公开(公告)号：CN103871976A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201410095131.2

申请日：2014-03-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 亢心洁 ,  王会武 ,  应利良 ,  高波 ,  谢晓明

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及一种经改进的高温SQUID的封装结构及方法，其特征在于所述改进的封装结构是在底板（2）上放置中间层（4），将顶层盖板（1）放置于中间层（4）的上面；所述的中间层由内壁和外壁两部分构成，内壁和外壁之间形成一个槽形结构，槽形结构与顶层盖板和底板密封封闭在一起。在内壁上制作有均匀的小孔，中间层的内壁和外壁之间的槽形结构通过内壁的小孔的孔洞与器件封装的空间相通。槽形结构的内部填充活性吸附物质。由于中间层增加了槽形结构，虽对高温SQUID器封装器件体积影响不大，但与现有没有填充活性吸附物质的封装结构相比，显示出降低水分与芯片接触几率方面有很大优势，延长了HTS？SQUID器件的使用寿命。

公开(公告)号：CN102426342B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201110254078.2

申请日：2011-08-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 荣亮亮 ,  王永良 ,  董慧 ,  王会武 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: G01R33/035

Abstract: 本发明公布了一种基于三端变压器的SQUID前端电路与其调整方法。三端变压器由绕制在同一个磁环上的三组线圈构成，三端变压器原边(1)和(2)用于实现SQUID磁通信号传输和方波偏置波形的补偿，副边主要用于信号输出；通过在SQUID并联支路加入合成波形，可实现SQUID偏置为理想的方波偏置电流，并可借助补偿支路对输入前置放大器的偏置载波进行补偿。本发明还提供了前端电路的调整方法，主要思路是采用低频调节-高频使用，包括偏置电流调整与工作点测定、合成波形调整、波形补偿和高频微调步骤。

公开(公告)号：CN103389482A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201210427979.1

申请日：2012-10-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 伍俊 ,  荣亮亮 ,  王会武 ,  王永良 ,  常凯 ,  侍文 ,  董慧 ,  蒋坤 ,  谢晓明

IPC: G01R35/00

Abstract: 本发明涉及一种超导量子干涉仪的数字化模拟器，其特征在于通过ADC、微处理器和DAC数字电路在常温下实现SQUID的电特性模拟；所述模拟器，采用嵌入式系统架构，通过模数转换的方式将读出电路的反馈信号按照微控制器内部建立的在线更新SQUID特性参数库进行磁通换算，再与内置的测试磁通信号进行代数运算，最后根据基于SQUIDV-Φ特性曲线建立的数学模型进行反馈输出，从而在同一平台实现不同特性的SQUID在磁通锁定环读出电路中的硬件在环仿真。本发明极大地提高了SQUID模拟器的集成度、灵活性、通用性和量程，有效地简化SQUID读出电路的测试。

公开(公告)号：CN115064334A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202210692756.1

申请日：2022-06-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海科技大学

Inventor： 王会武 ,  石家晟 ,  张露 ,  陈垒 ,  王镇

IPC: H01F6/00 ,  H01F6/06

Abstract: 本发明提供一种超导数字电路电感的表征结构及方法，包括：第一超导薄膜连接在第一约瑟夫森结的第一电极层和第二超导薄膜之间；第三超导薄膜连接在第二超导薄膜和第二约瑟夫森结的第一电极层之前；第一、第二约瑟夫森结的第二电极层接地；第一电极连接第一约瑟夫森结的第一电极层；第二电极连接第二约瑟夫森结的第一电极层；第三电极连接第一超导薄膜的第一端和第二端之间；第四电极的第一端连接第二超导薄膜的第一端和第二端之间；第五电极连接第三超导薄膜的第一端和第二端之间。本发明在一个电感表征结构中获得不同超导薄膜电感的数值，简化结构，提升了超导数字电路中电感测量的效率和精度。

公开(公告)号：CN107329098B

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201710363781.4

申请日：2017-05-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王会武 ,  张栖瑜 ,  刘全胜 ,  应利良 ,  王镇

IPC: G01R33/00 ,  G01R33/022 ,  H01L39/24

Abstract: 本发明提供一种全张量磁场梯度测量组件及制备方法，至少包括：衬底、制备在所述衬底上的第一SQUID器件、第二SQUID器件、第三SQUID器件、第四SQUID器件、第五SQUID器件以及第一梯度线圈、第二梯度线圈、第三梯度线圈、第四梯度线圈、第五梯度线圈，其中，所述第一梯度线圈与所述第一SQUID器件用于测量Gxx磁场梯度分量；所述第二梯度线圈与所述第二SQUID器件用于测量Gyy磁场梯度分量；所述第三梯度线圈与所述第三SQUID器件用于测量Gyx磁场梯度分量；所述第四梯度线圈与所述第四SQUID器件用于测量Gzx磁场梯度分量；所述第五梯度线圈与所述第五SQUID器件用于测量Gzy磁场梯度分量。本发明在同一衬底上制备5个SQUID器件，且每个SQUID器件探测1个分量，减小了组件体积和安装难度，降低制备成本。

公开(公告)号：CN106953000B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201710154577.1

申请日：2017-03-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王会武 ,  刘全胜 ,  张栖瑜 ,  刘晓宇 ,  马林贤 ,  应利良 ,  王镇

IPC: H01L39/02 ,  H01L39/22 ,  H01L39/24

Abstract: 本发明提供一种集成于约瑟夫森结的超导磁场线圈及其制备方法，所述超导磁场线圈包括：多条底层磁场线圈层、多条顶层磁场线圈层、第二绝缘材料层；所述多条底层磁场线圈层和多条顶层磁场线圈层之间通过所述第二绝缘材料层隔离；所述第二绝缘材料层中设有开孔，所述开孔中填充有第三超导材料层；所述顶层磁场线圈层通过所述开孔中的第三超导材料层连接相邻两条底层磁场线圈层，从而形成整个超导磁场线圈。本发明制备的超导磁场线圈能够在约瑟夫森结处产生磁场，而且通入电流数值将比现有技术所需的电流小，可以扩展约瑟夫森结随磁场变化测量中的磁场范围，提升测量效率。

公开(公告)号：CN105702849B

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201610070503.5

申请日：2016-02-01

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 熊伟 ,  应利良 ,  王会武 ,  任洁 ,  王镇

IPC: H01L39/24 ,  H01L39/22 ,  H01L39/02

Abstract: 本发明提供一种台阶区域覆盖有超导覆盖层的超导电路结构及其制备方法，包括：1）提供衬底，在衬底表面依次形成第一超导材料层、第一绝缘材料层及第二超导材料层的三层薄膜结构；2）分别刻蚀第二超导材料层、第一绝缘材料层及第一超导材料层以形成下电极及约瑟夫森结；3）在步骤2）得到的结构表面形成第二绝缘材料层；4）沉积旁路电阻材料层，并刻蚀旁路电阻材料层以形成旁路电阻；5）沉积第三超导材料层，并刻蚀第三超导材料层形成配线层及超导覆盖层。本发明可以确保位于下电极表面的旁路电阻与位于第二绝缘材料层表面的旁路电阻的导通，避免出现断路故障，保证了旁路电阻连通的稳定性，提高了超导电路结构的工作性能。

公开(公告)号：CN105428517B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201510750190.3

申请日：2015-11-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 应利良 ,  熊伟 ,  王会武 ,  张国峰 ,  王镇

IPC: H01L39/24 ,  H01L39/02 ,  H01L39/06 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种双通道超导连接及其制备方法，包括：于衬底上依次制备第一超导材料层、第一绝缘材料层、第二超导材料层；刻蚀第二超导材料层和第一绝缘材料层，露出第一超导材料层；刻蚀第一、第二超导材料层，形成双通道超导连接和约瑟夫森结；于第一绝缘材料层和衬底上形成第二绝缘材料层；形成旁路电阻；沉积第三超导材料层，并形成配线。双通道超导连接包括：并联的第一、第二通道，第一通道包括依次层叠的衬底、底电极、绝缘材料层及对电极；所述第二通道为衬底上的纯超导通道。本发明通过改进超导电路版图，在制备层间超导通道时，并联一个纯的超导连接通道，克服了以往的连接通道的约瑟夫森效应，提高了超导电路器件的性能及其稳定性。

公开(公告)号：CN104377299B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201410414568.8

申请日：2014-08-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘全胜 ,  王会武 ,  应利良 ,  张国峰 ,  王镇

IPC: H01L39/22 ,  H01L39/24 ,  H01L39/02

Abstract: 本发明涉及一种无磁屏蔽环境下抑制磁场干扰的SQUID器件的结构，其特征在于在约瑟夫森结的周围制作一圈超导壁，超导壁包围了约瑟夫森结，超导壁起到一个微型磁屏蔽的作用，使外加磁场对约瑟夫森结的干扰得到抑制。超导壁的高度远大于约瑟夫森结的绝缘层厚度。在SQUID的核心结构约瑟夫森结周围制作了一圈基于超导薄膜材料的超导壁，这圈超导壁可以有效的屏蔽外界磁场进入到约瑟夫森结中，从而有效的防止了外界磁场对约瑟夫森结的影响，提高SQUID参数的稳定性。

公开(公告)号：CN103901362B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201410139130.3

申请日：2014-04-09

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 徐婷 ,  王会武 ,  荣亮亮 ,  常凯 ,  侍文 ,  蒋坤 ,  邱隆清 ,  伍俊 ,  谢晓明

IPC: G01R33/035 ,  G01V3/40

Abstract: 本发明涉及一种基于多通道SQUID磁传感器的三轴磁探测模块，其特征在于所述的三轴磁场探测模块，三个方向相互正交，分别对应空间的XYZ方向，对每一个方向的磁场测量由多个通道超导SQUID磁传感器器件完成；多个通道超导SQUID传感器构成串联阵列或通过改变连接次序构成并联阵列。串联阵列可以提高测量的灵敏度，并联阵列可以提高测量的信噪比和工作效率。变化模块中每个组件的连接方法，可以构造出不同结构的探测模块，以满足实际应用对探测模块的不同要求，提高探测系统的灵活性和效率。