公开(公告)号：CN111883579B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202010796589.6

申请日：2020-08-10

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 刘凯 ,  楼海君 ,  林信南

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种无结型场效应晶体管，包括无结纳米线，所述无结纳米线包括沿其轴线方向依次定义的源区、沟道区和漏区；环所述沟道区的外周表面全覆盖有栅电介质层，环所述栅电介质层的外周表面全覆盖有栅电极层；由于无结型场效应晶体管源电介质层和漏电介质层分别位于源区的端面和漏区的端面，使得器件在工作时，金属与半导体体硅接触的位置与沟道相距更近，所以源漏电阻降低，从而极大的增大了器件的开态电流，边缘粗糙度造成器件电学特性的波动进一步受到抑制，提高了器件电学特性的稳定性。

公开(公告)号：CN109860289B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201811473699.8

申请日：2018-12-04

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 林信南 ,  邝文腾

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请提出一种晶体管，其包括GaN外延片；隔离分布于GaN外延片上表面的栅极、源极和漏极；形成于GaN外延片上表面、栅极、源极和漏极之间的SiO2钝化层；还包括具有高掺杂区和低掺杂区的双掺杂p型栅结构。本申请还提供一种晶体管制作方法，包括如下过程：制备GaN外延片；在GaN外延片上制成掺杂结构；在掺杂结构中形成低掺杂区；在掺杂结构中形成高掺杂区；制成源极金属电极区、栅极金属电极区和漏极金属电极区。本申请采用简单高效的方法制作晶体管，可操作性强，适合于晶体管量产工艺的开发，利于大批量生产；所制得的晶体管具有两个掺杂浓度的掺杂区域，可以有效提高阈值电压和输出电流。

公开(公告)号：CN109979808B

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN201910194173.4

申请日：2019-03-14

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 林信南 ,  刘美华

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请公开了一种减薄碳化硅片的方法、装置及其应用。本申请的方法包括，沉积步骤，在碳化硅片背面沉积金属层；热反应步骤，在惰性气氛下进行高温热处理；贴膜保护步骤，在碳化硅片正面粘贴保护膜；酸腐蚀步骤，采用酸性溶液对碳化硅片进行浸泡；水洗步骤，对碳化硅片进行水冲洗，干燥；机械磨削步骤，采用磨头对碳化硅片的背面进行磨削；去保护膜步骤，去除粘贴在碳化硅片正面的保护膜。本申请的方法，利用金属层中的金属在高温下与碳化硅中的硅发生互溶反应，改变碳化硅背面表层的物理化学性质，降低表层硬度，使其能正常使用硅圆片减薄设备进行减薄，不仅减薄效果良好，而且极大的降低了碳化硅片产品的生产成本。

公开(公告)号：CN109192698B

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201810771532.3

申请日：2018-07-13

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 孙辉 ,  胡腾飞 ,  刘美华 ,  林信南 ,  陈东敏

IPC: H01L21/76

Abstract: 本发明公开了一种基于InGaN插入层实现GaN器件隔离的方法，该方法包括：准备GaN外延片，GaN外延片的GaN沟道层和AlGaN势垒层之间形成二维电子气，在GaN外延片的隔离区之间设置InGaN插入层，InGaN插入层设置在AlGaN层外，InGaN插入层与AlGaN势垒层的异质结中诱导出极化负电荷，极化负电荷耗尽二维电子气中的电子以实现不同器件区的隔离。本发明实现了器件的隔离，隔离区稳定性高，平坦化好。本方法避免传统GaN器件隔离工序中因离子注入造成的损伤和不稳定性，同时也避免了刻蚀带来的界面损伤和深槽，保证了器件的平坦化，是基于大尺寸平台量产GaN器件工艺中非常好的技术选择。

公开(公告)号：CN109742135A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201811466155.9

申请日：2018-12-03

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 林信南 ,  黄樟伟

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法。一方面由于在碳化硅MOSFET器件的结型场效应管区域的上方内嵌一个肖特基结，即在碳化硅MOSFET器件内嵌一个肖特基二极管，使得碳化硅MOSFET器件存在的开关损耗问题得到解决。另一方面该器件的制造过程中使用的工艺和条件均为Si CMOS工艺兼容的，并且工艺复杂度低，可操作性强，很好的协调了器件性能和工艺复杂度之间的矛盾。因此，综上所述，本申请可以有效的增大开关速度，减小了开关损耗，为碳化硅MOSFET的生产提供了很好的借鉴和参考。

公开(公告)号：CN106446405B

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201610846024.8

申请日：2016-09-23

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 林信南 ,  张志远

IPC: G06F17/50 ,  G06N3/08

Abstract: 本申请公开了一种集成电路器件神经网络建模样本选择方法及装置，对于平均影响值最大的输入变量，通过将该输入变量的区间不断地均等划分，直到所有划分出的区间的相对误差都小于或等于预设的误差精度时才停止均等划分动作，并输出划分出的长度最小的区间的长度为该输出变量的步长，再根据该输入变量的步长分别计算其他各输入变量步长，最后对于每一个输入变量，根据其变化区间及步长进行取点，以得到每一个输入变量的样本点集合，从而可以实现在给定精度的情况下实现低样本数据量的选择，并且低样本数据量还节约了器件建模所需的测试开销，提高了神经网络的训练速度。

公开(公告)号：CN108987474A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810572026.1

申请日：2018-06-04

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 孙辉 ,  胡腾飞 ,  刘美华 ,  林信南 ,  陈东敏

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 一种增强型HEMT及其制备方法，该增强型HEMT包括GaN外延片、分别位于GaN外延片两端的源极和漏极及位于源极和漏极之间的栅极，该栅极包括多个凹型栅槽，该凹型栅槽表面直接沉积有栅极金属层形成肖特基栅极，或依次沉积栅介质层和栅极金属层形成MIS栅极，凹型栅槽的底部位于GaN外延片的势垒层内，其总长度等于预设栅长，保证了足够的栅极控制能力；各凹型栅槽的深度沿远离源电极的方向依次减小，使得沟道中电子耗尽程度依次减弱，保证了沟道中存在足够的电子，这样能够在实现增强型的基础上维持大电流的特性，从而减小了沟道的导通电阻，降低了器件的功耗。

公开(公告)号：CN108987277A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810564945.4

申请日：2018-06-04

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 孙辉 ,  胡腾飞 ,  刘美华 ,  林信南 ,  陈东敏

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/778

Abstract: 一种增强型HEMT及其制备方法，该方法包括：准备包含衬底、缓冲层、沟道层、势垒层和帽层结构的GaN外延片；在GaN外延片上刻蚀由第一层光罩定义的隔离区和栅极区，形成刻蚀深度深入沟道层的隔离窗口和栅极窗口；依次沉积栅介质层和栅极金属层，使栅介质层和栅极金属层覆盖GaN外延片表面及隔离窗口和栅极窗口的内壁；刻蚀由第二层光罩定义的欧姆接触区，使刻蚀停止在势垒层的表面、内部或底部，形成源极窗口和漏极窗口；沉积欧姆金属层；刻蚀掉由第三层光罩定义的电极区以外的欧姆金属层和栅极金属层，形成源极、漏极和栅极。由于隔离区和栅极区使用同一层光罩同时进行制备，减少了一层光罩的使用，从而有效降低了加工成本，更适合于进行批量生产。

公开(公告)号：CN108710472A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201810394073.1

申请日：2018-04-27

Applicant: 北京大学深圳研究生院 ,  深港产学研基地

Inventor： 李大刚 ,  郑经炜 ,  陈诗雁 ,  林信南

IPC: G06F3/06

CPC classification number: G06F3/061 ,  G06F3/0655 ,  G06F3/067

Abstract: 本发明提供一种用于存储单元内部的磨损均衡管理方法及分布式存储系统，所述磨损均衡管理方法包括以下步骤：步骤S1，接收并判断数据请求的类型，当接收数据记录写入请求时跳转至步骤S2，当接收数据记录访问请求时跳转至步骤S3；步骤S2，根据上一个数据记录的偏移纪录写入当前的数据记录，并在写入当前的数据记录后，保存当前的数据记录的结束位置作为下一个数据纪录的偏移纪录；步骤S3，根据数据记录访问请求读取其所在存储单元的偏移记录，并从偏移量开始读出数据记录中的数据。本发明通过记录存储单元内部的读写情况，使得对该存储单元的连续写操作会优先将整个存储单元的内部写满，能够延长存储单元的循环读写寿命，提高读写性能。

公开(公告)号：CN107634009A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201710682055.9

申请日：2017-08-10

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 孙辉 ,  刘美华 ,  林信南 ,  陈东敏

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/285 ,  H01L29/51 ,  H01L29/778 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种GaN MOS-HEMT器件及其制备方法，该方法为：在GaN外延片上沉积氮化硅介质层，保护材料表面；刻蚀形成栅极窗口；在氮化硅介质层表面和栅极窗口内沉积多晶硅层；将多晶硅层氧化为SiO2栅介质层；刻蚀形成欧姆接触孔；淀积欧姆金属并形成源漏电极；淀积栅电极金属并形成栅电极；表面保护并打开电极(PAD)窗口。本发明的制备工艺和条件均与Si CMOS工艺兼容，其工艺简单，可操作性强，很好的协调了器件性能和工艺复杂度之间的矛盾，为GaN MOS-HEMT器件的量产提供了可能；本发明的栅介质层采用SiO2薄膜构成，其致密性良好，陷阱电荷少，既可降低GaN器件的栅极泄漏电流，又能使GaN器件具有较好的动态特性，可显著提升器件的性能和稳定性。