以额定电流值的1％～3％为小电流为LED样品供电，并用光谱仪采集荧光材料的发射光谱，建立检测区域的发射功率Pe与荧光材料温度T的线性关系；(4)在LED样品的实际工作状态下，将检测区域的发射功率Pe值带入到Pe与T的关系式中，即可得到荧光材料的表面温度。本发明采用非接触式方法测量荧光材料的表面温度，不受LED器件封装的影响，可靠性高。
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公开(公告)号：CN109186946B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201811119101.5
申请日：2018-09-25
Applicant: 厦门大学
IPC: G01M11/00
Abstract: 发光器件微区光度和色度学参数的测量方法及其测量装置，涉及发光器件光度和色度学参数测量领域。发光器件微区光度和色度学参数的测量装置包括辐亮度光源校准系统和显微高光谱成像测试系统，辐亮度光源校准系统包括光谱仪、光谱辐亮度探头、积分球和卤钨灯光源；所述显微高光谱成像测试系统包括高光谱成像仪、显微镜、控温电源和驱动电源；首先获取均匀发光平面的光谱辐亮度分布校准文件，然后校准显微高光谱成像测试系统，最后测试并计算待测样品的光度和色度参数；本发明可解决发光器件或微显示阵列的二维表面光度、色度学及均匀性测量分析问题，快速全面检测器件发光质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106199371B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201610884239.9
申请日：2016-10-11
Applicant: 厦门大学
Abstract: 利用交流脉冲测量AC‑LED热阻和结温的方法及装置，涉及交流发光二极管热阻和结温测试。利用交流脉冲测量AC‑LED热阻和结温的装置设有信号发生器、电压/电流放大器、示波器、控温台、电流/电压探头、积分球、光谱仪；信号发生器的输出端接电压/电流放大器的输入端，电压/电流放大器的输出端接待测AC‑LED，待测AC‑LED固定在控温台上，电流/电压探头接控温台，电流/电压探头的信号输出端接示波器，积分球与待测AC‑LED连接，积分球的光功率输出端接光谱仪。利用正负窄脉冲对结温几乎不影响，对比相同幅值的方波信号，调整热沉温度使两者幅值相等，确定热沉与PN结温差及热阻。
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公开(公告)号：CN109186946A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811119101.5
申请日：2018-09-25
Applicant: 厦门大学
IPC: G01M11/00
Abstract: 发光器件微区光度和色度学参数的测量方法及其测量装置，涉及发光器件光度和色度学参数测量领域。发光器件微区光度和色度学参数的测量装置包括辐亮度光源校准系统和显微高光谱成像测试系统，辐亮度光源校准系统包括光谱仪、光谱辐亮度探头、积分球和卤钨灯光源；所述显微高光谱成像测试系统包括高光谱成像仪、显微镜、控温电源和驱动电源；首先获取均匀发光平面的光谱辐亮度分布校准文件，然后校准显微高光谱成像测试系统，最后测试并计算待测样品的光度和色度参数；本发明可解决发光器件或微显示阵列的二维表面光度、色度学及均匀性测量分析问题，快速全面检测器件发光质量。
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公开(公告)号：CN106770988A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710154357.9
申请日：2017-03-15
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N33/00
CPC classification number: G01N33/00
Abstract: 基于量子点的强极性溶剂快速检测装置，涉及传感器。设有量子点复合膜和承载板，量子点复合膜为包覆量子点的高分子聚合物薄膜，量子点具有钙钛矿结构，其化学式为ABX(m)Y(3‑m)(A＝CH3NH3+，HC(NH2)2+；B＝Pb2+，Sn2+；X，Y＝Br─，Cl─，I─，0≤m≤3)，量子点复合膜贴合于承载板的上表面，承载板包括金属反光层、壳体和控温模块，金属发光层设置于贴合量子点复合膜的壳体外表面，控温模块包括工作介质模块和控制模块，工作介质模块设置于壳体内部，控制模块设置于壳体外部，所述壳体具有良好的导热能力以便通过操作控温模块工作介质模块能够改变量子点复合膜的温度。
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公开(公告)号：CN103308499B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310196584.X
申请日：2013-05-24
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 一种蓝光LED激发荧光粉性能测试装置及测试方法，涉及荧光粉。提供基于积分球的一种蓝光LED激发荧光粉性能测试装置及测试方法。所述测试装置设有固定底座、积分球、出光筒、蓝光LED光源、TEC控温夹具、恒流源、余弦收集器、光谱仪、计算机、挡板和标准白板。利用LED光谱参数可调、发光稳定的优点作为激发光源，以及积分球装置封闭的特点完整收集荧光粉反射的光线，提出了一套适用性强的荧光粉性能测量系统，可以方便准确地测量分析荧光粉在实际工作条件下的发光效能、外量子效率、光转换效率等重要发光性能指标。同时，系统可以通过灵活更换LED激发光源，实现不同荧光粉对不同激发光源的要求，具有良好的扩展性能。
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公开(公告)号：CN102593207B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201210073692.3
申请日：2012-03-19
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 一种局域化发射区结构的太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。局域化发射区结构的太阳能电池设有衬底，在衬底表面外延本征半导体层，本征半导体层上设有凹槽，在凹槽内通过扩散或外延等方法形成半导体层，在半导体层上分别蒸镀上电极和减反膜，在衬底底部蒸镀背电极，当衬底为p型半导体层时，半导体层为n型半导体层；当衬底为n型半导体层时，半导体层为p型半导体层。将衬底生长本征半导体层；在样品热生长或沉积一层遮挡层；在样品上表面刻出图形，去除遮挡层，刻出凹槽；在凹槽内形成半导体层，去除遮挡层形成发射区；沉积上电极，剥离；在样品上表面刻出上电极的反图形后沉积减反膜，剥离；在样品背面沉积背电极。
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