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公开(公告)号：CN111081702A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911128738.5
申请日：2019-11-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/737 , H01L21/82
Abstract: 一种等温分布的介质槽隔离结构SiGe HBT阵列，应用于无线通信系统、全球定位系统等射频功率集成电路中。由M×N个SiGe HBT单元构成，且每个单元均包含浅槽隔离结构和共用的深槽隔离结构。其中深槽隔离结构用于相邻单元间的隔离，浅槽隔离结构用于单元内部电极间隔离。同时，依据各单元位于SiGe HBT阵列中的位置，浅槽隔离结构深度由中心处向四周呈增大的对称分布；深槽隔离结构距单元中心处长度或宽度按照由中心向两侧呈线性减小的对称分布。与常规SiGe HBT阵列相比，本发明所述SiGe HBT阵列可有效改善各单元峰值结温分布和功率分布均匀性，进而实现稳态和瞬态热效应的同时改善。
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公开(公告)号：CN107946383B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201711181871.8
申请日：2017-11-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/10
Abstract: 本发明公开一种具有行波电极的硅基波导型光敏晶体管探测器。该探测器包括Si衬底；在Si衬底上依次制备出Si次集电区、Si集电区、SiGe基区和多晶Si发射区，SiGe基区上下各生长一层本征SiGe层。掺杂浓度高的SiGe基区作为光敏晶体管探测器的光吸收层；Si次集电区，Si集电区，本征SiGe层，SiGe基区和多晶硅发射区形成脊型波导结构；光窗口位于脊形波导的端面，实现入射光的侧面探测吸收。发射极电极和集电极电极构成的行波电极，可以有效的减少传统电极在传输高频信号时的分布效应，减少寄生电容对高速传输的影响。随着硅集成电路特征线宽逐渐缩小，用波导型SiGe探测器作为光互联的主要器件，可以缓解金属互联造成的传输信号延时、功率耗散、层间干扰等制约系统性能的问题。
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公开(公告)号：CN108900175A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810697165.7
申请日：2018-06-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/36
Abstract: 本发明提供了一种宽频带、大电感值、高Q值且Q值可独立调节的有源电感。该有源电感包括：第一跨导单元，第二跨导单元，频带拓展单元，可调分流单元，反馈单元。第一跨导单元与第二跨导单元首尾连接实现电感基本功能，反馈单元与第一跨导单元的并联连接，不但增大了电感值，而且增大了等效输出电阻，减小了等效串联电阻，实现了高的Q值；频带拓展单元和可调分流单元分别与第一跨导单元串联和并联，分别减小了有源电感的等效输入电容进而实现了宽的工作频带和实现了对第一跨导单元电流的调节进而可对电感值进行调节。本有源电感适用于对电感有宽频带工作要求，且在宽频带内对Q值有独立调节要求的射频集成电路。
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公开(公告)号：CN103888083B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201410106213.2
申请日：2014-03-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种宽带低噪声放大器，其包括第一双极型晶体管，第二双极型晶体管，第三双极型晶体管，第四双极型晶体管，第五双极型晶体管，第六双极型晶体管，第七双极型晶体管，第一MOS管，第二MOS管，第一电阻，第二电阻，第三电阻，第四电阻，第五电阻，第六电阻，第七电阻，第八电阻，第九电阻，第一电容，第二电容，第三电容，第四电容。该宽带低噪声放大器在保障宽带低噪声放大器良好的增益特性、良好的噪声特性的情况下，减小了芯片面积，同时实现了增益可调节。
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公开(公告)号：CN105071784B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201510425313.6
申请日：2015-07-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/02
Abstract: 本发明提供一种宽频带、高Q值有源电感，包括：第一跨导放大器，第二跨导放大器，有源反馈电阻，可变电容，第一电流源，第二电流源，分流支路。两个跨导放大器首尾连接构成回转器，回转器把第一跨导放大器的输入电容回转为等效电感。第一电流源为第二跨导放大器提供电流，第二电流源为第一跨导放大器提供电流。本发明在负跨导放大器采用电压调制的共射‑共基结构组成的复合管，增加了放大器的输出阻抗进而减小零点频率，拓展了带宽；采用有源反馈电阻和可变电容，提高了品质因子Q值和等效电感值以及它们的可调性。通过对各个晶体管栅极电压与可变电容电容值的协同调节，有源电感实现了宽频带、高Q值以及带宽和Q值的可调节。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104953984B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510357707.2
申请日：2015-06-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/30
Abstract: 本发明提供了一种线性化的晶体管合成电感，包括：第一跨导放大器，第二跨导放大器，第一电流镜，第二电流镜，第三电流镜，反馈电容，可调电阻，第一可调电流源，第二可调电压源。其中：两个跨导放大器交叉连接构成回转器，回转器能够把第二跨导放大器的输入电容回转成等效电感。可调电阻用于提高晶体管合成电感的等效电感值与品质因子Q值。第一电流镜中的一个MOS晶体管与第一跨导放大器中的一个晶体管连接构成电路复用的负阻网络，提高了Q值。采用反馈电容与三个电流镜构成的前向反馈电流源，改善了电感的1‑dB压缩点和总谐波失真。本发明电感可应用于放大器中，提高放大器的线性度，并且当输入信号的幅度变化时，放大器的增益稳定。
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公开(公告)号：CN106169498A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610617990.2
申请日：2016-07-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/16 , H01L29/165 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/737 , H01L29/0607 , H01L29/0817 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/16 , H01L29/165
Abstract: 本发明公开了一种具有高热稳定性的超结应变Si/SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用SiGe虚拟衬底结构，其上分别外延生长弛豫Si1‑yGey次集电区、弛豫Si1‑yGey集电区、应变Si1‑xGex基区和应变Si发射区。所述晶体管通过在弛豫Si1‑yGey集电区引入与应变Si1‑xGex基区平行的超结p型层达到改善集电结空间电荷区电场分布、降低峰值电子温度、抑制碰撞电离和提高器件击穿电压的目的。同时，超结p型层的引入，将有效降低弛豫Si1‑yGey集电区的掺杂浓度和声子散射几率、提高弛豫Si1‑yGey集电区热导率。所述晶体管兼具大电流增益和高击穿电压特性，且内部温度分布显著降低，特征频率温度敏感性得到改善，可在较宽的工作温度范围内实现高热稳定性工作。
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公开(公告)号：CN103545399B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310518342.8
申请日：2013-10-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开一种行波电极渐变耦合脊波导InP双异质结光敏晶体管（DHPT）。采用双异质结结构，包括一InP发射区-InGaAsP基区构成的（e-b）异质结和一InGaAsP基区-InGaAsP集电区构成的（b-c）异质结，代替传统异质结光敏晶体管（HPT）e-b结单异质结结构；一掺杂浓度很高的InGaAsP基区作为DHPT的光吸收层；一InGaAsP基区，InGaAsP集电区和InGaAsP次集电区形成的渐变耦合脊波导结构实现被探测光被侧边探测吸收，代替传统HPT光从顶端垂直入射的方式。光传输方向与载流子传输方向垂直，能分别优化光吸收效率和工作速度。一发射极电极和集电极电极构成的行波电极，可以有效的减少传统电极在传输高频信号时的分布效应，减少寄生电容对高速传输的影响，进一步提高器件的工作速度。
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公开(公告)号：CN105680822A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610007381.5
申请日：2016-01-06
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H03H11/0422 , H03F1/565
Abstract: 一种高Q值、电感值与工作频率范围可调谐的有源电感，该有源电感包括可变电容、有源反馈电阻、正跨导放大器、负跨导放大器、第一可调电流源、第二可调电流源、隔直电容。其中负跨导放大器为在共源极-共栅极结构上加入多重电压调制电路；可调节的有源反馈电阻连接于正负跨导放大器之间，用于改善有源电感的实部损耗，进而进一步地提高Q值；可变电容连接于正跨导放大器的输入端和负跨导放大器的输出端，用于调节有源电感的负载电容，进而扩展电感值和Q值的调节范围。两个可调电流源分别为正跨导放大器和负跨导放大器提供直流偏置，并可以调节有源电感的工作频率范围。这些组成部分使得该有源电感的工作频率、电感值和Q值均可进行调节。
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公开(公告)号：CN104898761A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510357334.9
申请日：2015-06-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: G05F3/28
Abstract: 本发明提供了一种晶体管合成电感，包括：隔直流电容，第一跨导放大器，第二跨导放大器，反馈晶体管，第一电流镜，第二电流镜。两个跨导放大器分别为一个正跨导放大器与一个负跨导放大器，两个跨导放大器交叉连接构成回转器，回转器把第二跨导放大器的输入电容回转为等效电感。两个电流镜与反馈晶体管构成的电流镜反馈环路跨接在两个跨导放大器的输入端之间，用来减小因输入信号幅度的变化而引起的品质因子Q值的变化。本发明中的晶体管合成电感，当输入信号的幅度变化时，Q值基本保持恒定。具有恒定Q值的晶体管合成电感用于电压控制(电流控制)振荡器中，能够降低振荡器的相位噪声。
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