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公开(公告)号：CN116093224A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310218117.6
申请日：2023-03-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种基于III‑V族化合物应用的LED外延结构及其制备方法，包括衬底及依次层叠于所述衬底表面的N型半导体层、红光阱层以及P型半导体层；其中，所述红光阱层包括交替层叠生长的量子阱和量子垒，所述量子阱包括若干个InGaN/InN周期结构，且在相邻两InGaN/InN周期结构之间还设有InGaN中间层。如此，可通过InN插入层应力调制实现发光向长波偏移以获得更加充分的红光；同时，通过设置InGaN中间层，并通过调节各所述InGaN/InN周期结构的周期数以及周期单元的生长时间，以平衡InGaN/InN周期结构两端的极化电场，从而达到增加电子空穴波函数交叠、提高发光效率的目的。
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公开(公告)号：CN113097353B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110360473.2
申请日：2021-04-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种紫外LED及其制作方法，该紫外LED包括：基底、发光层，所述发光层包括至少一个层叠单元，所述层叠单元包括量子垒单元和量子阱单元，所述量子垒单元包括层叠的第一量子垒层、第一应力平衡层、第二量子垒层，所述量子阱单元包括层叠的第一量子阱层、第二应力平衡层、第二量子阱层；其中，所述第一应力平衡层的晶格常数大于所述第一量子垒层和所述第二量子垒层的晶格常数，所述第二应力平衡层的晶格常数大于所述第一量子阱层和所述第二量子阱层的晶格常数，能够平衡位于所述第一量子阱层下方的所述第二量子垒层对所述第一量子阱层的压应力，降低所述第一量子阱层中的量子限制斯塔克效应，提高所述紫外LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN114566577A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210269980.X
申请日：2022-03-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，在MQW层和P型半导体层之间依次设有最后一个量子垒层、P型复合层；其中，最后一个量子垒层包括GaN‑AlGaN‑AlN复合层状结构；所述P型复合层包括P型掺杂且Al组分逐渐减少的若干个AlGaN层。通过GaN‑AlGaN‑AlN复合结构的整体设计，再配合P型复合层包括P型掺杂且Al组分逐渐减少的若干个AlGaN层的设置，可实现势垒层到P型半导体层的平滑过渡，无突变的势垒高度，有利于提升晶体质量，削弱强极化电场带来的能带弯曲，从而达到提亮发光功率的目的。
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公开(公告)号：CN112259651B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202011130690.4
申请日：2020-10-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有P型插入层的LED芯片及制作方法，通过在多量子阱结构和P型电子阻挡层之间生长一间断掺杂的P型插入层，从而通过调整极化电场，增强空穴迁移能力，达到增加空穴注入的目的；同时，P型插入层能增加电子有效势垒高度，减少电子泄漏，从而让载流子在量子阱中有效复合，提高LED的整体发光性能，此外，P型插入层的间断掺杂设计能够增加LED芯片的电流扩展以及抗静电击穿能力，从而可延长LED芯片的使用寿命。
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公开(公告)号：CN113097353A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110360473.2
申请日：2021-04-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种紫外LED及其制作方法，该紫外LED包括：基底、发光层，所述发光层包括至少一个层叠单元，所述层叠单元包括量子垒单元和量子阱单元，所述量子垒单元包括层叠的第一量子垒层、第一应力平衡层、第二量子垒层，所述量子阱单元包括层叠的第一量子阱层、第二应力平衡层、第二量子阱层；其中，所述第一应力平衡层的晶格常数大于所述第一量子垒层和所述第二量子垒层的晶格常数，所述第二应力平衡层的晶格常数大于所述第一量子阱层和所述第二量子阱层的晶格常数，能够平衡位于所述第一量子阱层下方的所述第二量子垒层对所述第一量子阱层的压应力，降低所述第一量子阱层中的量子限制斯塔克效应，提高所述紫外LED的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112768578A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110176774.X
申请日：2021-02-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，通过至少在一势垒层靠近所述第一型半导体层的一侧表面依次设有降温层和深阱层，至少在一势垒层靠近所述第二型半导体层的一侧表面依次设有浅阱层和升温层；其中，所述降温层、升温层用于所述势垒层与势阱层之间的生长温度过渡；所述深阱层、浅阱层用于对所述势垒层的电子限制。通过生长温度的控制，可有效释放势垒层与势阱层之间的应力；同时，在势阱层前后两端进一步形成阱类结构，有利于加强对势垒层的电子限制，从而提高其内量子效率。
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公开(公告)号：CN108922946B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201810777949.0
申请日：2018-07-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种LED结构及其制作方法，该方法包括：提供图形化的衬底；利用物理气相沉积工艺，在所述衬底表面形成的缓冲层，所述缓冲层包括含氢的氮化铝缓冲层；在所述缓冲层背离所述衬底的一侧形成外延结构，从而解决现有LED结构制作方法中，所述氮化铝缓冲层形成后，反应室中仍然存在较多的铝残留，影响后续形成的外延结构的晶体质量，导致所述LED器件的光电性能降低的问题，还可以改善衬底与外延结构之间的晶格应力，使得所述LED的外延结构表面温场均匀，LED结构出射光线的波长的均匀性得到很大提升，同时，减小量子阱受到的量子约束斯塔克效应，使得最后形成的LED的发光性能提升，亮度增加，漏电流减小。
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公开(公告)号：CN112259651A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011130690.4
申请日：2020-10-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有P型插入层的LED芯片及制作方法，通过在多量子阱结构和P型电子阻挡层之间生长一间断掺杂的P型插入层，从而通过调整极化电场，增强空穴迁移能力，达到增加空穴注入的目的；同时，P型插入层能增加电子有效势垒高度，减少电子泄漏，从而让载流子在量子阱中有效复合，提高LED的整体发光性能，此外，P型插入层的间断掺杂设计能够增加LED芯片的电流扩展以及抗静电击穿能力，从而可延长LED芯片的使用寿命。
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公开(公告)号：CN110176524A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910501546.8
申请日：2019-06-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种薄膜生长组件、方法和LED制备方法，包括靶材和保护罩，所述保护罩可拆卸地安装在所述靶材上，且所述保护罩与所述靶材形成一密闭腔体，以将所述靶材的溅射面封闭在所述密闭腔体内。本发明中，采用AlGa合金靶材在N2氛围下生长了AlGaN薄膜作为LED器件的缓冲层，与ALN缓冲层相比，采用AlGa合金靶材在衬底表面制作的AlGaN缓冲层，可以有效改善后续形成的GaN薄膜的晶格应力，提高LED器件的性能。
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公开(公告)号：CN107275454B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201710601402.0
申请日：2017-07-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种发光二极管的外延生长方法，其包括：提供衬底；在所述衬底上外延生长非故意掺杂GaN层；其中，所述非故意掺杂GaN层外延生长若干个生长周期，每个生长周期包括：第一生长阶段和第二生长阶段；在所述第一生长阶段，镓前驱源的流量为第一流量，在所述第二生长阶段，镓前驱源的流量为第二流量，所述第一流量大于所述第二流量。该方法通过镓前驱源的流量高低交替变化的方式实现生长速率呈高低速交替变化的方式生长GaN层，从而实现了提高发光二极管的生长速率的同时，使得外延氮化镓晶体质量不会变差的效果。
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