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公开(公告)号：CN116029246A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310011031.6
申请日：2023-01-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明涉及一种具有蒙特卡洛仿真功能的三维相变存储器1S1R模型，包括器件模型，所述器件模型包括串联的选通管模型和相变存储器模型，还包括：电压模块，用于向所述选通管模型和相变存储器模型提供电压；参数分布模块，用于提供带有统计特性的选通管模型和相变存储器模型的尺寸；电流模块，用于根据器件模型当前的状态以及两端电压计算所述器件模型的电流；状态模块，用于根据器件模型的上一时刻的状态、器件模型的电流或温度判断器件模型当前所处的状态。本发明能够模拟三维相变存储器1S1R结构的电学特性的统计特性。
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公开(公告)号：CN110289037B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910561346.1
申请日：2019-06-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种非易失存储器读出电路及读出方法，包括：纳秒级充电脉冲产生模块，产生后充电脉冲信号；充电电压产生模块，产生后充电电压；读位线充电模块，给读位线充电；第一参考读电压生成电路，给参考读位线充电，并产生参考读电流和第一参考读电压；灵敏放大器，将参考读电流与读出电流相比较，产生读出电压信号。本发明提高了读位线电压上升的速度，降低了读出电流的峰值，降低了动态功耗，降低了读出电流及参考读电流到达稳定值所需的时间；且在参考读电流中引入寄生参数的匹配，在读电流中引入对电流镜寄生参数的匹配，并对读位线和读参考位线进行后充电操作，最大程度的消除了伪读取现象，减小了读出时间。
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公开(公告)号：CN109935270B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201910175850.8
申请日：2019-03-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的故障诊断方法，应用于以位为操作单位的相变存储器中，包括：对所述相变存储器进行第一操作以触发部分热串扰故障，其中所述第一操作包括一次地址递增的位写0；对所述相变存储器进行第二操作以检测触发的部分热串扰故障，其中所述第二操作包括一次地址递增的位读0；对所述相变存储器进行第三操作以触发剩余热串扰故障，其中所述第三操作包括一次地址递减的位写0；对所述相变存储器进行第四操作以检测触发的剩余热串扰故障，其中所述第四操作包括一次地址递减的位读0。通过本发明解决了现有技术中无法全面检测PD故障及现有技术还未有以字为操作单位的相变存储器特有故障的触发及检测的相关研究的问题。
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公开(公告)号：CN110098832B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910364378.2
申请日：2019-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K19/0185 , H03K19/094 , H03K19/003 , H03K17/22
Abstract: 本发明提供一种超低电压启动双路输出的DCDC转换电路及其实现方法，所述DCDC转换电路包括：双路输出模块，电连接于所述双路输出模块的高压上电复位模块，电连接于所述高压上电复位模块和所述双路输出模块的功率管衬底电平选择模块，电连接于所述高压上电复位模块和所述双路输出模块的工作模式切换模块，电连接于所述工作模式切换模块的控制管衬底电平选择模块，电连接于所述双路输出模块的负载接入模块及电连接于所述双路输出模块、所述负载接入模块和所述工作模式切换模块的调制信号产生模块。通过本发明解决了现有DCDC转换电路存在的无法在低电源电压下工作、需要额外的时钟产生装置及只有一路输出的问题。
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公开(公告)号：CN110619906A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910763063.5
申请日：2019-08-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供了一种多级相变存储器的读出电路及读出方法，涉及微电子技术领域，解决了传统方法无法读出多级相变存储单元存储的多位数据的技术问题。本发明提供的多级相变存储器的读出方法应用于存储有N位二进制数据的相变存储单元，读出方法按照由高位到低位的顺序逐位读取目标相变存储单元的N位二进制数据，读出方法包括N个阶段，第M阶段包括步骤：获取目标相变存储单元当前状态所对应的读电流；获取参考电流，其中，当M＝1时选择起始参考电流，当M>1时根据之前读出的数据位选择对应阶段的参考电流；比较读电流和对应阶段的参考电流，获得读出电压信号；处理读出电压信号，获得二进制数据的第N-M+1位数据信号；其中，1≤M≤N。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110335636A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910605311.3
申请日：2019-07-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的多级存储读写方法及系统，包括：数据存储模块，包括多个存储数据的数据单元；参考模块，包括多个参考单元，2k-1个参考单元对应1个数据单元，用于存储与存储的数据对应的参考信号，k为存储的数据比特；读出功能模块，在读取某一数据单元时将其对应的参考信号读出，并还原数据单元中储存的数据。本发明采用2T2R的结构作为基本单位进行数据存储，通过两个相变存储元件不同阻值的组合在一定程度上减少阻值漂移带来的影响，实现高密度存储；设置检纠错功能，通过检错、纠错提高相变存储器多值存储的可靠性；设置参考单元，通过参考单元计算还原存储的数据，实现高可靠性读取；同时降低检纠错的难度，进一步提高可靠性。
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公开(公告)号：CN110289037A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910561346.1
申请日：2019-06-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种非易失存储器读出电路及读出方法，包括：纳秒级充电脉冲产生模块，产生后充电脉冲信号；充电电压产生模块，产生后充电电压；读位线充电模块，给读位线充电；第一参考读电压生成电路，给参考读位线充电，并产生参考读电流和第一参考读电压；灵敏放大器，将参考读电流与读出电流相比较，产生读出电压信号。本发明提高了读位线电压上升的速度，降低了读出电流的峰值，降低了动态功耗，降低了读出电流及参考读电流到达稳定值所需的时间；且在参考读电流中引入寄生参数的匹配，在读电流中引入对电流镜寄生参数的匹配，并对读位线和读参考位线进行后充电操作，最大程度的消除了伪读取现象，减小了读出时间。
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公开(公告)号：CN109935270A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910175850.8
申请日：2019-03-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的故障诊断方法，应用于以位为操作单位的相变存储器中，包括：对所述相变存储器进行第一操作以触发部分热串扰故障，其中所述第一操作包括一次地址递增的位写0；对所述相变存储器进行第二操作以检测触发的部分热串扰故障，其中所述第二操作包括一次地址递增的位读0；对所述相变存储器进行第三操作以触发剩余热串扰故障，其中所述第三操作包括一次地址递减的位写0；对所述相变存储器进行第四操作以检测触发的剩余热串扰故障，其中所述第四操作包括一次地址递减的位读0。通过本发明解决了现有技术中无法全面检测PD故障及现有技术还未有以字为操作单位的相变存储器特有故障的触发及检测的相关研究的问题。
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公开(公告)号：CN113515914B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110451619.4
申请日：2021-04-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明涉及一种OTS选通器件仿真模型，包括：状态模块，用于根据OTS选通器件的上一刻的状态和两端电压，控制所述OTS选通器件当前所处的状态；阻值模块，用于根据所述OTS选通器件当前所处的状态和两端电压来计算所述OTS选通器件的阻值；电压模块，根据所述OTS选通器件的阻值计算所述OTS选通器件的两端电压，并将所述OTS选通器件的两端电压传输给所述状态模块和所述阻值模块。本发明能够仿真模拟出OTS器件在电路中的工作状态。
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公开(公告)号：CN115762591A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211342813.X
申请日：2022-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种三维相变存储器高可靠写电路，包括：位线数据感知模块，用于确定选中位线上的数据状态；行列地址感知模块，用于根据选中单元的行地址和列地址确定选中单元所属的块地址；查找表模块，用于将所述选中位线上的数据状态以及选中单元所属的块地址作为索引，从写电流幅度配置表中找到最优写电流幅度；写驱动模块，用于输出所述最优写电流幅度的写电流到选中单元。本发明能够提高三维相变存储器的可靠性。
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