-
公开(公告)号：CN117594966A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202410071736.1
申请日：2024-01-18
Applicant: 之江实验室
IPC: H01P3/08
Abstract: 本发明公开了一种具有低损耗高鲁棒性的serdes差分线结构及电子设备，该serdes差分线结构通过光刻工艺制备获得的金属网状结构构建了金属网状等效地，包括至少五层二氧化硅基板，金属网状等效地设置在第一层二氧化硅基板和最后一层二氧化硅基板上，中间层二氧化硅基板分别设置为布线层和隔离层，布线层设置有serdes差分线对，隔离层用于隔离金属网状等效地和布线层。本发明提高了serdes线的信号抗干扰能力，同时，金属网状等效地有效降低了serdes线的耦合，使得信号在传输过程中插损下降，实现了serdes线在信号传输过程中的高稳定性和低损耗性，从而提升馈电网络质量，具有较高的鲁棒性。
-
公开(公告)号：CN116995068B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311242751.X
申请日：2023-09-25
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/66 , H01L23/538 , H01L21/768 , H01Q1/22
Abstract: 本申请提供一种芯片集成天线封装结构及封装方法。该芯片集成天线封装结构包括依次层叠的基板、重布线层、填充层、天线结构层以及周围包覆的封装材料。基板远离重布线层的一侧与第一功能芯片、基板焊盘连接。填充层靠近基板的一侧设有第二功能芯片和第三功能芯片，第二功能芯片、第三功能芯片与第一功能芯片、基板焊盘电连接，第一功能芯片与基板焊盘电连接。天线结构层包括第一天线、第二天线和信号地，第一天线与第二功能芯片电连接，第二天线与第三功能芯片电连接，信号地分别与第一天线、第二天线电连接。基板焊盘用于将电性引出。可实现缩短高频信号的传输路径，降低封装天线的功耗以及电磁波的衰减，提高芯片集成天线封装结
-
公开(公告)号：CN116803550B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311095635.X
申请日：2023-08-29
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种针对晶上系统的测试组装方法及装置，属于集成电路技术领域。所述供电测试装置包括PCB板以及装载于PCB板上的供电模块、测试探针以及调试接口模块，为单个异构处理单元中所有电压域分配独立的电源轨，可监控每个芯粒及其电压域的工作状态。本发明还提供了利用供电测试装置进行晶上系统测试组装方法，在晶上系统的组装过程中逐步检测系统中每一个异构单元中的芯粒是否正常，对于失效的芯粒，切断其供电路径，使其不消耗晶上系统的电能，并且不影响其他芯粒的正常工作。利用本发明可提早发现晶上系统在逐级装配时可能存在的故障和失效问题，并对故障和失效电路进行处理，为晶上系统组装后可靠稳定的运行提供保障。
-
公开(公告)号：CN116260760A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211613274.9
申请日：2022-12-15
IPC: H04L45/12 , H04L45/02 , H04L45/586
Abstract: 本发明提供了一种在多芯粒互连网络中基于流量感知的拓扑重构方法。多芯粒互连网络拓扑包括芯粒内网络拓扑和芯粒间网络拓扑，该方法通过在芯粒间网络中增加可配置交叉开关网络，并运用启发式重构方法配置这些可配置交叉开关，为频繁通信的路由器提供直接连接的虚拟链路，以降低平均跳数和网络延迟。本发明通过减少芯粒管脚数量，降低网络的平均跳数和延迟，从而降低芯片的面积和成本，提高其性能，可用于通用处理器和多种应用的专用处理器的设计。
-
公开(公告)号：CN116224296A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310336643.2
申请日：2023-03-28
Applicant: 之江实验室
IPC: G01S7/481
Abstract: 本说明书公开了一种相控阵雷达和信息获取方法、存储介质及电子设备。所述相控阵雷达包括：晶圆、信号处理单元、若干电源芯片组以及若干接收芯片组，其中，每个电源芯片组对应至少一个接收芯片组，所述若干电源芯片组均匀设置在所述晶圆内部的四周，所述信号处理单元设置在所述晶圆内部的中央，针对每个接收芯片组，该接收芯片组包括：射频芯片单元和所述射频芯片单元对应的天线单元，所述射频芯片单元设置在所述晶圆内部，所述天线单元设置在所述射频芯片单元正上方的晶圆上表面，所述射频芯片单元上方设置有重布线层，所述射频芯片单元通过所述重布线层与设置在所述晶圆上表面的所述天线单元相连接。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116127905A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310402712.5
申请日：2023-04-06
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F30/392 , G06F30/394 , G06F30/398 , H01L23/488 , G06F115/12
Abstract: 本发明涉及一种用于设计基板的方法、基板及晶圆级芯粒集成结构，所述基板包括依次堆叠的第一焊盘组、互联层和第二焊盘组；芯粒贴装于芯粒焊盘上，所述芯粒焊盘用于键合至所述第二焊盘组，以使所述芯粒、所述芯粒焊盘和所述基板构成晶圆级芯粒集成结构；PCB焊盘的两面分别用于键合PCB板和所述第一焊盘组，以使所述PCB板、所述PCB焊盘和所述晶圆级芯粒集成结构构成目标交换系统。芯粒通过互联层内部三维布线作为和PCB板之间的信号传输过渡，避免了芯粒和PCB板之间直接信号传输，也就避免了芯粒和PCB板之间因尺寸不匹配或者热膨胀系数等原因造成的信号传输迟延，从而提升信号传输性能。
-
公开(公告)号：CN116011394A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310010291.1
申请日：2023-01-04
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F30/398 , G06F30/392 , G06F30/394
Abstract: 本说明书公开了一种异常检测方法、装置、设备及存储介质，可以根据晶圆基板的每层结构中设置的每个基本单元在该层结构中的位置分布以及根据预设的晶圆基板每层结构之间的叠加关系，分析出由各个基本单元组成晶圆基板的各目标连接网络，从而可以将通过对晶圆基板版图分析得到的各目标连接网络和研发人员设计的晶圆基板原理图中的各连接网络之间进行比对，以确定出按照晶圆基板版图制备晶圆基板时是否存在异常，进而可以有效的对晶圆基板版图中是否存在导致制备的晶圆基板存在开路或短路异常的错误，进行检测。
-
公开(公告)号：CN115003025B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210838419.9
申请日：2022-07-18
Applicant: 之江实验室
IPC: H05K1/18 , H05K1/02 , H05K1/11 , H01L23/367 , H01L23/473 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种可拆卸式晶上系统与PCB板的互连结构及制造方法，包括底部结构件，顶部结构件，底部凹槽，晶上系统，下顶部凹槽，上顶部凹槽，PCB组装件，所述上顶部凹槽的顶表面均布设置有若干连接块，所述连接块的底端中心固定设置有凸台，所述凸台与所述PCB组装件契合连接，所述PCB组装件通过连接件贯穿所述PCB组装件并延伸至所述连接块内与所述顶部结构件连接，所述下顶部凹槽内设置有柔性连接组件，柔性连接组件的下表面连接所述晶上系统，柔性连接组件的上表面连接所述PCB组装件。本发明解决可拆卸式晶上系统与PCB板互通互连的关键技术难题，尤其能解决因PCB板与晶上系统的拆卸维修问题，从而为晶上系统与传统PCB板混合集成提供可靠的技术保障。
-
公开(公告)号：CN114759012A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210664279.8
申请日：2022-06-14
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/538 , H01L21/768 , H05K1/18 , H05K3/34 , H05K3/40
Abstract: 本发明公开了基于TSV工艺晶上系统与PCB板互连结构，包括底部结构件和顶部结构件，所述底部结构件与所述顶部结构件通过连接件可拆卸链接，所述底部结构件的上表面设置有底部凹槽，所述底部凹槽内设置有晶上系统，所述晶上系统的下表面与所述底部凹槽之间贴合连接，所述顶部结构件的下表面设置有顶部凹槽，所述顶部凹槽内通过连接件连接有PCB预制件，所述PCB预制件的另一端通过弹性连接器连接所述晶上系统。本发明不仅可解决大尺寸晶上系统与翘曲PCB板连通问题，还可以解决晶上系统散热问题，从而为晶上系统的供电、调试、信号输入输出提供技术支撑，为更高速率、更大容量的晶上系统的设计与制造提供技术保障。
-
公开(公告)号：CN114400440B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210294389.X
申请日：2022-03-24
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种用于光电探测的宽频太赫兹电磁结构，包括基底结构，所述基底结构上表面设置有电磁能量辐射结构和探测器直流供电结构，所述电磁能量辐射结构采用共面波导形式，所述电磁能量辐射结构包括共面波导和主辐射结构，所述共面波导包括中间矩形和两个旁侧矩形，所述主辐射结构为圆形连接结构，本发明一种用于光电探测的宽频太赫兹电磁结构，首先设计并优化了工作在太赫兹频段的宽频电磁能量辐射结构，其次设计并优化了光电探测器直流供电结构，并将直流供电结构与电磁能量辐射结构进行一体化融合，布置于介质基底上。通过不断优化结构参数，最终获得了工作在太赫兹频段的宽频电磁结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
110
records
(took 0.027 seconds)
