公开(公告)号：CN117895203B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410048495.9

申请日：2024-01-11

Applicant: 之江实验室

Inventor： 洪敬波 ,  李顺斌 ,  邓庆文 ,  段元星 ,  叶德好

IPC: H01P3/08

Abstract: 本发明公开了一种基于半导体工艺的低寄生参数的serdes差分对结构及设备，该serdes差分对结构包括至少五层二氧化硅基板，第一层和最后一层二氧化硅基板设置有金属地层，中间层二氧化硅基板分别设置为serdes信号线层和介质层；serdes信号线层设置有serdes差分对，serdes差分对与上下层金属地层的网状部分构成带状线结构；介质层用于隔离金属地层和serdes信号线层。本发明通过在serdes差分对垂直上下地采用镂空加网状结构的组合方式，有效降低了serdes差分对在晶圆的走线过程中寄生而成的电感电容数值，从而优化serdes的回波损耗，同时也能进一步提高传输功率，使得信号传输更加安全。

公开(公告)号：CN117895203A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202410048495.9

申请日：2024-01-11

Applicant: 之江实验室

Inventor： 洪敬波 ,  李顺斌 ,  邓庆文 ,  段元星 ,  叶德好

IPC: H01P3/08

Abstract: 本发明公开了一种基于半导体工艺的低寄生参数的serdes差分对结构及设备，该serdes差分对结构包括至少五层二氧化硅基板，第一层和最后一层二氧化硅基板设置有金属地层，中间层二氧化硅基板分别设置为serdes信号线层和介质层；serdes信号线层设置有serdes差分对，serdes差分对与上下层金属地层的网状部分构成带状线结构；介质层用于隔离金属地层和serdes信号线层。本发明通过在serdes差分对垂直上下地采用镂空加网状结构的组合方式，有效降低了serdes差分对在晶圆的走线过程中寄生而成的电感电容数值，从而优化serdes的回波损耗，同时也能进一步提高传输功率，使得信号传输更加安全。

公开(公告)号：CN117594966A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202410071736.1

申请日：2024-01-18

Applicant: 之江实验室

Inventor： 洪敬波 ,  李顺斌 ,  邓庆文 ,  段元星

IPC: H01P3/08

Abstract: 本发明公开了一种具有低损耗高鲁棒性的serdes差分线结构及电子设备，该serdes差分线结构通过光刻工艺制备获得的金属网状结构构建了金属网状等效地，包括至少五层二氧化硅基板，金属网状等效地设置在第一层二氧化硅基板和最后一层二氧化硅基板上，中间层二氧化硅基板分别设置为布线层和隔离层，布线层设置有serdes差分线对，隔离层用于隔离金属网状等效地和布线层。本发明提高了serdes线的信号抗干扰能力，同时，金属网状等效地有效降低了serdes线的耦合，使得信号在传输过程中插损下降，实现了serdes线在信号传输过程中的高稳定性和低损耗性，从而提升馈电网络质量，具有较高的鲁棒性。