公开(公告)号：CN106769287B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201611079512.7

申请日：2016-11-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  刘忠范 ,  张金灿 ,  林立 ,  谈振军

IPC: G01N1/28 ,  G01N1/36 ,  H01J37/20

Abstract: 本发明公开了一种利用石墨烯单晶支撑膜载网实现高效率液体封装的方法。该方法包括：将两片分别生长在不同生长基底上的石墨烯均由生长基底转移至透射基底上后，滴加待封装液体至其中一片石墨烯的表面后，在其上覆盖另一片石墨烯，完成封装，得到大量可供透射电镜下原位表征的液泡。该方法工艺简单，可重复性高，可重复性高，可控性强，兼容性强，可在短时间内在几毫米尺寸的样品上制备数千个被石墨烯封装保护的液体池，供透射电镜下原位表征，大大提高了从原子尺度研究反应机理的可能。

公开(公告)号：CN108930065A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201710372702.6

申请日：2017-05-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  刘玉静 ,  吴金雄 ,  谈振军 ,  谭聪伟

IPC: C30B33/10 ,  C30B29/46 ,  C30B25/00

Abstract: 本发明公开了一种高迁移率二维Bi2O2Se晶体的化学刻蚀方法。该方法包括下述步骤：将二维Bi2O2Se晶体浸润于刻蚀液中进行反应，其中，所述刻蚀液是由双氧水、浓硫酸和去离子水按照体积比(0.5-2)：(0.5-4)：4组成的混合液。本发明的化学刻蚀方法条件温和、简单经济，将其与光刻或电子束曝光技术结合可以实现对二维Bi2O2Se晶体特定图案化的选区化学刻蚀，构筑阵列化图案结构，在集成化器件领域具有广阔应用前景。

公开(公告)号：CN106783552A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710056998.0

申请日：2017-01-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  尹建波 ,  谈振军 ,  刘玉静 ,  吴金雄

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/09

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/032 ,  H01L31/09

Abstract: 本发明公开了一种二维硒氧化铋晶体及近红外光电探测器件。该制备二维硒氧化铋晶体的方法，包括如下步骤：以Bi2O3粉末和Bi2Se3块体为原料，在基底上进行化学气相沉积，沉积完毕得到所述二维硒氧化铋晶体。用该种方法得到的二维硒氧化铋近红外探测器，被有效应用在近红外探测、显示、成像上。

公开(公告)号：CN106769287A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611079512.7

申请日：2016-11-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  刘忠范 ,  张金灿 ,  林立 ,  谈振军

IPC: G01N1/28 ,  G01N1/36 ,  H01J37/20

CPC classification number: G01N1/2806 ,  G01N1/2853 ,  G01N1/36 ,  H01J37/20

Abstract: 本发明公开了一种利用石墨烯单晶支撑膜载网实现高效率液体封装的方法。该方法包括：将两片分别生长在不同生长基底上的石墨烯均由生长基底转移至透射基底上后，滴加待封装液体至其中一片石墨烯的表面后，在其上覆盖另一片石墨烯，完成封装，得到大量可供透射电镜下原位表征的液泡。该方法工艺简单，可重复性高，可重复性高，可控性强，兼容性强，可在短时间内在几毫米尺寸的样品上制备数千个被石墨烯封装保护的液体池，供透射电镜下原位表征，大大提高了从原子尺度研究反应机理的可能。