公开(公告)号：CN100447310C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200410069892.7

申请日：2004-07-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上松康二 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38

Abstract: 一种生产氮化物单晶的方法包括在氮化物晶体(11)的表面上形成含有稀土元素的化合物的材料运输介质层(12)的步骤和和使种晶(13)、和材料运输介质层(12)接触在种晶(13)上生长氮化物单晶(14)的步骤。材料运输介质层(12)包含稀土元素的化合物和选自由铝化合物、碱土化合物和过渡金属化合物组成的组中至少一种化合物。用这个生产方法，得到晶体尺寸至少为10mm的大的氮化物单晶。

公开(公告)号：CN101319402A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810109546.5

申请日：2008-06-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 松本直树 ,  佐藤史隆 ,  中畑成二 ,  冈久拓司 ,  上松康二

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/20

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/20

Abstract: GaN晶体的生长方法及GaN晶体衬底。在此公开一种制造GaN晶体的方法，其涉及在GaN籽晶衬底上生长GaN晶体。该方法包括以下步骤：制备GaN籽晶衬底，该GaN籽晶衬底包括第一掺杂剂以使GaN籽晶衬底的热膨胀系数变得大于GaN晶体的热膨胀系数；以及在该GaN籽晶衬底上生长GaN晶体至少1mm的厚度。因此，可以提供一种制造GaN晶体的方法以及一种GaN晶体衬底，该方法可以抑制裂纹的产生并生长厚的GaN晶体。

公开(公告)号：CN101311379A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810092858.X

申请日：2008-05-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  C30B29/40 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

Abstract: 提供高载流子浓度、低破裂发生率的氮化镓衬底和形成氮化镓膜的方法。生成其中载流子浓度为1×1017cm－3或以上的氮化镓膜(52)。最初，将包括n型掺杂剂的氮化镓层(51)形成到衬底(50)上。然后，加热形成在衬底(50)上的氮化镓层(51)以形成氮化镓膜(52)。

公开(公告)号：CN101138833A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200710149727.6

申请日：2007-09-05

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  入仓正登 ,  中畑成二

IPC: B24B7/22 ,  B24B29/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L23/00 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B33/00 ,  B24B37/04 ,  C09G1/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02008

Abstract: 本发明公开一种可获得平坦度优良的Ⅲ族氮化物衬底的Ⅲ族氮化物衬底制造方法，其包括步骤：将多个条纹型Ⅲ族氮化物衬底粘附到研磨支撑台上，以使得条纹结构方向垂直于研磨支撑台的旋转方向；和粗磨、精磨和/或抛光该衬底。

公开(公告)号：CN100362672C

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200510120085.8

申请日：2002-09-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  中畑成二 ,  弘田龙 ,  上松康二

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01S5/00

Abstract: 一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。

公开(公告)号：CN1896343A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610093296.1

申请日：2006-06-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  楫登纪子 ,  中畑成二 ,  西浦隆幸

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/08 ,  H01L21/18 ,  H01L21/20

CPC classification number: G01N23/207 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  C30B33/10 ,  G01B15/08 ,  G01N2223/602 ,  G01N2223/634 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L22/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  Y10T428/2978

Abstract: 一种氮化物晶体的特征在于，关于氮化物晶体(1)的任意特定平行晶格平面(1d)的平面间距，由|d1－d2|/d2的值表示的所述晶体的表面层(1a)上的均匀畸变等于或低于2.1×10－3，其中在满足所述特定平行晶格平面(1d)的X－射线衍射条件的同时通过改变X－射线从晶体表面的穿透深度来进行X－射线衍射测量而获得所述平面间距，由在0.3μm的X－射线穿透深度处的平面间距d1和在5μm的X－射线穿透深度处的平面间距d2获得所述|d1－d2|/d2的值。上述构造提供了具有晶体表面层的氮化物晶体，该晶体表面层在不破坏晶体的情况下直接和可靠地被评估，因此它可以以优选方式用作半导体器件的衬底以及上述构造还提供氮化物晶体衬底、含有外延层的氮化物晶体衬底、半导体器件以及制备它们的方法。

公开(公告)号：CN1697895A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000646.4

申请日：2004-04-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: C30B29/40 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01L21/02378 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02642 ,  H01S5/323 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/12681

Abstract: 一种可以采用各种各样的基质生产出没有裂纹的高质量III－V族晶体的方法，该方法成本低而且容易简单。一种生产III－V族晶体的方法，其特征在于包括：在基质上(1)沉积金属膜(2)的步骤；在含有形成图案的化合物的气氛下热处理金属膜(2)的步骤；以及在热处理后的金属膜上生长III－V族晶体(4)的步骤。另外一种生产III－V族晶体的方法，其特征在于包括：在热处理后的金属膜上生长III－V族化合物缓冲膜的步骤；在III－V族化合物缓冲膜上生长III－V族晶体的步骤。

公开(公告)号：CN1169749C

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN01121735.9

申请日：1996-11-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  山川晃

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/64 ,  C04B35/632 ,  C04B35/591

CPC classification number: C04B35/591

Abstract: 涉及一种由淤浆状硅基组合物制备的Si3N4陶瓷，所述的淤浆状硅基组合物基本上由表面氧化膜厚度在1.5到15nm范围的Si粉末、50到90%重量的水、0.2到7.5%重量的以氧化物表示的烧结助剂和0.05到3%重量的分散剂组成，其中烧结助剂是选自IIa族、IIIa族和稀土元素的化合物中的至少一种，所说的陶瓷具有至少96%的相对密度和至少800MPa的弯曲强度。还涉及一种该Si3N4陶瓷的制备工艺。

公开(公告)号：CN1411035A

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN02145712.3

申请日：2002-10-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  弘田龙 ,  冈久拓司 ,  中畑成二

IPC: H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B23/002 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种单晶氮化镓长晶方法，在衬底基板上有规律地设条纹图案，在其长形成凹凸面构成的V沟(谷)并加以维持，同时让GaN凹凸生长，凹凸面构成的V沟(谷)底部形成缺陷集合区H，将变位集结于此，实现其周围的低缺陷单晶区Z与C面生长区Y的低变位化。克服了这些难点：自凹凸面构成的坑的中央变位变位零乱分布、生成放射状面状缺陷、坑生成位置不可控制。

公开(公告)号：CN1142218A

公开(公告)日：1997-02-05

申请号：CN95191835.4

申请日：1995-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  竹内久雄 ,  山川晃

IPC: C04B35/591

CPC classification number: C04B35/591

Abstract: 本发明缩短了制造氮化硅烧结体时反应烧结中的氮化时间，从而提高了生产率；并且通过反应烧结得到致密且高强的氮化硅烧结体。Si3N4烧结体的未配对电子浓度为1015～1021/cm3。市售Si粉末在非氮气气氛中于300～800℃下煅烧3～5小时得到未配对电子浓度为1015～1020/cm3的Si粉末，使用所得的Si粉末进行反应烧结得到氮化硅烧结体。特别是，在所得的Si粉末中添加烧结助剂的同时添加价态尤其为+1～+3价且其共价键半径RM与Si的共价键半径RSi之间有(RM-RSi)/RSi＜0.5的关系的元素或其化合物作为氮空位形成剂，并把所得的混合体进行反应烧结制造出Si3N4烧结体。