公开(公告)号：CN116936786A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202210362225.6

申请日：2022-04-07

申请人： 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

发明人： 沈伟 ,  曹风 ,  王雄彪 ,  徐涛 ,  李科 ,  彭海琳 ,  刘忠范

IPC分类号： H01M4/38 ,  H01M4/62

摘要： 本发明公开了一种石墨烯修饰铝箔的制备方法，将铝箔放入处理液中，使铝箔表面的氧化铝层与处理液发生腐蚀反应，控制反应时间，使表层部分氧化铝反应溶解，形成粗糙的表面结构；通过控制处理液的种类和反应时间，可确保铝箔表面在形成粗糙结构的同时，氧化铝层不被完全腐蚀溶解。在后续气相沉积生长石墨烯时，裂解的碳易与氧化铝中的氧形成C‑O‑Al共价键，C‑O‑Al共价键显著提升石墨烯层和铝箔的界面粘合力，提升石墨烯层的剥离强度。

公开(公告)号：CN115165933A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210741389.X

申请日：2022-06-28

申请人： 北京大学

发明人： 彭海琳 ,  郑黎明 ,  高啸寅 ,  张亦弛

IPC分类号： G01N23/04 ,  G01N23/20025 ,  G01N23/2202 ,  G01N23/2251 ,  C01B32/194

摘要： 本发明公开了一种石墨烯‑多孔膜‑石墨烯三明治液池结构及其制备方法和应用，属于材料领域。本发明的制备方法包括将厚度、尺寸可控的多孔膜与石墨烯贴合后得到石墨烯‑多孔膜复合结构，随后将其转移至金属微栅上，得到金属微栅‑石墨烯‑多孔膜复合结构；在所述金属微栅‑石墨烯‑多孔膜复合结构上再转移一片自支撑的石墨烯膜构成石墨烯‑多孔膜‑石墨烯三明治液池结构，其中，液体被封装在多孔膜的圆柱形的孔洞中，同时上、下表面分别被石墨烯封装。本发明的石墨烯‑多孔膜‑石墨烯三明治液池结构可进行液相电镜成像或冷冻电镜成像。

公开(公告)号：CN113445030A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202010216388.4

申请日：2020-03-25

申请人： 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

发明人： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  李广亮 ,  张金灿 ,  刘晓婷 ,  薛睿文 ,  陈恒

IPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/26

摘要： 本发明提供了一种提高石墨烯薄膜洁净度的方法及石墨烯薄膜，该方法包括将石墨烯薄膜在真空环境中进行高温处理；其中，所述高温处理的温度为800～1050℃，所述石墨烯薄膜通过化学气相沉积方法制得。本发明一实施方式的方法，可在较大程度上提高石墨烯薄膜的洁净度，且洁净度的均匀性好。

公开(公告)号：CN108550788B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201810391288.8

申请日：2018-04-27

申请人： 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

发明人： 彭海琳 ,  王铭展 ,  刘忠范

IPC分类号： H01M4/13 ,  H01M4/139 ,  H01M4/66 ,  H01M10/0525

摘要： 本发明提供正极集流体、电池正极极片及锂离子电池，该正极集流体包括石墨烯复合铝箔材料层，其中所述石墨烯复合铝箔材料层包括：铝箔基底；平面石墨烯层，所述平面石墨烯层平行位于所述铝箔基底上；垂直石墨烯层，所述垂直石墨烯层垂直位于所述平面石墨烯层上。本发明利用具有垂直石墨烯层的石墨烯复合铝箔作为锂离子电池正极集流体，用以增强锂离子电池正极极片剥离强度。与普通铝箔集流体相比，电极材料的剥离强度大幅度提高，有利于提高电极极片制作加工的成品率以及锂离子电池的循环稳定性。

公开(公告)号：CN112301411A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201910710763.8

申请日：2019-08-02

申请人： 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

发明人： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  张金灿 ,  刘晓婷 ,  张月新 ,  李广亮

IPC分类号： C30B1/02 ,  C30B29/02

摘要： 本发明一实施方式提供了一种制备单晶铜箔的方法，包括将多晶铜箔倾斜放置进行退火处理，制得所述单晶铜箔。本发明一实施方式的方法，快速、重复性高、成本低，可用于制备大尺寸的单晶铜箔。

公开(公告)号：CN112299399A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201910680165.0

申请日：2019-07-26

申请人： 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

发明人： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  孙禄钊 ,  钟山 ,  李杨立志 ,  王悦晨 ,  余屹 ,  陈步航

IPC分类号： C01B32/186

摘要： 提供一种多层石墨烯的生长方法，包括如下步骤：S1，通过气相沉积在基底上形成石墨烯核；及S2，改变生长条件，继续生长，形成多层石墨烯。本发明的生长方法由于引入对生长条件的扰动，使第二层(或随后的更多层)石墨烯层的成核位点偏离第一层(或其前一层)石墨烯的成核位点，有效地减少了前一层石墨烯对接下来形成的一层石墨烯生长的诱导效应，能够获得非平凡扭转角的多层石墨烯，为进一步探索其能带结构以及这种新材料在电子、光电子以及催化方面的应用提供了便利。

公开(公告)号：CN109422260B

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201710761253.4

申请日：2017-08-30

申请人： 北京大学

发明人： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  孙禄钊 ,  张金灿 ,  林立 ,  贾开诚 ,  王可心

IPC分类号： C01B32/196 ,  C01B32/30

摘要： 本发明公开了一种基于活性炭复合物制备超洁净石墨烯的方法。所述活性炭复合物按照包括如下步骤的方法制备：活性炭粉末、粘结剂和极性溶剂混合形成浆料；将所述浆料涂于多孔状固体上即得。利用所述活性炭复合物制备超洁净石墨烯时，按照如下步骤进行：利用化学气相沉积法制备石墨烯；利用所述活性炭复合物粘附所述石墨烯上的污染物，即得到超洁净石墨烯。本发明提供的多孔的活性炭复合物能够将石墨烯表面原子级厚度的污染物清除干净，使得石墨烯的洁净度达到98％及以上；从而降低石墨烯表面电子、声子散射，提高石墨烯的迁移率、热导率，降低石墨烯与金属电极之间的接触电阻，对于石墨烯的电子器件、光电子器件和散热器件的性质提高极有帮助。

公开(公告)号：CN108732187B

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201710260012.1

申请日：2017-04-20

申请人： 北京大学

发明人： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  林立 ,  张金灿 ,  孙禄钊

IPC分类号： G01N21/94 ,  G01N21/88 ,  G01N21/78 ,  G01N21/82 ,  G01N1/28

摘要： 本发明公开了一种大面积石墨烯洁净度的快速评估方法。所述快速评估大面积石墨烯洁净度的方法包括如下步骤：采用四氯化钛熏蒸的方式在石墨烯样品上沉积二氧化钛纳米颗粒；根据所述二氧化钛纳米颗粒的沉积情形，即实现对石墨烯样品洁净度的评估；所述熏蒸的条件如下：温度为0～30℃；湿度为10～70％；时间为5s～600s；将所述石墨烯样品置于四氯化钛的上方。与现有技术相比，本发明的有益效果在于：成本低廉、操作方便，且可实现对样品洁净度的大面快速表征。

公开(公告)号：CN108069416B

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201611019880.2

申请日：2016-11-14

申请人： 北京大学

发明人： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  林立 ,  张金灿

IPC分类号： C01B32/186

摘要： 本发明公开了一种超洁净石墨烯及其制备方法。本发明提供的制备超洁净石墨烯的方法，包括如下步骤：将泡沫铜置于铜基底上方并贴靠后，通入碳源气体和氢气进行化学气相沉积，沉积完毕即在所述铜基底与所述泡沫铜接触的一面得到所述超洁净石墨烯。该制备方法简单，可大规模生产，连续洁净面积达到亚厘米级，能适用于电子学、光学等方面的应用。

公开(公告)号：CN107354506B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201710522321.1

申请日：2017-06-30

申请人： 北京大学

发明人： 彭海琳 ,  邓兵 ,  刘忠范

IPC分类号： C30B23/02 ,  C30B29/02 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35

摘要： 本发明公开了一种制备超平整铜单晶薄膜的方法。本发明提供的制备铜单晶薄膜的方法，包括如下步骤：以蓝宝石单晶作为生长基底，磁控溅射铜靶，退火，得到所述铜单晶薄膜。本发明采用蓝宝石作为铜的外延生长基底，采用磁控溅射的方法，在c面蓝宝石基底表面沉积了取向一致的铜薄膜，并且在随后的退火过程中，取向一致的铜熟化长大成为取向一致的无面内孪晶的单晶铜(111)薄膜。这种方法制备得到的单晶铜(111)薄膜，表面及其平整，直径可控，重复性高，在通讯、电子、石墨烯制备等领域具有非常广泛的应用前景。