-
公开(公告)号：CN113490239A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110784463.1
申请日：2021-07-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04W28/22
Abstract: 本发明公开了一种基于自适应网络编码的异构无线链路并发传输控制方法，包括：基于A3C构建自适应编码决策模型；确定编码分组大小N和编码分组内数据包冗余大小R；定义两个编码矩阵：原始数据包的编码矩阵和冗余编码矩阵，根据编码分组大小和编码分组内冗余数据包大小，从相应的编码矩阵选择编码系数，编码生成N+R个编码数据包；针对编码生成N+R个编码数据包，基于路径质量对数据包进行分发：在每一次调度分发时，衡量每条路径的质量，选取质量最优的路径将编码的数据包调度到该路径的缓存中。本发明解决了异构无线链路多路径传输存在的乱序问题，有效提升系统吞吐量。
-
公开(公告)号：CN112442356A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202011397141.3
申请日：2020-12-03
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种ABX3型稳定钙钛矿量子点的制备方法，包括以下步骤：(1)将含有A的化合物、含有B的化合物、含有X的化合物在极性溶剂中超声溶解，得到混合溶液；(2)在混合溶液中加入胺、酸和含有苯磺酰胺官能团的混合有机物，混合均匀得到钙钛矿量子点前驱体溶液；(3)将醇加入极性溶剂中混合后得到反溶剂；(4)将钙钛矿量子点的前驱体溶液加入反溶剂中，混合后即得钙钛矿量子点溶液；其中，A为甲脒、甲胺、铯中的一种或几种，B为Pb、Sn、Ge或Cu中的一种或几种，X为Cl、Br或I中的一种或几种。该方法制备出的钙钛矿量子点具有很好的稳定性，在空气中能够保持300小时发光强度无任何衰减，色纯度高、发光峰窄，制备方法简单，成本低廉。
-
公开(公告)号：CN110224022A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910504725.7
申请日：2019-06-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/24 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/739 , H01L29/788 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称范德华异质结构的场效应管，包括Si/SiO2基底，Si/SiO2基底上表面设有浮栅，所述浮栅上表面一侧设有栅极，另一侧设有二维材料制备的介电层，所述介电层上表面设有二维材料二硫化钼层，所述二硫化钼上表面一侧设有源极，另一侧设有二维材料二碲化钼层，所述二碲化钼上表面设有漏极；一种上述场效应管的制备方法，将浮栅层、介电层、MoS2和MoTe2逐层转移到基底上，再沉积金属电极。本发明所述场效应管显示较高的电流开关比和整流比。
-
公开(公告)号：CN110174193A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910432744.3
申请日：2019-05-23
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种场效应管应变传感器，结构包括隔离层，设置于隔离层上表面的源区、第一沟道层、漏区，所述第一沟道层上表面中部设置栅极氧化层，两侧设置第二沟道层；所述栅极氧化层上设置有栅极，所述漏区一侧设置有漏极，所述源区的一侧设置有源极；所述第一沟道层为拓扑绝缘体，第二沟道层为磁性材料；所述栅极氧化层表面施加一向下的力；所述第二沟道层和向下的力形成FM-strained-FM结，所述FM-strained-FM结与第一沟道层形成FM-strained-FM-TI异质结。本发明的传感器实现了功耗的降低与狄拉克表面态的法布里-珀罗量子干涉领域的探测应用，对于低功率纳米级应变传感器非常实用。
-
公开(公告)号：CN110137263A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910454186.0
申请日：2019-05-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/267 , H01L27/11521
Abstract: 本发明公开了一种基于黑磷-氮化硼-二硫化钼异质结构的浮栅场效应管，包括导电沟道、源区、漏区、栅区、栅极氧化层、浮栅、势垒层、源极、漏极、栅极；所述栅区、栅极氧化层、浮栅、势垒层、导电沟道依次叠加在一起，源区、漏区设置分别设置在导电沟道的左右两侧，栅区的底部设有栅极；所述浮栅、势垒层、导电沟道依次为二硫化钼、六方氮化硼、黑磷。本发明的浮栅场效应管具有显著的冗余比和耐久性能，可用于高性能的排版存储器和可重构逆变器逻辑电路，在完全基于二维原子晶体的存储器件中具有广阔的应用前景。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109326651A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810994244.4
申请日：2018-08-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24
CPC classification number: H01L29/78645 , H01L29/24 , H01L29/78603
Abstract: 本发明公开了一种双栅结构黑磷场效应管，包括导电沟道、源区、漏区、栅极氧化层、二氧化硅隔离层、硅材料衬底、源极、漏极和第一栅极，所述的导电沟道、源区和漏区为黑磷材料，栅极氧化层在所述导电沟道、源区和漏区上方，第一栅极设置在导电沟道上方栅极氧化层的外表面，在漏区上方栅极氧化层的外表面上设置第二栅极。本发明能够在降低闭态电流，消除短沟道效应的同时，维持较大的导通电流，在未来纳米电子应用领域有着广阔的前景。
-
公开(公告)号：CN103094347B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201310010494.7
申请日：2013-01-11
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管。该场效应管包括：导电沟道（1）、源区（2）、漏区（3）、栅极氧化层（4）、源极（S）、漏极（D）、栅极（G）；所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）均采用碳纳米管材料制作，在所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）外，采用原子沉积等方法生成一层栅极氧化层（4），在栅极氧化层（4）外再沉淀一层金属电极，作为双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管的栅极（G），所述的栅极（G）采用两种不同功函数的导电金属制作，形成双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管的异质栅；具有更低的泄漏电流，更高的电流开关比，更能抑制漏致势垒降低(DIBL)效应，并能够较好满足ITRS’10相关性能指标要求。
-
公开(公告)号：CN104091829A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410335055.8
申请日：2014-07-14
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L29/7831 , H01L29/78684
Abstract: 本发明公开了一种双线性掺杂漏异质材料栅氧化层石墨烯隧穿场效应管(DL-HTFETs)。该场效应管在源区/漏区进行P/N型重掺杂，源，漏两端靠近沟道区域进行线性掺杂，靠近源极的氧化层采用低K氧化物(SiO2)，靠近漏极的氧化层采用高K氧化物(HfO2)，我们采用了一种量子力学模型构建了新型双线性掺杂异质材料栅氧化层石墨烯隧穿场效应管的输运模型，利用该模型比较分析了高K隧穿场效应管(HK-TFETs)、普通栅氧化物隧穿场效应管(LK-TFETs)、异质栅氧化物隧穿场效应管(HTFETs)、普通场效应管和DL-HTFETs的电学特性。研究结果表明，DL-HTFETs具有更低的泄漏电流，更高的电流开关比，更低的功耗，更短的延迟时间等优点。
-
公开(公告)号：CN103935993A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410173082.X
申请日：2014-04-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种提高碳纳米管石墨化程度的方法，该方法利用铝热反应原理放出的大量的热处理碳纳米管，提高石墨化程度，减少缺陷，优化碳管结构的方法；该方法操作简单，具有快速加热、低能耗和周期短等优点，适用于大批量优化碳纳米管；该方法包括：将纳米级的铝粉与三氧化二铁或四氧化三铁粉末按一定的摩尔比充分混合均匀，形成铝热剂；将市售的碳纳米管装入到一石墨管中压实并将其密封，然后用铝热剂包覆在石墨管表面；以金属镁条作为引燃剂，点燃铝热剂，发生猛烈反应并放出大量的热，使得碳纳米管的C-C键发生重排；将处理后的碳纳米管从石墨管中取出，利用拉曼光谱分析其石墨化程度的改变情况。
-
公开(公告)号：CN103247688A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310141991.0
申请日：2013-04-22
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种双材料栅线性掺杂的石墨烯场效应管。基于量子力学非平衡格林函数理论框架，通过自洽求解泊松（Poisson）和薛定谔（Schrödinger）方程，构建了适用于石墨烯场效应管的输运模型，并利用该模型分析计算单一材料栅和双材料异质栅策略对石墨烯场效应管(GNRFET)电学特性的影响。通过与采用双材料栅的输出特性、转移特性、开关电流比等电学特性对比，发现这种双材料异质栅underlap线性掺杂策略结构的石墨烯场效应管具有更大的开关电流比、更小的亚阈值摆幅和阈值电压漂移，即表明双材料异质栅underlap线性掺杂具有更好的栅控能力，能够有效的抑制短沟道效应，带带隧穿和热载流子效应。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
66
records
(took 0.032 seconds)
