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公开(公告)号：CN113629019A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110712760.5
申请日：2021-06-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/768 , H01L23/488 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种毫米波封装结构。该毫米波封装结构采取在硅衬底表面刻槽，并将射频芯片填埋的方式，减小了封装结构的厚度，使封装结构更加紧凑。本发明的天线、接地单元、硅衬底与芯片垂直互联，也使得封装结构更加紧凑。本发明利用由低损耗的介电材料旋涂玻璃生成的SiO2薄膜作为层间的介质层。SiO2作为介质层，具有优良的介电性能，能够降低芯片与天线之间的互连损耗。此外，由旋涂玻璃生成SiO2薄膜的方法比通过等离子体增强化学气相淀积法沉积SiO2的工作温度低，与芯片的兼容性更好。另外，本发明的传输线不经过硅衬底，电学信号在垂直方向上由芯片通过波导传至天线，也能够降低损耗，最大限度的提高天线的增益。本发明还涉及所述毫米波封装结构的制备方法。
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公开(公告)号：CN113257757A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110557585.7
申请日：2021-05-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/367 , H01L23/473
Abstract: 本发明涉及一种包括嵌入歧管式微流道的硅基扇出型封装结构，其包括：芯片，包括衬底和位于所述衬底背部的嵌入式微流道；硅基转接板,包括用于填埋所述芯片的凹槽、位于所述凹槽下方并与其连通的歧管通道、入液口和出液口；用于使所述嵌入式微流道和所述歧管通道密封连通的低温密封层，所述低温密封层位于所述芯片和所述硅基转接板之间；以及位于所述芯片顶部的重布线层。本发明还涉及一种包括嵌入歧管式微流道的硅基扇出型封装结构的制备方法。本发明的硅基扇出型封装结构同时具有低温工艺兼容性和封装兼容性并且具有高的散热效率。本发明的嵌入歧管式微流道具有流动距离短、流阻小、热阻小的优势，更适合集成在高功率芯片中进行高效散热。
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公开(公告)号：CN110669637A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910936055.6
申请日：2019-09-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供了基于微孔滤膜的真菌孢子分离装置及其系统和分离方法，包括由上至下依次连接的上层进样池、上层硅胶胶圈、上层微孔滤膜、上层引流管、上层卡夹、下层进样池、下层硅胶胶圈、下层微孔滤膜、下层引流管以及下层卡夹；上层、下层进样池均为空心圆柱体；上层、下层进样池的底部分别设置有上层、下层进样口；进样池与引流管依靠卡夹紧密连接；上层引流管的下端依次穿过上层卡夹的中部、穿入下层进样池的内部。双层微孔滤膜均具备很好的柔性，可在过滤完之后取下，直接折叠后放入EP管中进行后续检测，与下游检测技术高度兼容。本发明主要依靠真菌孢子与体液中其他细胞之间的物理性质差异，从而针对不同目标进行选择性地分离、富集。
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公开(公告)号：CN105716750B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610037420.6
申请日：2016-01-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法。本发明首次提出具有回旋镖结构的硅应变膜，压敏电阻排布于回旋镖结构的应力集中处，提高了压阻式压力传感器的灵敏度和线性度；选择LPCVD的SiO2/Si3N4作为KOH腐蚀工艺的掩膜，提高了KOH背腔腐蚀工艺中掩膜对K+的阻挡特性从而保证传感器的高可靠性；采用了硅玻璃阳极键合工艺，其中的玻璃起到了应力缓冲的作用，提高了传感器在后续封装和测试中的稳定性。本发明的MEMS压阻式压力传感器同时具有较高的灵敏度和线性度，其制备方法兼容于通用的MEMS加工技术，产品可靠性以及成品率较高。
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公开(公告)号：CN106197933B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201610565292.2
申请日：2016-07-18
Applicant: 北京大学
IPC: G01M7/08
Abstract: 本发明提供一种热驱冲击试验机，包括：一热驱加载机构，包括两个加载热驱执行器，通过一加载放大杠杆连接，该加载放大杠杆的中点处连接一加载锯齿扣，该加载锯齿扣含有多个一类锯齿；该中点处还通过一单梁连接一冲击质量块和一负载储能弹簧；一热驱卸载机构，包括两个释放热驱执行器，通过一释放放大杠杆连接，该释放放大杠杆的中点处连接一释放锯齿扣，该释放锯齿扣含有一二类锯齿；一锯齿锁，包括两个互相平行的横梁，该两个横梁的一端设有一对三类锯齿，该三类锯齿与所述一类锯齿抵近并配合；另一端设有一对四类锯齿，该四类锯齿与所述二类锯齿抵近并配合。本发明另提供一种在线检测系统。本发明还提供一种在线检测方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107694347A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710679586.2
申请日：2017-08-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种微孔阵列滤膜及其制备方法和应用，基于保形淀积的聚合物的微机电系统工艺(如Parylene MEMS工艺)制造了具有1平方厘米以上工作面积、可精确调控孔径及孔间隙的微孔阵列滤膜，该微孔阵列滤膜具有2.5维特点和超高孔隙率，能够实现超大体积通量的细胞富集分离。
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公开(公告)号：CN104697700B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201510063605.X
申请日：2015-02-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种压阻式压力计芯片结构及其制备方法，优选采用TSV和CMP工艺来实现。其中硅应变膜的厚度可以利用TSV工艺提前确定，在利用CMP工艺进行硅片减薄时可以自停止在TSV金属填充孔位置，可以大幅提高硅应变膜厚度的控制精度，大幅提高芯片成品率；在完成键合面金属引线和键合面绝缘介质隔离层的制备后利用CMP工艺对待键合硅面做平整化处理，可以有效的提高硅玻璃阳极键合的气密性和强度，提高芯片长期可靠性；同时，通过键合面绝缘介质隔离层的制备有效避免了阳极键合过程中的高能离子对键合界面金属引线的损耗，可以有效提高金属电信号连接的可靠性。
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公开(公告)号：CN104003350B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410205595.4
申请日：2014-05-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种应用于体硅谐振式压力传感器的圆片级封装方法，其步骤包括：1)根据谐振式压力传感器的结构选取合适的SOI硅片和进行阳极键合的玻璃片；2)对SOI硅片的器件层进行台阶刻蚀，形成器件结构；3)去除部分埋氧层，释放器件结构；4)将SOI片和玻璃片进行真空阳极键合；5)对硅片进行减薄；6)通过光刻定义引线窗口，然后刻蚀硅，露出埋氧层；7)去除引线窗口内的埋氧层；8)在硅片表面淀积二氧化硅，形成电学隔离；9)对淀积的二氧化硅进行刻蚀，形成pad孔；10)淀积金属pad。本发明采用圆片级封装，工艺流程简单，能够大大降低体硅谐振式压力传感器的真空封装成本。
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公开(公告)号：CN105842841A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610289281.6
申请日：2016-05-04
Applicant: 北京大学
IPC: G02B26/00
CPC classification number: G02B26/005
Abstract: 本发明涉及一种基于Parylene的柔性电润湿显示装置及制备方法。该柔性电润湿显示装置，包括若干顶电极、若干底电极和位于顶电极与底电极之间的柔性介质层；在顶电极上设有用于分隔各显示单元的侧壁，在各显示单元的腔室内填充有两种互不相溶的液体，其中有且只有一种液体导电；在柔性介质层与底电极之间设有彩色滤光片；在各显示单元外部设有柔性密封层。所述柔性介质层和所述柔性密封层优选采用Parylene材料。本发明所提供的电润湿显示技术具有密封性好、功耗低的优点，是未来移动便携设备显示的一套成熟可行的解决方案。
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