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公开(公告)号：CN109422260B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201710761253.4
申请日：2017-08-30
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/196 , C01B32/30
Abstract: 本发明公开了一种基于活性炭复合物制备超洁净石墨烯的方法。所述活性炭复合物按照包括如下步骤的方法制备：活性炭粉末、粘结剂和极性溶剂混合形成浆料；将所述浆料涂于多孔状固体上即得。利用所述活性炭复合物制备超洁净石墨烯时，按照如下步骤进行：利用化学气相沉积法制备石墨烯；利用所述活性炭复合物粘附所述石墨烯上的污染物，即得到超洁净石墨烯。本发明提供的多孔的活性炭复合物能够将石墨烯表面原子级厚度的污染物清除干净，使得石墨烯的洁净度达到98％及以上；从而降低石墨烯表面电子、声子散射，提高石墨烯的迁移率、热导率，降低石墨烯与金属电极之间的接触电阻，对于石墨烯的电子器件、光电子器件和散热器件的性质提高极有帮助。
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公开(公告)号：CN108565495A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810383193.1
申请日：2018-04-26
IPC: H01M10/0566 , H01M10/0525 , H01M4/66
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M4/663 , H01M10/0566
Abstract: 提供一种高压锂离子电池，包括电解液、正极和负极，所述正极包括集流体、正极活性材料、导电添加剂和粘结剂，所述集流体是由碳材料制成，所述电解液包括酰亚胺类化合物和/或三氟甲基磺酸锂。本发明高压锂离子电池采用碳材料作正极集流体，具有高耐电化学腐蚀性，可以有效解决现有使用低浓度酰亚胺类和/或三氟甲基磺酸锂的电解液的高压锂离子电池中铝箔被腐蚀的问题。
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公开(公告)号：CN117185252A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311161764.4
申请日：2023-09-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本公开提供了电子器件及制备方法、测试电路及制备方法、测试方法，电子器件包括基底和形成于基底表面的纳米电极对，纳米电极对至少包括两个纳米电极，两个纳米电极之间具有纳米间隙，两个纳米电极相向地布置。通过改变纳米电极的组成及形貌参数，或在纳米电极表面修饰形成包覆层来稳定纳米电极在界面处的原子，降低原子摆脱晶格束缚并在基底表面定向运动的可能性；或者刻蚀纳米间隙底部的二氧化硅基底，阻断原子的迁移路径。从而有效抑制原子迁移，实现对载流子输运过程的调控。
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公开(公告)号：CN112951902A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110045112.9
申请日：2021-01-13
IPC: H01L29/41 , H01L21/285
Abstract: 本公开提供了一种电子器件，包括：第一电极，第一电极由单晶金属纳米颗粒构成；第二电极，第二电极由单晶金属纳米颗粒构成，其中，第一电极和第二电极在一个方向中排列，并且第一电极的一端与第二电极的一端相向设置，并且第一电极的一端与第二电极的一端形成小的间距(10nm以下)；以及介电层，介电层由低介电常数材料形成，并且介电层至少设置在间距中。本公开还提供了一种10nm以下小间距电子器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN110540197B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201810534499.2
申请日：2018-05-29
IPC: C01B32/196
Abstract: 本发明提供一种碳纳米材料清洁石墨烯表面的方法，包括如下步骤：提供一碳纳米材料；使所述碳纳米材料与所述石墨烯表面接触；施加压力于所述接触碳纳米材料的石墨烯表面；及使所述碳纳米材料与所述施加压力后的石墨烯分离；其中，所述碳纳米材料为碳纳米墙或碳纳米墙复合物。本发明提供的方法简便易行，对于多种基底上的石墨烯均具有较好的清洁效果，对进一步实现和拓展石墨烯的高端应用具有重要的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110540197A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201810534499.2
申请日：2018-05-29
IPC: C01B32/196
Abstract: 本发明提供一种碳纳米材料清洁石墨烯表面的方法，包括如下步骤：提供一碳纳米材料；使所述碳纳米材料与所述石墨烯表面接触；施加压力于所述接触碳纳米材料的石墨烯表面；及使所述碳纳米材料与所述施加压力后的石墨烯分离；其中，所述碳纳米材料为碳纳米墙或碳纳米墙复合物。本发明提供的方法简便易行，对于多种基底上的石墨烯均具有较好的清洁效果，对进一步实现和拓展石墨烯的高端应用具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN113802107B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202010546760.8
申请日：2020-06-16
IPC: C23C16/26 , C23C16/509 , C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种利用PECVD制备石墨烯的装置及方法，装置包括沉积炉、等离子体源、第一极板和第二极板，第一极板设置于沉积炉内，第一极板连接于等离子体源的发射端；第二极板设置于沉积炉内，第二极板与第一极板相对设置，且在沉积炉的第一区域具有重叠部分，第二极板连接于等离子体源的接地端。相比现有技术中的电感耦合的方式，由于第一极板和第二极板之间以电容耦合方式激发等离子体，使等离子的分布更均匀，生长在基底上的石墨烯更加均匀，提高了石墨烯薄膜的质量。通过相对设置的极板产生等离子体的方式，使两个极板间产生的辉光区域的面积相比现有技术线圈产生的辉光区域的面积更大，进而本实施例的装置能够生长出大尺寸的石墨烯。
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公开(公告)号：CN112746262B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201911035935.2
申请日：2019-10-29
IPC: C23C16/26 , C23C16/505 , C23C16/54 , C01B32/186
Abstract: 本公开提供一种石墨烯复合金属箔及其双面生长方法和装置，该装置包括化学气相沉积炉、放卷轴和收卷轴，其中化学气相沉积炉包括依次连接的等离子体辉光区和加热生长区；放卷轴和收卷轴分别位于化学气相沉积炉的两侧，通过放卷轴和收卷轴的转动，以带动金属箔进出化学气相沉积炉并在其上沉积生长石墨烯；其中等离子体辉光区内设有包括平板的支架，平板的上下区域均包括中空区域，金属箔平直通过平板表面并悬空于加热生长区，使金属箔双面生长石墨烯。该装置通过特殊的支架设计，可以在金属箔材基底上一次制备得到双面生长的垂直结构石墨烯，生长温度低，垂直结构石墨烯结构和总厚度可控性高，金属种类和材质适应性广，适用于工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN113802107A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202010546760.8
申请日：2020-06-16
IPC: C23C16/26 , C23C16/509 , C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种利用PECVD制备石墨烯的装置及方法，装置包括沉积炉、等离子体源、第一极板和第二极板，第一极板设置于沉积炉内，第一极板连接于等离子体源的发射端；第二极板设置于沉积炉内，第二极板与第一极板相对设置，且在沉积炉的第一区域具有重叠部分，第二极板连接于等离子体源的接地端。相比现有技术中的电感耦合的方式，由于第一极板和第二极板之间以电容耦合方式激发等离子体，使等离子的分布更均匀，生长在基底上的石墨烯更加均匀，提高了石墨烯薄膜的质量。通过相对设置的极板产生等离子体的方式，使两个极板间产生的辉光区域的面积相比现有技术线圈产生的辉光区域的面积更大，进而本实施例的装置能够生长出大尺寸的石墨烯。
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公开(公告)号：CN112746262A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911035935.2
申请日：2019-10-29
IPC: C23C16/26 , C23C16/505 , C23C16/54 , C01B32/186
Abstract: 本公开提供一种石墨烯复合金属箔及其双面生长方法和装置，该装置包括化学气相沉积炉、放卷轴和收卷轴，其中化学气相沉积炉包括依次连接的等离子体辉光区和加热生长区；放卷轴和收卷轴分别位于化学气相沉积炉的两侧，通过放卷轴和收卷轴的转动，以带动金属箔进出化学气相沉积炉并在其上沉积生长石墨烯；其中等离子体辉光区内设有包括平板的支架，平板的上下区域均包括中空区域，金属箔平直通过平板表面并悬空于加热生长区，使金属箔双面生长石墨烯。该装置通过特殊的支架设计，可以在金属箔材基底上一次制备得到双面生长的垂直结构石墨烯，生长温度低，垂直结构石墨烯结构和总厚度可控性高，金属种类和材质适应性广，适用于工业化大规模生产。
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