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公开(公告)号：CN114603844B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210511928.0
申请日：2022-05-12
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种电子器件的一体化增材制造单片集成方法，使用可以同时装载多种功能材料的多喷头三维打印机一体化制造集成电子器件，打印材料至少包括但不局限于绝缘材料，导电材料，可选择性去除的支撑材料，在一个打印过程中同时使用绝缘材料制造器件的机械结构，用导电材料制造器件的电极及引线互连部，用可选择性去除的牺牲材料制造三维结构的临时支撑结构，一体化制造完成后选择性地去除支撑结构得到完整的器件，同时打印位于同一水平面的相应的垂直导线结构，用来将各电子器件的电极引到底部形成的焊盘，以便将打印完成的集成电子器件以倒装贴片的方式贴在电路板上，对单片集成器件中有低电阻率需求的结构表面进行有选择地生长金属。
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公开(公告)号：CN117219518B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202311466364.4
申请日：2023-11-07
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/48 , H01L21/768 , H01L23/473 , H01L23/367 , H01L23/48
Abstract: 本公开涉及微流道基板及其制造方法、晶上封装结构及其制造方法。制造微流道基板的方法包括：形成多个延伸入预制基板的导电通道，及形成至少一个延伸入预制基板的金属翅，其中，导电通道和金属翅均从预制基板的第一侧延伸入预制基板，导电通道的长度大于金属翅的长度；形成从第一侧延伸入预制基板的微流道，得到围绕导电通道的第一翅并使金属翅的至少部分外周面暴露于微流道，其中，微流道的深度小于导电通道的长度；形成位于预制基板的第一侧并电连接于导电通道的第一金属层；从预制基板的背向第一侧的第二侧减薄预制基板，得到基板并使导电通道暴露于第二侧；以及形成位于基板的第二侧并电连接于导电通道的第二金属层。实现高效的散热能力。
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公开(公告)号：CN117080352A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311330498.3
申请日：2023-10-16
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种晶上系统封装结构及其制备方法，包括：第一晶圆基板、第二晶圆基板及芯片。第一晶圆基板包括第一衬底和第一互连层，第一衬底的第二面处设有第一微通道。第二晶圆基板与第一晶圆基板堆叠，第二晶圆基板包括第二衬底和第二互连层，第二衬底的第二面处设有第二微通道，第一微通道和第二微通道互相连通形成微通道散热结构。芯片设置在第一互连层，至少部分芯片设置在微通道散热结构对应的位置。第一晶圆基板和第二晶圆基板具有良好的导热性，可以快速散去芯片产生的热量，第一微通道和第二微通道可以实现对多种预制件的精准散热，进一步提高了散热效果，减小温度不均匀性。
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公开(公告)号：CN116631944B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310912407.0
申请日：2023-07-25
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/768 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种高温压阻特性试样及含有TSV的异形硅转接板制备方法，本发明使用的方法在制造异形结构时避免了传统的机械划片或激光划片时对硅晶圆可能造成的破裂，通过上表面深刻蚀与下表面减薄相结合的方法，实现了异形结构的自动释放分离。同时，本发明面向高温应用提出了与硅通孔TSV工艺兼容的耐高温欧姆接触电极结构硅/二硅化钛/钛/氮化钛/钛/铜，可以用于300℃以上的高温压阻特性的测量。此外，本发明提出的含有TSV的异形硅转接板有利于入射光纤与硅光器件的端面耦合器对准，实现电‑光‑感的三维异构集成系统。
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公开(公告)号：CN116520486B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310812462.2
申请日：2023-07-04
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种可重构的波分解复用器及其制备方法。该波分解复用器包括器件层，波分解复用器为阵列波导光栅，该器件层的结构包括入射波导、输入平板波导、阵列波导结构、输出平板波导以及多个输出波导，其中，输入平板波导与入射波导耦合，阵列波导结构耦合在输入平板波导与输出平板波导之间，输出平板波导与多个输出波导耦合，在阵列波导结构中的相邻阵列波导之间的区域填充有相变材料。本申请能够有效地解决片上波分解复用器件受工艺影响较大和调节困难的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116338413B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310623750.3
申请日：2023-05-30
Applicant: 之江实验室
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请提供一种晶上系统的测试方法及测试装置，该晶上系统的晶圆基板包括若干个互不相连的晶上网络，该测试方法包括：对任一晶上网络施加第一电平信号，同时对余下的晶上网络施加第二电平信号；第一电平信号大于第二电平信号，第一电平信号与第二电平信号之间的压差大于或等于晶圆基板的电源电压，对余下的晶上网络循环执行上述操作；对任一晶上网络输入激励电信号，检测余下的晶上网络的输出电信号并进行电筛选测试，对不符合标准的晶上网络进行标记；对被标记的晶上网络进行修复，若可被修复，则去除标记；若不可被修复，则保留标记。可实现，通过该测试方法筛选出晶圆基板存在的缺陷，确保晶上系统晶圆基板的可靠运行。
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公开(公告)号：CN116520487A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310812463.7
申请日：2023-07-04
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种偏振不敏感的硅基光接收集成芯片及其实现方法。该芯片包括端面耦合器、波分解复用器、光电探测器阵列及偏振自动反馈调节装置。在波分解复用器的上层沉积有相变材料，波分解复用器具有多个输出端口，多个输出端口包括偏振检测端口，波分解复用器的偏振检测端口连接偏振自动反馈调节装置的一端；偏振自动反馈调节装置的另一端用于连接至设于芯片外部的信号激励装置，偏振自动反馈调节装置用于测量偏振检测端口的输出光功率的强度来得到当前入射光的偏振态，并基于当前入射光的偏振态来控制信号激励装置产生激励信号的强度以触发相变材料的相态改变，进而调节波分解复用器的最佳工作偏振态以实现入射偏振不敏感。
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公开(公告)号：CN116520486A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310812462.2
申请日：2023-07-04
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种可重构的波分解复用器及其制备方法。该波分解复用器包括器件层，波分解复用器为阵列波导光栅，该器件层的结构包括入射波导、输入平板波导、阵列波导结构、输出平板波导以及多个输出波导，其中，输入平板波导与入射波导耦合，阵列波导结构耦合在输入平板波导与输出平板波导之间，输出平板波导与多个输出波导耦合，在阵列波导结构中的相邻阵列波导之间的区域填充有相变材料。本申请能够有效地解决片上波分解复用器件受工艺影响较大和调节困难的问题。
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公开(公告)号：CN115159444B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211045028.8
申请日：2022-08-30
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种无引线的三维异构集成结构及制造方法，该结构包括密封键合部分、垂直通孔部分和异构集成部分，所述密封键合部分是使用与硅通孔填充材料兼容的材料制作的微电子传感器密封环、光波导密封环、微流道密封环，使用与硅通孔键合工艺兼容的工艺条件实现微电子传感器、光波导通路、微流道的密封键合；所述垂直通孔部分包括电学垂直通孔、光学垂直通孔、微流体垂直通孔；所述异构集成部分是在硅晶圆基板上制作带有重布线层和微凸点的电学互连结构、光学互连结构、冷却液流通结构，并通过使用所述硅晶圆基板、气密键合结构和带有垂直通孔部分的硅通孔转接板实现将不同功能的芯片实现晶上异构三维集成，同时具有局部冷却散热的功能。
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公开(公告)号：CN114823548B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210738281.5
申请日：2022-06-28
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开一种面向光电共封装的LGA封装结构，包括外壳和基板，均呈工字型，所述外壳包括底座和压盖，基板设置在底座上，在工字型的基板的桥接处键合连接有光电三维堆叠芯片，所述压盖设置在基板上方，同时预留出光电三维堆叠芯片垂直方向的空间。本发明的结构将光电三维堆叠芯片与基板连接后，插入LGA封装结构中固定即可，发挥了LGA封装密度大、接口丰富、器件拼装紧凑体积小的特点，避免了引线寄生电感产生的噪声及引脚共面性问题而引起的虚焊和焊接不良的问题，具有可靠性高、集成度高的特点；还可以更换芯片重复使用，节约成本，且解决了光学封装与电学封装难以并存的问题，设计新颖，适用于大规模高密度光电芯片的光电共封装。
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