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公开(公告)号：CN106953000B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201710154577.1
申请日：2017-03-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种集成于约瑟夫森结的超导磁场线圈及其制备方法，所述超导磁场线圈包括：多条底层磁场线圈层、多条顶层磁场线圈层、第二绝缘材料层；所述多条底层磁场线圈层和多条顶层磁场线圈层之间通过所述第二绝缘材料层隔离；所述第二绝缘材料层中设有开孔，所述开孔中填充有第三超导材料层；所述顶层磁场线圈层通过所述开孔中的第三超导材料层连接相邻两条底层磁场线圈层，从而形成整个超导磁场线圈。本发明制备的超导磁场线圈能够在约瑟夫森结处产生磁场，而且通入电流数值将比现有技术所需的电流小，可以扩展约瑟夫森结随磁场变化测量中的磁场范围，提升测量效率。
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公开(公告)号：CN105652605B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201610178599.7
申请日：2016-03-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 马林贤
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种适于接触式光刻机的分区域曝光装置，包括：第一滑槽导轨组、第二滑槽导轨组、第一挡板及第二挡板；所述第一滑槽导轨组包括一对平行间隔分布的第一滑槽导轨；所述第二滑槽导轨组包括一对平行间隔排布的第二滑槽导轨。本发明的装置结构简单，使用时即不破坏光刻机整机结构和正常的曝光工艺，又能很好的起到遮挡紫外光的作用；且该装置中挡板更换方便，更换时不会破坏装置结构；挡板的尺寸可以根据掩膜架上曝光区域的大小进行设定，灵活性强。
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公开(公告)号：CN106953000A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710154577.1
申请日：2017-03-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L39/025 , H01L39/223 , H01L39/2493
Abstract: 本发明提供一种集成于约瑟夫森结的超导磁场线圈及其制备方法，所述超导磁场线圈包括：多条底层磁场线圈层、多条顶层磁场线圈层、第二绝缘材料层；所述多条底层磁场线圈层和多条顶层磁场线圈层之间通过所述第二绝缘材料层隔离；所述第二绝缘材料层中设有开孔，所述开孔中填充有第三超导材料层；所述顶层磁场线圈层通过所述开孔中的第三超导材料层连接相邻两条底层磁场线圈层，从而形成整个超导磁场线圈。本发明制备的超导磁场线圈能够在约瑟夫森结处产生磁场，而且通入电流数值将比现有技术所需的电流小，可以扩展约瑟夫森结随磁场变化测量中的磁场范围，提升测量效率。
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公开(公告)号：CN105652605A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610178599.7
申请日：2016-03-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 马林贤
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/7015
Abstract: 本发明提供一种适于接触式光刻机的分区域曝光装置，包括：第一滑槽导轨组、第二滑槽导轨组、第一挡板及第二挡板；所述第一滑槽导轨组包括一对平行间隔分布的第一滑槽导轨；所述第二滑槽导轨组包括一对平行间隔排布的第二滑槽导轨。本发明的装置结构简单，使用时即不破坏光刻机整机结构和正常的曝光工艺，又能很好的起到遮挡紫外光的作用；且该装置中挡板更换方便，更换时不会破坏装置结构；挡板的尺寸可以根据掩膜架上曝光区域的大小进行设定，灵活性强。
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公开(公告)号：CN205450560U
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201620238897.6
申请日：2016-03-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 马林贤
IPC: G03F7/20
Abstract: 本实用新型提供一种适于接触式光刻机的分区域曝光装置，包括：第一滑槽导轨组、第二滑槽导轨组、第一挡板及第二挡板；所述第一滑槽导轨组包括一对平行间隔分布的第一滑槽导轨；所述第二滑槽导轨组包括一对平行间隔排布的第二滑槽导轨。本实用新型的装置结构简单，使用时即不破坏光刻机整机结构和正常的曝光工艺，又能很好的起到遮挡紫外光的作用；且该装置中挡板更换方便，更换时不会破坏装置结构；挡板的尺寸可以根据掩膜架上曝光区域的大小进行设定，灵活性强。
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