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公开(公告)号：CN107500276A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710845504.7
申请日：2017-09-19
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种利用醋酸铜制备超洁净石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：按照气路由上游至下游的方向，依次间隔放置醋酸铜和铜基底，通入氢气进行化学气相沉积，沉积完毕得到所述超洁净石墨烯；所述醋酸铜所处温区的温度为醋酸铜的挥发温度。该制备方法简单，原料易得，石墨烯洁净度优于甲烷生长得到的结果，可以得到超洁净、高质量的单层石墨烯薄膜，在光学、电学等领域具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN105386124A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510931329.4
申请日：2015-12-15
Applicant: 北京大学
CPC classification number: C30B29/02 , C25F3/22 , C30B25/186 , C30B29/64
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯单晶及其快速生长方法。该方法包括：将退火后的铜箔进行一次钝化，再在恒定温度的条件下，依次进行一次生长、二次钝化、二次生长，再降温至室温停止生长，得到沉积在铜箔上的所述石墨烯单晶；其中，所述一次生长和二次生长步骤中，生长气氛均由还原性气体和碳源气体组成；且所述二次生长步骤中，碳源气体在所述生长气氛中的分压高于所述一次生长步骤中碳源气体的分压。该方法工艺简单，可大规模生产，单晶畴区尺寸达到亚厘米级，单晶质量高，能适用于电子学上的应用。
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公开(公告)号：CN111485224B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201910085922.X
申请日：2019-01-29
IPC: C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/26
Abstract: 本发明提供了一种化学气相沉积装置及化学气相沉积方法。化学气相沉积装置用于制备薄膜材料，包括第一腔室、第二腔室、过渡腔室、底盘以及传送机构。第一腔室和第二腔室用于薄膜材料的生长或后处理。过渡腔室通过隔离件分别连通于第一腔室和第二腔室。底盘用于装载生长衬底。传送机构被配置为在第一腔室和过渡腔室之间传送底盘，以及在第二腔室和过渡腔室之间传送底盘。本发明提供的化学气相沉积方法利用上述的装置进行薄膜材料的生长或后处理。
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公开(公告)号：CN114572970B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202210291247.8
申请日：2022-03-23
IPC: C01B32/186
Abstract: 本申请提供一种分区式石墨烯薄膜制备装置，包括放料腔、收料腔和高温腔。放料腔内部设置有放料辊。收料腔内部设置有收料辊。高温腔设置在放料腔和收料腔之间，高温腔的内部设置有载具，载具的上方设置有限域挡板，限域挡板与载具形成一狭缝，限域挡板邻近放料腔，狭缝和载具均由放料腔向收料腔延伸，狭缝的延伸长度是载具的延伸长度的30％～60％，载具的下方设置有加热器。通过以上设计，可实现衬底预处理区域和石墨烯薄膜的高温生长区域分开，且预处理和高温生长可以同时进行。
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公开(公告)号：CN117623291A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311723576.6
申请日：2023-12-14
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开一种双层石墨烯薄膜的制备方法，包括：S1，向气相沉积系统通入氢气和甲烷进行气相沉积反应，在基底上生长具有双层石墨烯畴区的石墨烯核；S2，向所述气相沉积系统中通入氧气；以及S3，提高甲烷分压，继续进行生长。本发明的化学气相沉积法直接生长双层石墨烯薄膜的方法，首先形成具有双层石墨烯小核；接着通入氧气刻蚀除去不稳定的石墨烯核，最后增加甲烷的分压以促进双层石墨烯的生长，从而制备出第二层石墨烯层面积与第一层面积相差不大的双层石墨烯薄膜。并且本发明的方法可以形成具有任意扭转角度的双层石墨烯薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117602617A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311369646.2
申请日：2023-10-20
Abstract: 本发明提供一种双层石墨烯薄膜的生长方法，包括：以具有高指数面的铜镍合金为衬底，高温气相沉积生长石墨烯后降温偏析生长石墨烯；其中所述高温气相沉积生长石墨烯包括：在900～1150℃下气相沉积生长石墨烯；所述降温偏析生长石墨烯包括：以一定降温速率下从所述高温气相沉积生长石墨烯阶段结束温度降温至500～860℃，在这一时段进行所述降温偏析生长石墨烯。本发明通过采用高指数面的铜镍衬底，使用两步法(高温生长和降温偏析生长)可以制备出双层覆盖度高达90％、三层及以上畴区覆盖度小于6％的双层石墨烯薄膜。实现了抑制三层及以上石墨烯畴区成核及长大，有望提高双层石墨烯的性能及拓展其应用场景。
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公开(公告)号：CN117348231A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311374117.1
申请日：2023-10-23
IPC: G02B21/28
Abstract: 本发明提供一种用于光学观测装置的盖板组件及光学观测装置，该盖板组件包括盖板本体、第一观察窗和第二观察窗，第一观察窗设置于盖板本体内；第二观察窗设置于盖板本体内，第一观察窗和第二观察窗平行间隔设置，液冷系统环设于第一观察窗和第二观察窗的周围，用于对第一观察窗和第二观察窗进行液冷冷却。风冷系统设置于盖板本体内并设置于第一观察窗和第二观察窗之间，用于对第一观察窗和第二观察窗进行风冷冷却。在盖板本体的内部同时具有液冷系统和风冷系统，采用液冷和风冷相结合的方式，冷却效果好，延长显微镜的使用寿命，且加热器的尺寸无需进行限制，从而保证光学观测装置的检测效果。
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公开(公告)号：CN116445856A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310442703.9
申请日：2023-04-23
IPC: C23C14/06
Abstract: 本发明公开一种石墨烯薄膜的制备方法及其该方法制备的石墨烯。该制备方法以乙炔、丙酮和氩气的混合气体为碳源在衬底上生长石墨烯薄膜。本发明以乙炔、丙酮和氩气的混合气体为碳源可以实现在多种衬底上的快速、高质量、大面积生长石墨烯薄膜。生长时间可以从小时量级缩短到分钟量级，显著缩短石墨烯的生长时间；同时生长的石墨烯薄膜单层覆盖度＞99％，ID/IG显著低于0.05，可以显著提高石墨烯的单层覆盖度及石墨烯薄膜的质量；可实现一定面积范围的石墨烯薄膜的批量生长。
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公开(公告)号：CN113622024B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202010380747.X
申请日：2020-05-08
Abstract: 本发明提供了一种单晶石墨烯的制备方法，包括通过化学气相沉积工艺制备所述单晶石墨烯；其中，所述化学气相沉积工艺包括如下步骤：S1：于不包含还原性气体的反应体系内，在基底上形成石墨烯核；以及S2：于还原性气体的作用下，在所述石墨烯核的基础上形成所述单晶石墨烯。本发明一实施方式的单晶石墨烯的制备方法，在石墨烯成核阶段未使用还原性气体，使得石墨烯核的取向完全受单晶基底的调控，实现取向一致。
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公开(公告)号：CN112442729B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201910816010.5
申请日：2019-08-30
Abstract: 本申请提供一种制备大面积单晶铜箔的方法。本申请提供的方法包括：‑提供多晶铜箔；‑提供材质为石墨或六方氮化硼的载具；‑将所述多晶铜箔置于所述载具上；‑对所述载具上的所述多晶铜箔在一定温度梯度下进行退火，得到所述单晶铜箔。由于石墨和六方氮化硼等载具具有优良的润滑性，高温下铜和石墨或六方氮化硼的相互作用较弱，采用这种材质的载具可以大大减小退火过程中载具与其上方铜箔之间的相互作用，减小高温下载具对铜箔产生的外应力，因此不仅保证了良好的单晶化效果，而且可以维持铜箔本身形貌的规则平整。
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