公开(公告)号：CN102025104A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010284406.9

申请日：2010-09-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  足立真宽 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  住友隆道 ,  德山慎司 ,  片山浩二 ,  中村孝夫 ,  池上隆俊

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211

Abstract: 一种III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法，在六方晶系III族氮化物的c轴朝向a轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能够实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第1和第2切断面(27、29)与a-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在a-n面和半极性面(17a)的交叉线方向上延伸的激光波导。因此，能够利用可实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第1面(13a)是第2面(13b)的相反侧的面。第1及第2切断面从第1面的边缘(13c)延伸至第2面的边缘(13d)。切断面不通过干法蚀刻形成，并且与c面、m面或a面等现有的解理面不同。

公开(公告)号：CN101874309A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200980101123.1

申请日：2009-01-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上野昌纪 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  秋田胜史 ,  善积祐介 ,  住友隆道 ,  中村孝夫

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3407 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04

Abstract: 氮化物类半导体光元件(LE1)中，内含应变的阱层(21)沿着相对于与c轴方向上延伸的基准轴正交的面以倾斜角(α)倾斜的基准平面(SR1)延伸。倾斜角(α)在大于59度且小于80度的范围及大于150度且小于180度的范围。与具有负压电电场的发光层(SP-)相邻地具有带隙大于势垒层的带隙的氮化镓类半导体层(P)。阱层(W3)中的压电电场的方向为自n层向p层的方向，氮化镓类半导体层(P)中的压电电场的方向为自p层向n层的方向。因此，在发光层(SP-)与氮化镓类半导体层(P)的界面上，不是在导带而是在价带上形成有倾角。

公开(公告)号：CN101626059A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200910140219.0

申请日：2009-07-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  住友隆道 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  上野昌纪

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明提供一种包含在组成中具有In的III族氮化物半导体的量子阱结构的制造方法，在通过该方法制造的量子阱结构中，可以抑制结晶结构的分解并实现与In组成对应的发光特性。上述方法包括：阱层生长工序，将蓝宝石基板(15)的温度保持为第一温度，并且生长InGaN阱层(5a)；中间层生长工序，使基板(15)的温度从第一温度逐渐升温，同时在阱层(5a)上生长GaN中间层(5c)；以及阻挡层生长工序，将基板(15)的温度保持为比第一温度高的第二温度，并且在中间层(5c)上生长GaN阻挡层(5b)。在中间层生长工序中，使中间层(5c)生长为大于1nm且小于3nm的厚度。

公开(公告)号：CN101542760A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000429.3

申请日：2008-03-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  京野孝史 ,  石桥惠二 ,  笠井仁

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 提供有源层(17)以使得发射具有440nm至550nm范围的发射波长的光。第一导电类型氮化镓半导体区域(13)、有源层(17)和第二导电类型氮化镓半导体区域(15)沿着预定轴Ax的方向设置。有源层(17)包括由六方晶系的InxGa1－xN(0.16≤x≤0.4，x：应变组分)的阱层，铟组成x由应变组分表示。六方晶系的InxGa1－xN的m平面沿着预定轴Ax被定向。阱层的厚度在大于3nm且小于或等于20nm之间。使阱层的厚度超过3nm，能够制造具有发射波长超过440nm的发光器件。

公开(公告)号：CN101515700A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910007584.4

申请日：2009-02-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  笠井仁 ,  京野孝史 ,  元木健作

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/16 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供III族氮化物发光器件及制造III族氮化物基半导体发光器件的方法。在氮化镓基半导体区域的基面上生长具有量子阱结构的有源层。该量子阱结构以具有410nm以上的发射峰值波长的方式形成。阱层的厚度为4nm以上10nm以下。该阱层由InXGa1－XN(0.15≤X＜1，其中X为应变组分)组成。所述氮化镓基半导体区域的基面关于六方晶系III族氮化物的{0001}面或{000－1}面以15度以上85度以下的范围内的倾斜角倾斜。该范围中的基面是半极性面。

公开(公告)号：CN101345221A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810130233.8

申请日：2008-06-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 笠井仁 ,  石桥惠二 ,  中畑成二 ,  秋田胜史 ,  京野孝史 ,  三浦祥纪

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  C30B29/40

Abstract: GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法。提供一种GaN衬底，由该GaN衬底可以制造增强发射效率的发光及半导体器件，提供其中在GaN衬底主表面上形成外延层的外延衬底、半导体器件以及制造GaN衬底的方法。该GaN衬底是具有主表面的衬底，相对于其法线矢量，[0001]平面取向在两个不同的离轴方向上倾斜。

公开(公告)号：CN101083220A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710108828.9

申请日：2007-05-31

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中村孝夫 ,  上田登志雄 ,  京野孝史

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L23/00 ,  G01N21/95

CPC classification number: H01L22/10 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明提供一种衬底检测方法，通过确定多个层的质量来检测全部多个衬底，每一衬底在其表面上设有多个层，以及提供了使用该衬底检测方法来制造衬底和元件的方法。该衬底检测方法包括制备在其主表面设有多个层的衬底的步骤，膜形成步骤，局部刻蚀步骤和检测步骤或成分分析步骤。在步骤中，通过去除外延层的至少部分从而在衬底主表面的设有外延层的区域中形成凹陷。在该检测步骤中，对凹陷中暴露的层进行检测。

公开(公告)号：CN1658454A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200510009454.6

申请日：2005-02-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  上野昌纪 ,  秋田胜史

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/34333

Abstract: 半导体元件(1)包含具有量子井结构的活性区域(3)。活性区域(3)包含井区域(5)和阻挡区域(7)。井区域(5)由含有氮、铟和镓的III－V族化合物半导体组成。阻挡区域(7a)具有第一半导体层(9a)和第二半导体层(11a)。第一半导体层(9a)，由至少含有氮、铟和镓的III－V族化合物半导体组成。第二半导体层(11a)，由至少含有氮和镓的III－V族化合物半导体组成。第一半导体层(9a)被设置在第二半导体层(11a)与井区域(5)之间。第一半导体层(9a)的铟组成，比第二半导体层(11a)的铟组成小。第一半导体层(9a)的铟组成比井区域的铟组成小。

公开(公告)号：CN104576807A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410575708.X

申请日：2014-10-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  秋田胜史 ,  柴田馨 ,  西塚幸司 ,  藤井慧

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304

CPC classification number: H01L31/035236 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。半导体器件包括其中层叠多个半导体层的半导体层层叠体，半导体层层叠体包括光接收层，光接收层通过金属有机气相外延方法生长，光接收层具有大于或等于3μm且小于或等于8μm的截止波长，在-140℃的温度下施加60mV的反向偏压时，半导体器件具有小于或等于1×10-1A/cm2的暗电流密度。由此，提供可以接收中红外范围内的光并具有低暗电流的半导体器件。

公开(公告)号：CN102549781B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201080043799.2

申请日：2010-09-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  住友隆道 ,  足立真宽 ,  德山慎司

IPC: H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/3202 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种可将活性层的压电极化的朝向选择为适宜方向的制作半导体发光元件的方法。在步骤S104中，一面对基板产物施加偏压，一面进行基板产物的光致发光的测定，而获得基板产物的光致发光的偏压依赖性，该基板产物通过以所选择的一个或多个倾斜角生长用于发光层的量子阱构造、p型及n型氮化镓系半导体层而形成。在步骤S105中，根据偏压依赖性进行基板主面的所选择的各倾斜角各自在发光层的压电极化的朝向的预测。在步骤S106中，基于预测而判断应使用与基板主面对应的倾斜角及与基板主面的背面对应的倾斜角的哪一个，从而选择用以制作半导体发光元件的生长基板的面取向。将用于半导体发光元件的半导体叠层形成于生长基板的主面上。