公开(公告)号：CN108713245A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201780014038.6

申请日：2017-02-08

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 中山德行 ,  西村英一郎 ,  松村文彦 ,  白木真菜

IPC: H01L21/363 ,  C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78693 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/663 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/477 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78684

Abstract: 本发明提供一种在维持高载流子迁移率的状态下仅使载流子浓度降低的氧化物半导体薄膜以及其制造方法。本发明的非晶质的氧化物半导体薄膜，以氧化物的形式含有铟及镓，并且另外含有氢，以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量为0.15以上且0.55以下，通过二次离子质谱分析法，氢含量为1.0×1020原子/cm3以上且1.0×1022原子/cm3以下。