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公开(公告)号：CN118461125A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310141951.X
申请日：2023-02-08
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯单晶晶圆的层数控制方法。通过在石墨烯生长晶圆衬底表面增加遮盖物晶圆，构筑限域反应体系，实现石墨烯表面气相反应以及伴生双层结构的有效抑制，可以实现高单层率石墨烯单晶晶圆的可控制备。本发明将为石墨烯晶圆材料的品质提升提供技术支持，有助于推动石墨烯晶圆材料未来在电子与光电子器件的应用进展。
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公开(公告)号：CN118458756A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310133866.9
申请日：2023-02-08
IPC: C01B32/186 , C01B32/194 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种双层石墨烯晶圆及其制备方法，通过在石墨烯晶圆的生长过程中引入微量的二氧化碳气体，实现了AB堆垛的双层石墨烯晶圆的可控生长。本方法对于探究石墨烯晶圆层数的调控机理，实现双层石墨烯晶圆的可控制备来说具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN113916622A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202010655942.9
申请日：2020-07-09
Abstract: 本发明提供了一种评估石墨烯薄膜洁净度的方法，包括通过水与石墨烯薄膜的接触角的大小来判断所述石墨烯薄膜表面的洁净度，所述洁净度是指所述石墨烯薄膜表面的洁净面积占所述石墨烯薄膜表面面积的比例。本发明一实施方式的方法，可快速、无损、大面积评估石墨烯薄膜的洁净度。
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公开(公告)号：CN107500276B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710845504.7
申请日：2017-09-19
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种利用醋酸铜制备超洁净石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：按照气路由上游至下游的方向，依次间隔放置醋酸铜和铜基底，通入氢气进行化学气相沉积，沉积完毕得到所述超洁净石墨烯；所述醋酸铜所处温区的温度为醋酸铜的挥发温度。该制备方法简单，原料易得，石墨烯洁净度优于甲烷生长得到的结果，可以得到超洁净、高质量的单层石墨烯薄膜，在光学、电学等领域具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN106769287B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201611079512.7
申请日：2016-11-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用石墨烯单晶支撑膜载网实现高效率液体封装的方法。该方法包括：将两片分别生长在不同生长基底上的石墨烯均由生长基底转移至透射基底上后，滴加待封装液体至其中一片石墨烯的表面后，在其上覆盖另一片石墨烯，完成封装，得到大量可供透射电镜下原位表征的液泡。该方法工艺简单，可重复性高，可重复性高，可控性强，兼容性强，可在短时间内在几毫米尺寸的样品上制备数千个被石墨烯封装保护的液体池，供透射电镜下原位表征，大大提高了从原子尺度研究反应机理的可能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108821273A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201811109110.6
申请日：2018-09-21
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种真空石墨烯转移装置及真空石墨烯转移方法，真空石墨烯转移装置包括壳体、升降机构、支撑凸台以及加热装置。壳体内部具有真空腔体，升降机构设于壳体并包括可升降地设于真空腔体内的压板，石墨烯薄膜固定于压板底部。支撑凸台设于真空腔体内且位于压板下方，目标基底固定于支撑凸台上。加热装置，设于真空腔体内且连接于支撑凸台，加热装置用于通过支撑凸台加热目标基底。其中，真空石墨烯转移装置通过升降机构将石墨烯薄膜下压至目标基底上，并通过加热装置加热，将石墨烯薄膜转移至目标基底。从而实现提高石墨烯转移的完整度，同时降低了石墨烯水氧掺杂，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN108732187A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710260012.1
申请日：2017-04-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积石墨烯洁净度的快速评估方法。所述快速评估大面积石墨烯洁净度的方法包括如下步骤：采用四氯化钛熏蒸的方式在石墨烯样品上沉积二氧化钛纳米颗粒；根据所述二氧化钛纳米颗粒的沉积情形，即实现对石墨烯样品洁净度的评估；所述熏蒸的条件如下：温度为0～30℃；湿度为10～70％；时间为5s～600s；将所述石墨烯样品置于四氯化钛的上方。与现有技术相比，本发明的有益效果在于：成本低廉、操作方便，且可实现对样品洁净度的大面快速表征。
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公开(公告)号：CN108070903A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201611203602.2
申请日：2016-12-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种对衬底加电调控薄膜材料生长的装置。该装置为在现有的化学气相沉积反应装置的基础上增加衬底通电系统；所述衬底通电系统包括导电线路、金属极板、插头和电源；所述金属极板位于CVD反应腔内；所述插头和电源位于CVD反应腔外；所述金属极板通过所述导电线路与所述插头和电源相连。利用该装置可对导电衬底加正负静电荷或电流，对绝缘衬底进行极化从而在其表面可控地产生静电荷，从而达到调控任意生长衬底的电势、吸附性、电子能态和催化活性。利用该装置及生长方法，可以在薄膜材料制备过程中方便地控制其单晶大小、均匀度、掺杂浓度、层数、层间堆垛方式及扭转角度、手性、洁净度等。
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公开(公告)号：CN107500276A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710845504.7
申请日：2017-09-19
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种利用醋酸铜制备超洁净石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：按照气路由上游至下游的方向，依次间隔放置醋酸铜和铜基底，通入氢气进行化学气相沉积，沉积完毕得到所述超洁净石墨烯；所述醋酸铜所处温区的温度为醋酸铜的挥发温度。该制备方法简单，原料易得，石墨烯洁净度优于甲烷生长得到的结果，可以得到超洁净、高质量的单层石墨烯薄膜，在光学、电学等领域具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN119797352A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510038432.X
申请日：2025-01-09
IPC: C01B32/196
Abstract: 本发明公开一种清洁石墨烯表面的方法，采用电子束辐照清洁石墨烯表面。本发明的方法，可以实现石墨烯薄膜表面污染物的原位清洗，且可以不破坏石墨烯晶格结构。本发明的方法操作简单、清洗速率快、对污染物可实现定点清除，且对于不同种类的污染物均具有较好的清洁效果，方法普适度高，对于进一步实现和拓展CVD法制备石墨烯的高端应用具有重要的意义。
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