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公开(公告)号：CN106409656A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610599442.1
申请日：2016-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67069 , C23F1/12 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32135 , H01L21/32136 , H01L23/53209 , H01L2924/01027 , H05K3/02 , H05K2203/0315 , H01L21/02175 , H01L21/02244 , H01L21/31122
Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和蚀刻装置。[课题]提供如下技术：使用对钴膜进行氧化的氧化气体和包含β-二酮的蚀刻气体对被处理体表面的钴膜进行蚀刻时，防止在被处理体形成碳膜。[解决手段]将被处理体加热至250℃以下的温度同时以氧化气体的流量相对于蚀刻气体的流量的比率为0.5％～50％的方式对前述被处理体供给包含β-二酮的蚀刻气体和用于氧化前述钴膜的氧化气体。由此，可以抑制碳膜的形成且对前述钴膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN103429790A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280013502.7
申请日：2012-01-27
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: C25B11/0478 , C25B1/245 , C25B11/12 , C25D3/66 , C25D9/06
Abstract: 本发明的氟化合物的电解合成用电极具备：电极基材，至少其表面由导电性炭材料构成；导电性金刚石层，覆盖于前述电极基材表面的一部分上；和含金属氟化物膜，覆盖于没有被前述导电性金刚石层覆盖的前述电极基材的露出部上。该电解合成用电极能够抑制电极表面上的氟化石墨层的生成，防止电极的有效电解面积的减少，在包含氟化氢的熔融盐电解浴中稳定地实施电解。
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公开(公告)号：CN102803568A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201180013041.9
申请日：2011-02-24
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: C25B1/245 , B01D53/0423 , B01D53/0446 , B01D53/685 , B01D2256/26 , B01D2257/2047 , C25B15/08
Abstract: 本发明提供一种氟气生成装置。能够防止将氟化氢吸附去除的精制装置的阻塞，稳定地供给高纯度的氟气。氟气生成装置的特征在于，具有利用吸附剂将由电解槽（1）的熔融盐汽化而混入自阳极（7）生成的氟气中的氟化氢吸附去除的精制装置（20），精制装置（20）包括：筒状构件，其供在电解槽（1）中产生的含有氟气的主产生气体通过；温度调节器，其调节上述筒状构件的温度；吸附剂保持件，其设在上述筒状构件内，上述吸附剂保持件设置为在上述筒状构件内形成用于确保上述主产生气体的流路的空隙。
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公开(公告)号：CN102369591A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201080014661.X
申请日：2010-02-26
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , C01B7/20
CPC classification number: C01B7/20 , B01F3/028 , B01F15/0408 , G05D11/132
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够以稳定、大量且具有精确的浓度的状态将由氟气产生装置产生的氟气供给到半导体处理装置的氟气的当场气体混合及稀释系统。该氟气的供给系统具有下述结构，即，将储存在缓冲罐内的混合气体导入到在进行缓冲罐内调整混合气体前的导入气体的气体导入配管，使混合气体循环，此外，设有用于测量混合气体中的氟浓度的监视装置，能够根据获得的氟浓度而调整非活性气体供给源的流量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111886674B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201980020982.1
申请日：2019-03-05
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302 , C01B7/24 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 本发明的目的在于，提供蚀刻速度快且偏差的抑制优异的基板处理用气体、保管其的保管容器和基板处理方法。本发明的基板处理用气体含有IF5和IF7，IF5的含量相对于IF7整体以体积基准计为1ppm以上且2％以下。
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公开(公告)号：CN111279460B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201880068626.2
申请日：2018-10-24
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明提供一种干式蚀刻方法，其特征在于，使包含氟化氢及含氟羧酸的混合气体于小于100℃且无等离子体地与氮化硅接触，蚀刻所述氮化硅。所述含氟羧酸的量优选为所述氟化氢与所述含氟羧酸的合计量的0.01体积％以上。作为所述含氟羧酸，可列举单氟乙酸、二氟乙酸、三氟乙酸、二氟丙酸、五氟丙酸、七氟丁酸等。通过该干式蚀刻方法，能以高蚀刻速率蚀刻氮化硅，对氧化硅及多晶硅具有高选择比，可抑制对氧化硅的损伤。
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公开(公告)号：CN115803313A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202180048843.7
申请日：2021-08-04
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C07C209/84
Abstract: 本公开的目的在于，提供一种使粗三烷基胺中的二甲胺、二乙胺、乙基丙基胺、乙基异丙基胺的浓度降低的新型的方法。本公开为一种三烷基胺的纯化方法，其特征在于，使包含选自由二甲胺、二乙胺、乙基丙基胺和乙基异丙基胺组成的组中的至少一种作为杂质的粗三烷基胺与沸石接触，使上述粗三烷基胺中的选自由二甲胺、二乙胺、乙基丙基胺和乙基异丙基胺组成的组中的至少一种的浓度比上述沸石接触前降低。
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公开(公告)号：CN115315786A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180020720.2
申请日：2021-03-04
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302
Abstract: 一种硅氧化物的干蚀刻方法，其特征在于，其是使气体的氟化氢及气体的有机胺化合物、气体的有机胺化合物的氟化氢盐、或气体的氟化氢、气体的有机胺化合物及气体的有机胺化合物的氟化氢盐与硅氧化物反应的干蚀刻方法，上述有机胺化合物为包含下述通式(1)所示的化合物中的至少2种的有机胺混合物。R1‑N＝R2R3···(1)(通式(1)中，N为氮原子。R1为碳数1～10的、任选具有环、杂原子、卤素原子的烃基。R2、R3为氢原子或碳数1～10的、任选具有环、杂原子、卤素原子的烃基。其中，烃基在碳数为3以上时，任选形成支链结构或环状结构。烃基的杂原子为氮原子、氧原子、硫原子或磷原子。进而，R1和R2均为碳数1以上的烃基时，R1与R2任选直接键合而形成环状结构。进而，R1或R2以双键直接键合而形成环状结构时，任选形成芳香环而不存在R3。另外，R1、R2及R3任选为相同的烃基或不同的烃基。)。
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公开(公告)号：CN114616651A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080073880.9
申请日：2020-09-01
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本公开的实施方式的干式蚀刻方法为一种干式蚀刻方法，其特征在于，使形成于处理体的表面的、包含M‑O键能为5eV以上的金属或前述金属的氧化物的被蚀刻膜与β‑二酮和二氧化氮反应，在不伴有等离子体状态的情况下进行蚀刻。
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