公开(公告)号：CN119025467A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202411069936.X

申请日：2024-08-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 王宇宣 ,  刘彦龙 ,  周自衡 ,  王悬济 ,  李张南 ,  王凯 ,  沈凡翔 ,  潘红兵

IPC: G06F15/163 ,  G06F9/30 ,  G06F12/10

Abstract: 本发明公开了一种用于多核通讯的电路及方法。其电路作为核间通讯模块部署在各个核上，用于在不同核之间以数据包的形式传递信息；该电路包括接收单元、发送单元以及全局寄存器；接收单元，用于接收来自核外的数据，并对该数据进行解析和处理，然后传输给核内；发送单元，用于接收来自核内的数据，并将核内数据进行解析和处理，然后传输至核外；全局寄存器，用于记录当前的工作模式与工作状态并分别连接所述接收单元与发送单元。本发明的电路具有配置灵活性强，结构简单，可扩展性强的优点，采用中断触发程序的方式，可配置性更强，可以应对各种复杂的数据传输需求。

公开(公告)号：CN118574022B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411047663.9

申请日：2024-08-01

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  刘泉 ,  蒋骏杰 ,  杨婷 ,  王凯 ,  吴天泽 ,  王一鸣

IPC: H04N25/40 ,  H04N25/70

Abstract: 本发明公开了一种基于视网膜成像原理的成像控制方法，属于成像技术领域。所述方法采用分级降采样策略模拟视网膜成像特点，在保证关注点的分辨率的同时降低整体图像的分辨率，可以大量降低数据存储空间，决策网络对该成像方法的输出结果进行评估和动态观测，且综合考虑了对场景中物体身份、位置和大小的估计损失，以及对下一时刻观测结果的估计损失和决策网络的生成概率与后验概率的差异估计损失，从而准确得到对当前时刻场景的理解以及决定下一时刻的分级降采样策略，并且在网络计算中，该方法可以大量降低计算量，有效减小数据传输带宽和功耗，为应用于边缘端设备提供了可能。

公开(公告)号：CN118247549A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410301781.1

申请日：2024-03-16

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  杨婷 ,  王凯 ,  蒋骏杰 ,  蔡梦瑶 ,  孙琰雯 ,  刘淇

IPC: G06V10/764 ,  G06V10/32 ,  G06V10/74 ,  G06V10/80 ,  G06V10/82 ,  G06N3/0464

Abstract: 本发明公开了一种基于朝向特征的图像分类方法。该方法包括如下步骤：对图像进行灰度化并重塑为225*225的像素规模；使用4个3*3的朝向算子分别与原始步骤S1重塑后图像中的3*3切片求余弦相似度，得到4个75*75大小的相似度矩阵；对每个相似度矩阵进行单阈值掩蔽；对4个通道计算余弦相似度得到的朝向特征信息进行特征融合；将融合得到的特征图送入骨干网络进行分类。本发明提供的图像分类方法基于的输入是图像的朝向特征信息，可以针对灰度图进行图像分类，相较于传统的直接将原始图像送入神经网络进行分类的方法，本发明可以从源头显著降低整个系统的数据量、网络规模和计算开销，同时在分类任务上的表现基本与传统方法相当。

公开(公告)号：CN113990890B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202111240585.0

申请日：2021-10-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  常峻淞 ,  沈凡翔 ,  王子豪 ,  陈辉 ,  李张南 ,  王凯 ,  胡心怡 ,  顾郅扬 ,  柴智

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/76

Abstract: 本发明公开了一种基于复合介质栅PN结的全局快门光敏探测器。其单元包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅MOS电容、复合介质栅晶体管和全局快门结构，其中，复合介质栅晶体管包括源漏区、底层绝缘介质层、浮栅、顶层绝缘介质层和控制栅极；复合介质栅MOS电容在衬底上依次设有底层绝缘介质层、浮栅、顶层绝缘介质层和控制栅极；复合介质栅MOS电容的两侧设有全局快门结构，全局快门结构包括P或P+型掺杂隔离区和N+型掺杂区，通过控制N+型掺杂区上的电压实现MOS电容感光时光电子收集的开启与关闭。本发明能在不额外占用探测器单元空间的情况下，实现探测器的全局曝光功能，并能避免现有浅槽隔离界面处暗电流噪声的影响。

公开(公告)号：CN117319821B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311624375.0

申请日：2023-11-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  王一鸣 ,  潘亦凡 ,  李龙飞 ,  吴天泽 ,  王凯 ,  常峻淞 ,  陈辉 ,  蒋骏杰 ,  杨婷 ,  杨思千 ,  蔡梦瑶

IPC: H04N25/70 ,  H04N25/78 ,  H04N25/709

Abstract: 本发明公开了基于偏置电流源的复合介质栅双晶体管像素读出电路，属于集成电路领域。该读出电路相对于现有通过读出电流的变化或读出电压的变化反应光敏探测器的光响应量的思路不同，复合介质栅双晶体管光敏探测器像素中的电流固定不变，通过阈值电压和源漏电压的比例关系直接获得电压变化量，进而确定光敏探测器的光响应量，而无需经过电阻、电容等器件，因此不会引入其他噪声，读取精度更高，而且本申请通过少数晶体管实现，结构简单稳定，面积极小。

公开(公告)号：CN111540758B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202010384628.1

申请日：2020-05-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  沈凡翔 ,  李张南 ,  王子豪 ,  王凯 ,  顾郅扬 ,  胡心怡 ,  柴智

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种基于复合介质栅横向耗尽的光敏探测器及其方法。其探测器的单元包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅MOS电容和复合介质栅晶体管，复合介质栅晶体管包括源漏区、第一底层绝缘介质层、第一浮栅、第一顶层绝缘介质层和第一控制栅极；复合介质栅MOS电容在衬底上依次设有第二底层绝缘介质层、第二浮栅、第二顶层绝缘介质层和第二控制栅极，第一浮栅与第二浮栅相连；复合介质栅MOS电容的衬底中设有N或N‑型感光区域；感光区域的四周设有P或P+型隔离区，用于将复合介质栅晶体管与复合介质栅MOS电容分隔开。本发明能够提高探测器的量子效率、扩大光响应的波长范围和减小表面能级产生复合导致的噪声。

公开(公告)号：CN114845137B

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202210278970.2

申请日：2022-03-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  蒋骏杰 ,  杨婷 ,  王凯 ,  吴永杰 ,  刘泉 ,  宋年华

IPC: H04N21/2343 ,  H04N21/4402 ,  G06T7/38

Abstract: 本发明提出了一种基于图像配准的视频光路重建方法及其装置。该方法包括如下步骤：S1，对视频进行图像配准，获得一组表征不同时刻视频前后帧之间的偏移向量序列；S2，根据偏移向量序列，对视频前后相邻帧进行插帧处理，获得高帧率视频；S3，利用高帧率视频，重构出每个像素的光子到达时刻序列，得到最终的视频光路模型。本发明利用了视频空间信息的冗余性，采用图像配准的方法进行视频插帧，使得视频的灰值信息更为准确，从而提升光路传播重建模型的准确性，对于优化成像芯片的设计，提升传感器输出的图像质量具有重要意义。

公开(公告)号：CN114845042A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210249149.8

申请日：2022-03-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  杨婷 ,  王凯 ,  王一鸣 ,  吴天泽 ,  吴永杰 ,  蒋骏杰

IPC: H04N5/232 ,  G06T7/00

Abstract: 本发明公开了一种基于图像信息熵的相机自动对焦方法。该方法包括如下步骤：针对相机实时取景的图像，计算图像的信息熵，相机根据计算的信息熵数据自动调整焦距，获得调焦的距离；根据所述调焦的距离和计算的信息熵数据拟合曲线，得到信息熵的最大拟合值；继续实时计算图像的信息熵，当某时刻的实时图像信息熵与信息熵的最大拟合值相等时，则相机处于准焦状态，停止调焦；否则，相机继续自动进行调焦。本发明提供的图像信息熵计算方法，可以针对灰度图进行图像信息熵的计算，对不同图像进行区分，相较于传统的只能区分图像不同灰度值像素的构成比例的香农熵计算方法而言，本发明的计算方法在区分图像结构信息方面更有优势。

公开(公告)号：CN112230709A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN202011112962.8

申请日：2020-10-16

Applicant: 南京大学

Inventor： 潘红兵 ,  李张南 ,  顾郅扬 ,  柴智 ,  胡心怡 ,  王子豪 ,  沈凡翔 ,  王凯 ,  王宇宣

IPC: G06E3/00 ,  G02B5/20 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明公开了一种可实现高精度光输入的光电计算装置及校准方法。其装置包括发光阵列、光电计算阵列和光学调制机构，发光阵列由多个发光单元周期性排列组成，光电计算阵列由多个光电计算单元周期性排列组成，光学调制机构用于对发光单元发出的光子进行调制；光电计算装置还包括辅助对准机构，辅助对准机构使得发光单元发出的光子经过光学调制机构后能够入射在计算关系上与发光单元相对应的光电计算单元中；辅助对准机构包括至少一个可成像阵列，可成像阵列与发光阵列或光电计算阵列二者之一在整个装置的光路中相对于另一者具有对易性。本发明不仅可以提高光输入的精度，而且可以方便地进行现场校准或调焦。

公开(公告)号：CN111969983A

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN202010697791.3

申请日：2020-07-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  任势达 ,  王凯 ,  沈凡翔 ,  李张南 ,  柴智

IPC: H03K5/22

Abstract: 本发明公开了一种电流减法电路。该电路包括9个晶体管，其中，晶体管M1的漏端和晶体管M5的漏端分别连接输入电流信号I1、I2；晶体管M1的源端、晶体管M3的栅端和漏端分别与晶体管M4的栅端相连；晶体管M2的源端和晶体管M4的漏端相连；晶体管M5的源端、晶体管M7的栅端和漏端分别与晶体管M8的栅端相连；晶体管M6的源端和晶体管M8的漏端相连；晶体管M2的漏端、晶体管M6的漏端、晶体管M9的栅端分别和晶体管M9的源端相连。本发明具有面积小，功耗低，成本低，集成度高等优点，能够很好地抑制微纳米工艺下晶体管的沟道长度调制效应，从而提高电流减法电路的线性度和精确度。