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公开(公告)号：CN103030381A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210572958.9
申请日：2008-07-02
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C03C17/245 , C04B35/01 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3407 , H01B1/08 , Y10T428/24355 , Y10T428/268 , Y10T428/30 , Y10T428/31507 , Y10T428/31786 , Y10T428/31935
Abstract: 本发明涉及一种氧化物烧结体及其制造方法、靶、使用该靶得到的透明导电膜以及透明导电性基材。本发明提供可以实现高速成膜和无结节的溅射用靶或离子电镀用片料，用于得到它们的最佳氧化物烧结体及其制造方法，以及使用该氧化物烧结体得到的蓝光吸收少的低电阻透明导电膜。本发明提供的氧化物烧结体等的特征在于：在含有铟和镓作为氧化物的烧结体中，方铁锰矿型结构的In2O3相为主结晶相，在主结晶相中，β-Ga2O3型结构的GaInO3相、或GaInO3相和(Ga,In)2O3相以平均粒径为5μm以下的晶粒微细地分散，镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计，为10原子%以上、小于20原子%。
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公开(公告)号：CN101960625B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200980107932.3
申请日：2009-03-05
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供能够有效地输出蓝色光或紫外光的半导体发光元件以及使用该半导体发光元件的灯。在制造具有至少含p型半导体层的化合物半导体层和在该p型半导体层上设置的透明电极的半导体发光元件时，通过在上述p型半导体层上形成非晶质状态的由铟和镓构成的氧化物膜、或者形成非晶质状态的由铟、镓和锡构成的氧化物膜，从而形成透明导电膜，然后，在200～480℃的温度下对上述透明导电膜进行退火处理的工序，制造出半导体发光元件。
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公开(公告)号：CN101016208B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200610161127.7
申请日：2006-11-30
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C03C17/3417 , C03C17/3435 , C03C17/3441 , C03C2217/23 , C03C2218/154 , C03C2218/365 , C04B35/01 , C04B35/645 , C04B2235/3286 , C04B2235/656 , C04B2235/658 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/086 , Y10T428/265 , Y10T428/30 , Y10T428/31507 , Y10T428/31616 , Y10T428/31645 , Y10T428/31667 , Y10T428/31786 , Y10T428/31938
Abstract: 本发明的氧化物烧结体主要由镓、铟和氧形成，相对全部金属元素含有超过65原子％不足100原子％的所述镓，其密度为5.0g/cm3以上。本发明的氧化物膜是使用所述氧化物烧结体作为溅射靶得到的，除去基板的膜自身显示光透射率50％的光的最短波长为320nm以下。本发明的透明基材通过在选自玻璃板、石英板、单面或两面覆盖有阻气膜的树脂板或树脂薄膜、或者内部插入有阻气膜的树脂板或树脂薄膜中的透明基板的单面或两面上形成所述氧化物膜制得。
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公开(公告)号：CN102348827A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201080011190.7
申请日：2010-03-10
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01L31/022466 , C04B35/453 , C04B2235/3217 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C23C14/0036 , C23C14/086 , H01B1/08 , H01L31/022483 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供在制造高效率的硅系薄膜太阳能电池时有用的、耐氢还原性优异、光封闭效果优异的透明导电膜和使用其的透明导电膜层叠体及其制造方法，将该透明导电膜和使用其的透明导电膜层叠体作为电极使用的硅系薄膜太阳能电池。本发明提供透明导电膜等，该透明导电膜的特征在于，以氧化锌为主成分，且含有选自铝和镓中的1种以上的添加金属元素，其含量在下述式(1)所示的范围内，并且表面粗糙度(Ra)为35.0nm以上，表面电阻为65Ω/□以下。-[Al]+0.30≤[Ga]≤-2.68×[Al]+1.74...(1)(其中，[Al]是由Al/(Zn+Al)的原子数比(％)表示的铝含量，另一方面，[Ga]是由Ga/(Zn+Ga)的原子数比(％)表示的镓含量)。
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公开(公告)号：CN101038796B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200710079456.1
申请日：2007-03-12
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/664 , C04B2235/80
Abstract: 本发明提供输入高直流电功率也不会产生电弧和裂缝、作为可发生溅射的靶电极而有用的氧化物烧结体，和快速形成氧化物透明导电膜的制造方法以及耐化学试剂性优良的氧化物透明导电膜。提供一种氧化物烧结体，是实质上由锌、锡和氧构成的氧化物烧结体，锡以Sn/(Zn+Sn)的原子数比计含有0.23～0.50，并且，主要由氧化锌相和锡酸锌化合物相构成；并提供一种氧化物烧结体的制造方法，向含有锡酸锌化合物粉末或者氧化锡粉末与氧化锌粉末的混合粉末的原料粉末中混入水系溶剂，将所得的浆液混合15小时以上后，进行固液分离、干燥、制粒，接着，将该制粒物加入到模板中成形，然后，将所得成形物在焙烧氛围气体中于1300～1500℃下烧结15小时以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101770319A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910262399.X
申请日：2009-12-24
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: G06F3/044 , B32B2037/246 , B32B2307/202 , B32B2307/204 , B32B2457/202 , Y10T156/10
Abstract: 本发明涉及一种电容式触控面板及其制造方法以及液晶显示装置。提供通过适用耐热性高的透明导电膜，即使在采用更低成本的高热负荷的制造工序的情况下，位置检测方面也没有问题，且能够进行高品质显示。由下述电容式触控面板等而提供，其具有下述结构，在透明基板上至少层压了透明导电膜和电介质层，且在该基板的框缘部至少配置由位置检测用布线部以及位置检测用电极构成的位置检测用部件，其特征在于上述透明导电膜由氧化物构成，该氧化物以氧化铟为主要成分、并含有镓和锡。
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公开(公告)号：CN100572325C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200510066653.0
申请日：2005-04-26
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/01
CPC classification number: C23C14/08 , C04B35/01 , C04B35/6261 , C04B35/62625 , C04B35/62655 , C04B35/64 , C04B37/026 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/408 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6584 , C04B2235/6586 , C04B2235/664 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/96 , C04B2237/12 , C04B2237/124 , C04B2237/34 , C04B2237/403 , C23C14/3414 , Y10S428/918
Abstract: 本发明在于提供比电阻小、膜内部应力的绝对值小、在可见光区域的透过率高的非晶质透明导电性薄膜，以及用于制造该透明导电性薄膜的氧化物烧结体，以及由此得到的溅射靶材。采用钨以W/In原子数比为0.004～0.023的比例，锌以Zn/In原子数比为0.004～0.100的比例，配制平均粒径为1μm以下的In2O3粉末、WO3粉末、ZnO粉末，混合10～30小时，将得到的粉末造粒成平均粒径为20～150μm，用冷间静液压压力机施加2～5ton/cm2的压力使该造粒粉成形，在以每0.1m3的炉内体积50～250升/分的比例向烧结炉内的大气导入氧气的环境下，于1200～500℃下，将所得到的成形体烧结10～40小时。
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公开(公告)号：CN100547696C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200580018592.9
申请日：2005-06-06
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/086 , C04B35/01 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/3414 , Y10T428/12618 , Y10T428/24975 , Y10T428/24992 , Y10T428/26 , Y10T428/269
Abstract: 本发明提供一种非晶质、且在可见光短波长区的光透射率高、对弯曲不易破裂的透明导电膜。本发明的透明导电膜为由Ga、In和O构成的非晶质氧化物膜，相对全部金属原子含有35原子%以上、45原子%以下的Ga，比电阻为1.2×10-3Ω·cm以上、8.0×10-3Ω·cm以下，膜厚为500nm以下，在波长380nm下的光透射率为45%以上。
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公开(公告)号：CN101016208A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610161127.7
申请日：2006-11-30
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C03C17/3417 , C03C17/3435 , C03C17/3441 , C03C2217/23 , C03C2218/154 , C03C2218/365 , C04B35/01 , C04B35/645 , C04B2235/3286 , C04B2235/656 , C04B2235/658 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/086 , Y10T428/265 , Y10T428/30 , Y10T428/31507 , Y10T428/31616 , Y10T428/31645 , Y10T428/31667 , Y10T428/31786 , Y10T428/31938
Abstract: 本发明的氧化物烧结体主要由镓、铟和氧形成，相对全部金属元素含有超过65原子％不足100原子％的所述镓，其密度为5.0g/cm3以上。本发明的氧化物膜是使用所述氧化物烧结体作为溅射靶得到的，除去基板的膜自身显示光透射率50％的光的最短波长为320nm以下。本发明的透明基材通过在选自玻璃板、石英板、单面或两面覆盖有阻气膜的树脂板或树脂薄膜、或者内部插入有阻气膜的树脂板或树脂薄膜中的透明基板的单面或两面上形成所述氧化物膜制得。
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公开(公告)号：CN108713245A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201780014038.6
申请日：2017-02-08
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: H01L21/363 , C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78693 , C04B35/01 , C04B2235/3284 , C04B2235/46 , C04B2235/6584 , C04B2235/663 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/477 , H01L29/66742 , H01L29/786 , H01L29/78684
Abstract: 本发明提供一种在维持高载流子迁移率的状态下仅使载流子浓度降低的氧化物半导体薄膜以及其制造方法。本发明的非晶质的氧化物半导体薄膜，以氧化物的形式含有铟及镓，并且另外含有氢，以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量为0.15以上且0.55以下，通过二次离子质谱分析法，氢含量为1.0×1020原子/cm3以上且1.0×1022原子/cm3以下。
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